Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
Tytuł artykułu
Autorzy
Treść / Zawartość
Pełne teksty:
Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
Abstrakty
The paper is devoted to optimization of SiGe-base HBT with respect to operation speed by means of numerical simulation. The influence of design parameters on f(T) is studied.
Słowa kluczowe
Rocznik
Tom
Strony
36--38
Opis fizyczny
Bibliogr. 3 poz., rys.
Twórcy
autor
- Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology, Koszykowa st 75, 00-662 Warsaw
autor
- Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology, Koszykowa st 75, 00-662 Warsaw
autor
- Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology, Koszykowa st 75, 00-662 Warsaw
Bibliografia
- [1] "APSYS user's manual, version 3.6", Crosslight Software Inc., Gloucester, Canada, 2000.
- [2] V. Palankovski and S. Selberherr, "Critical modeling issues of SiGe semicondutor devices", J. Telecommun. Inform. Technol., no. 1, pp. 15-25, 2004.
- [3] J. S. Rieh, B. Jagannathan, H. Chen, K. T. Schonenberg, D. Angell, A. Chinthakindi, J. Florkey, F. Golan, D. Greenberg, S. J. Jeng, M. Khater, F. Pagette, C. Schnabel, P. Smith, A. Stricker, K. Vaed, R. Volant, D. Ahlgren, G. Freeman, K. Stein, and S. Subbanna, "SiGe HBTs with cut-off frequency of 350 GHz", IEDM Tech. Dig., 2002.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPS2-0027-0033