Uwarunkowania technologiczne warystorów tlenkowych

Mielcarek, W

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Uwarunkowania technologiczne warystorów tlenkowych

Autorzy

Mielcarek W

Treść / Zawartość

Pełne teksty:

Pobierz

Identyfikatory

Warianty tytułu

The essence of knowing-how in varistor technology

Języki publikacji

Abstrakty

W pracy na tle literatury i badań własnych przedstawiono zagadnienia związane z technologią wytwarzania dominujących obecnie warystorów tlenkowych. Celem przeprowadzonych badań było określenie warunków uzyskiwania warystorów o powtarzalnych i stabilnych charakterystykach przy zminimalizowanej ilości dodatków - tlenków bizmutu i antymonu. Warystory - rezystory o rezystancji zmieniającej się w zależności od przyłożonego napięcia, znajdują zastosowanie w układach ochrony przed przepięciowej praktycznie w pełnym zakresie napięć i prądów. Podstawowym elementem budowy warystora tlenkowego są ziarna tlenku cynku rozdzielone warstwą tlenku bizmutu zapewniającej powstanie bariery potencjałowej. Na konieczność podjęcia tych prac wskazywało pojawienie się w wytworzonych partiach warystorów podgrupy elementów o znacznie gorszych charakterystykach oraz pogarszanie się parametrów warystorów w zakresie prądów upływu (punkt pracy) w wyniku chwilowego wzrostu temperatury. Warystory te wytworzono z surowców technicznych stosowanych zwykle w procesie produkcyjnym. Jak wykazały badania mikrostruktury oraz przesłanki literaturowe, wady te były spowodowane niejednorodnością rozmiarów ziaren tlenku cynku i występowaniem obszarów fazy bogatej w tlenek bizmutu. Niejednorodności te w przypadku występowania zmian temperatury powodowały powstawanie lokalnych naprężeń i pogarszanie się właściwości elektrycznych. W celu określenia warunków i mechanizmów wzrostu ziaren tlenku cynku w trakcie spiekania warystora wykonano analizy morfologii ziaren ZnO otrzymanego z rozkładu octanu cynku i metodą spray-pyhyrolisis. Analizy morfologii ziaren wykonano przy pomocy mikroskopów elektronowych - transmisyjnego, skaningowego i optycznego. Pomiary składu fazowego i wielkości krystalitów wykonano metodami rentgenografii proszkowej. Przeprowadzone badania wykazały, że tlenek cynku początkowo krystalizuje w formie igieł, które w temperaturach 600-700°C przyjmują korzystne obłe formy. Tlenek cynku otrzymywany metodą spray-pyrolisis przyjmuje obłe formy już w niższych temperaturach. Na podstawie uzyskanych danych oceniono właściwości różnych frakcji tlenku cynku: uzyskanego metodą przemysłową (spalania par metalu) oraz tlenku reaktywnego o ziarnach zawierających znaczną ilość mikroporów. Najlepsze wyniki uzyskano dla frakcji o jednorodnych mikronowych ziarnach. Warystory wykonane z tej frakcji wykazywały odporność na zmiany temperatury. Warystory wykonane z tlenku aktywnego charakteryzowały drobne ziarna i wysokie napięcia pracy. Zahamowanie wzrostu ziaren było tu spowodowane występowaniem mikroporów wewnątrz ziaren, podobnie jak w przypadku aglomeratów zbudowanych z małych ziaren dla tlenku otrzymywanego metodą spalania par cynku. Tak więc tlenek stosowany w warystorach powinien mieć jednorodne mikronowe ziarna pozbawione mikroporów i aglomeratów. Drugim znaczącym składnikiem warystora jest tlenek bizmutu. Występuje on w szeregu odmianach polimorficznych, których występowanie potwierdzono