Roughness of silicon after chemical and electrochemical etching

• Autorzy: Jakubowicz J.

Warianty tytułu

PL

Chropowatość powierzchni krzemu po trawieniu chemicznym i elektrochemicznym

• Konferencja: Advanced Materials and Technologies, AMT'2004 : XVII Physical Metallurgy and Materials Science Conference (XVII; 20-24.06.2004; Łódź, Polska)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Chemical and electrochemical etching of silicon results in microstructural changes. Chemical H-termination of silicon in concentrated NH4F results in passivation of Si atoms by hydrogen. Surface is flat with atomic terraces of 0.3 nm height. Electrochemical etching in diluted NH4F results in pores or oxide formation. Roughness of the electrochemically etched silicon depends from molarity and pH of solution as well as potential and time of the processing.

PL

Chemiczne i elektrochemiczne trawienie krzemu powoduje zmiany mikrostruktury. Pasywacja chemiczna atomami wodoru w stężonym NH4F powoduje ujawnienie tarasowej struktury powierzchni o wysokości tarasów atomowych na poziomie 0,3 nm (Rys. 1). Trawienie elektrochemiczne w rozcieńczonym NH4F daje wynik w powstaniu porów (Rys. 2) lub tlenków (Rys. 5). Chropowatość elektrochemicznie trawionego krzemu zależy od molarności i pH elektrolitu, jak również potencjału i czasu procesu trawienia (Rys. 3, Rys. 4).

Słowa kluczowe

PL

chropowatość powierzchni; krzem; trawienie chemiczne; trawienie elektrochemiczne; mikrostruktura

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2004
• Tom: R. XXV, nr 3
• Strony: 215--217
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys.

Twórcy

autor

Jakubowicz J.

• Institute of Materials Science and Engineering, Poznań University of Technology, Poznań

Bibliografia

• [1] Hamilton B.: Topical Review Porous silicon. Semicond. Sci. Technol., 10(1995) 1187.
• [2] Smith R.L., Collins S.D.: Porous silicon formation mechanism. J. Appl. Phys. 71 (1992) R1-R22.
• [3] Ronkel F., Schultze J.W.: Electrochemical aspects of porous silicon formation. J. Porous Materials 7 (2000) 11-16.
• [4] Lewerenz H.-J., Jungblut H.: Semiconductor Micromachining, vol.1: Fundamental Electrochemistry and Physics, chapter 6: Electrochemical conditioning of silicon: surface analysis and electronic implications. Editors: Campbell S.A., Lewerenz H.-J. J. Willey & Sons Ltd 1998.
• [5] Dittrich T., Rauscher S., Timoshenko V. Yu., Rappich J., Sieber 1., Flietner H., Lewerenz H.-J.: Ultrathin luminescent nanoporous silicon on n-Si: pH dependent preparation in aqueous NttiF solutions. Appl. Phys. Lett., 67 (1995) 1134-1136.
• [6] John G.C., Singh V.A.: Diffusion-induced nucleation model for the formation of porous silicon. Physical Review B 52 (1995) 11125- 11131.
• [7] Flidr J., Huang Y.-C., Newton T.A., Hines M.A.: Extracting site specific reaction rates from steady state surface morphologies: Kinetic Monte Carlo simulations of aqueous Si(111) etching. J. Chem. Phys. 108(1998)5542-5553.
• [8] Jakubowicz J.: Study of surface morphology of electrochemically etched n-Si (111) electrodes at different anodic potentials. Crystal Research and Technology 38 (2003) 313-319.