Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Silane coupling agents. Part IX. Epoxyfunctional carbosilanes
Języki publikacji
Abstrakty
Epoksyfunkcyjne karbosilany stanowią kolejną grupę silanowych środków wiążących, które dzięki swojej budowie, a tym samym właściwościom, znajdują zastosowanie jako czynniki sieciujące, promotory adhezji oraz modyfikatory napełniaczy i powierzchni mineralnych. Przedstawiono metody syntezy, właściwości i charakterystykę, a także główne kierunki zastosowań epoksylunkcyjnych karbosilanów, w szczególności 3-glicydoksypropylotrialkoksysilanów i beta-(3,4-epoksycykloheksylo)etylotrialkoksysilanów. Pierwsze z tych związków są wykorzystywane przede wszystkim w roli silanowych środków wiążących, natomiast drugie jako modyfikatory polimerów. Opracowana przez autorów technologia syntezy 3-glicydoksypropylotrietoksysilanu, oparta na katalitycznym procesie hydrosililowania eteru allilowo-glicydylowego, stanowi podstawę produkcji tego silanu w P.I.W. Unisil w Tarnowie.
Epoxyfunctional carbosilanes are a group of silane coupling agents, which because of their structures and properties are applied as crosslinking agents, adhesion promoters or modifiers of fillers and mineral surfaces. Methods of syntheses [equation (2) and (3)], properties and characteristics as well as main directions of applications of epoxyfunctional carbosilanes, especially 3-glicydoxypropyltrialkoxysilanes [Formula (I)] and beta-(3,4--epoxycyclohexyl)ethyltrialkoxysilanes [Formula (II)] have been presented. The first ones are used mainly as silane coupling agents while the other ones as modifiers of polymers. Technology, developed by authors, of 3-glicydoxypropyltriethoxysilane synthesis basing on catalytic process of allyl-glicydyl ether hydrosilylation is a base of this silane production at the UNISIL Co., Ltd. in Tarnów, Poland.
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
677--683
Opis fizyczny
Bibliogr. 90 poz.
Twórcy
autor
- Uniwersytet im. A. Mickiewicza, Wydział Chemii, ul. Grunwaldzka 6, 60-780 Poznań
autor
- Poznański Park Naukowo Technologiczny Fundacji UAM. Inkubator Technologii Chemicznych, ul. Rubież 46, 61-612 Poznań
autor
- Uniwersytet im. A. Mickiewicza, Wydział Chemii, ul. Grunwaldzka 6, 60-780 Poznań
Bibliografia
- [1] Kroschwitz J. L, Howe-Grant M. (redaktorzy): "Kirk-Othmer Encyclopedia of Chernical Technology", 4 wyd., Wiley, Nowy Jork 1997.
- [2] Pluddemann E. P.: w "Silanes and Other Coupling Agents" (red. Mittal K. L.), VSP, Utrecht 1992, str. 3-19.
- [3] Tesoro J. G., Wu Y.: w [2], str. 215-228.
- [4] Pluddemann E. P.: "Silane Coupling Agents", wydanie 2., Plenum, Nowy Jork 1991.
- [5] Culiński J., Maciejewski H.: Chemik 1998, 5, 119.
- [6] Marciniec B., Culiński J., Mirecki J.: Polimery 1990, 35, 213.
- [7] Marciniec B., Culiński J.: Polimery 1992, 37, 72.
- [8] Marciniec B., Urbaniak W., Maciejewski H.: Polimery 1993, 38, 53.
- [9] Marciniec B., Culiński J.: Polimery 1995, 40, 77.
- [10] Marciniec B., Foltynowicz Z.: Polimery 1995,40, 144.
- [11] Maciejewski H., Guliński J., Marciniec B.: Polimery 1998, 43, 75.
- [12] Urbaniak W., Marcinlec B.: Polimery 1998,43,148.
- [13] Maciejewski H., Culiński J., Marciniec B.: Polimery 1998, 43, 219.
- [14] Materiały reklamowe firm Witco Corp., Shin Etsu, Degussa Huls, Power Chemical Corp.
- [15] Pat. francuski 1 526231 (1968).
- [16] Praca zbiorowa: "Comprehensive Handbook on Hydrosilylation" (red. Marciniec B.), Pergamon, Oxford 1992.
- [17] Oijma I.: w "The Silieon Organic Chemistry" (red. Rappoport Z., Apoeloig Y.), J. Wiley & Sons, Chichester 1998.
- [18] Marciniec B.: Silic. C/mn. 2002, l, 155.
- [19] Marciniec B., Culiński J., Maciejewski H.: w "Encyclopedia of Catalysis" (red. Horvath 1.), J. Wiley & Sous, Nowy Jork 2003.
- [20] Pat. europ. 288286 (1988).
- [21] Pat. niem. 1 937904 (1970).
- [22] Pat. niem. 1 259 887 (1968).
- [23] Pat. europ. 277 023 (1988).
- [24] Pat. jap. 2000128763 (2000).
- [25] Pat. niem. 2 159 991(1973).
- [26] Pat. USA 4 966 981 (1990).
- [27] Pat. USA 5 986 124 (1999).
- [28] Pat. USA 4804768 (1989).
- [29] Pol. zgłosz. pat. 351449 (2001).
- [30] Pat. europ. 262642 (1988).
- [31] Pat. USA 6100408 (2000).
- [32] Pat. USA 4 736 049 (1988).
- [33] Polskie zgłosz. pat. 368 154 (2004).
- [34] Pat. USA 5 155 233 (1992).
- [35] Pat. jap. 2001 055487 (2001).
- [36] Pat. jap. 2001 031 837 (2001).
- [37] Pat. jap. 2001 031 843 (2001).
- [38] Pat. jap. 2001 024005 (2001).
- [39] Pat. jap. 2001031841 (2001).
- [40] Pat. jap. 2002 003 578 (2002).
- [41] Pat. jap. 2002 003 703 (2002).
- [42] Pat. jap. 2000 351 833 (2000).
- [43] Pat. jap. 2002 037 980 (2002).
- [44] Pat. jap. 2001 151 866 (2001).
- [45] Pat. jap. 2001 158851 (2001).
- [46] Pat. jap. 2001 002 755 (2001).
- [47] Pat. jap. 2002 037 983 (2002).
- [48] Pat. europ. 1 176422 (2002).
- [49] Pai. jap. 2001 089654 (2001).
- [50] Pat. jap. 2001 049 185 (2001).
- [51] Pat. jap. 2002 003 813 (2002).
- [52] Zgłosz. pat. USA 2002/0022682 (2002).
- [53] Pat. jap. 2001 049 453 (2001).
- [54] Pat. jap. 2002 035 685 (2002).
- [55] Pat. koreański 38944 (2000).
- [56] Pat jap. 2001 131 475 (2001).
- [57] Pat. jap. 2002 035687 (2002).
- [58] Pat. jap. 2001 002998 (2001).
- [59] Pat. jap. 2001 164195 (2001).
- [60] Pat PCT lnt Appl. WO 0120 058 (2001).
- [61] Pat jap. 2000 343 659 (2000).
- [62J Pat. jap. 2002 059 j19 (2002).
- [63] Pal. jap. 2002 059517 (2002).
- [64] Pat. jap. 2002030167 (2002).
- [65] Pat. jap. 2002 152 084 (2002).
- [66] Pat. jap. 2001 009 973 (2001).
- [67] Pat. jap. 2001 009 974 (2001).
- [68] Pat. jap. 2001 030450 (2001).
- [69] Pat. jap. 2001 009976 (2001).
- [70] Pat. jap. 2001 009975 (2001).
- [71] Pat. jap. 2002 046 209 (2002).
- [72] Pat. jap. 2002 046 208 (2002).
- [73] Hoebbel D., Nacken M., Schmidt H.: J. Sol-Gel s« Technol. 2000, 19, 305.
- [74] Ochi M., Takahashi R., Terauchi A.: Polymer 2001, 42, 5151.
- [75] Li H., Chen Y.,Zhang G., Ruan Ch., Xie Y.: Proc. sPIE - lni. soc. Opt. Eng. 2000, 4086, 725.
- [76] Tomonaga H., Morimoto T.: f. Sol-Gel. Sci. Technol. 2000, 19,681.
- [77] Tomonaga H., Morimoto T.: Thin Solid Fi/ms 2001, 392, 355.
- [78] Innocenzi P., Brusatin G., Guglie1ni M., Signorini R., Meneghetti M., Bozio R., Maggini M., Scorrand G., Prato M.: J. Sol-Gel. Sci. Technol. 2000, 19, 263.
- [79] Pat. jap. 2000 326 440 (2000).
- [80] Park Y. L, Nagai M.: f. Electrochem. soc. 2001, 148, A 616.
- [81] Yamadu K, Haraquchi T., Yamane H., Ide S., Izomura K, Takehara K, Kajiyama Ch.: Kitakyushukogyo Koto Sen mon Gakko Kenkyu Hokoku 2001, 34, 121.
- [82] Pat. chiński 1296044 (2001).
- [83] Pat. jap. 2001040528 (2001).
- [84] Pat. jap. 2001 164 098 (2001).
- [85] Pat. jap. 2002 037 021 (2002).
- [86] Pat jap. 2000319578 (2000).
- [87] Pat. jap. 2001 081 153 (2001).
- [88] Pat. chiński 1 255634 (2000).
- [89] Chen Y., Kang E. T., Neoh KG., Huang W.: Langmuir 2001, 17, 7425.
- [90] Kramer J., Scholten A., Driessen W. L., Reeo1ijk J.: Inorg. Chim. Acta 2001, 315, 183.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPS2-0031-0040