w warystorze. Jednak istotne znaczenie w formowaniu granicy ziaren ma amorficzna nanometrowa lub atomowa warstwa tlenku bizmutu. Tlenek krystalizujący w większych mikronowych obszarach w trakcie wygrzewania stabilizującego elektryczne właściwości warystora ulega przemianie polimorficznej ß›?. Mniejsza przewodność jonów tlenu przez odmianę ? w porównaniu do odmian ß czy ? ma zapobiegać migracji jonów tlenu z obszaru złącza i obniżaniu się międzyziarnowej bariery potencjałowej. Mniejszą przewodność odmiany ? potwierdzono badaniami własnymi dla tlenku cynku (który jest również dobrym przewodnikiem jonów tlenu) domieszkowanego tlenkiem bizmutu oraz dla masy warystorowej. Wywołany wygrzewaniem spadek przewodności (około dwukrotny) jest zbyt mały aby wyjaśnić znaczące zahamowanie procesu degradacji. Wygrzewanie to powoduje również znaczne zmniejszenie współczynników nieliniowości w zakresie niskoprądowym , przypuszczalnie związane z naprężeniami wywołanymi przez przemianę polimorficzną. Zahamowanie procesu degradacji może być spowodowane relaksacją naprężeń i/lub., jak podaje literatura, poprzez eliminację mobilnych międzywęzłowych jonów cynku ze strefy zubożonej obszaru złącza. Najlepsze rezultaty uzyskano stosując wygrzewanie w tlenie pod zwiększonym ciśnieniem, wzbogacające w tlen granice ziaren, a zarazem eliminujące jony między-węzłowe. Poza czynnikami związanymi z przemianami polimorficznymi czy oddziaływaniem międzywęzłowych jonów cynku, na degradację mogą mieć wpływ inne dodatki. Dobre rezultaty daje zastosowanie fryty szklanej dodawanej do masy warystyrowej. Stwierdzono też, że dodatek tlenku kobaltu znakomicie zwiększający współczynniki nieliniowości, powoduje również zahamowanie procesu degradacji. Inne dodatki jak tlenek manganu nie tworzący własnych faz krystalicznych przyśpiesza reakcje pirochlorku Bi2((Zn4/3Sb2/3)O6 z ZnO i uwolnieniu tlenku bizmutu co stwierdzono na podstawie analizy reakcji w układzie ZnO-Bi2O3-Sb2O3-MnO2. Dodatkiem oddziaływującym w zróżnicowany sposób jest tlenek antymonu. Powoduje on zahamowanie wzrostu ziaren, poprawia współczynnik nieliniowości i ukierunkowuje reakcje chemiczne w warystorze tworząc pirochlorek. Wzorując się na tej reakcji wykonano warystory oparte o tlenek tytanowo-bizmutowy o niższych napięciach warystorowych i większych ziarnach. Radykalną poprawę struktury warystora uzyskano jednak stosując tlenek barowo-bizmutowy BaBiO2,77 i jako reagent TiO2. Znaczne rozproszenie reagenta (w poprzednich przypadkach był to tlenek cynku - główny składnik warystora) i poprawy zwilżalności granic ziaren umożliwiły wielokrotne zmniejszenie ilości dodawanego tlenku bizmutu i antymonu przy zachowaniu wysokich współczynników nieliniowości. Warystory te charakteryzuje odporność na procesy degradacji nawet bez stosowania dodatkowego wygrzewania. Zmniejszenie ilości antymonu i bizmutu powoduje eliminację obszarów wyłączonych z przewodzenia prądu - spinelu antymonowo-cynkowego i obszarów bogatych w tlenek bizmutu. Zastosowanie tlenku barowo-bizmutowego z tlenkiem tytanu zamiast tlenku bizmutu i antymonu oraz tlenku cynku o jednorodnych mikronowych ziarnach umożliwia uzyskanie warystora o wysokich parametrach eksploatacyjnych przy obniżonych kosztach wytwarzania.

The research was aimed at clarifying the essence of metal oxide varistors (MOV) technology. The necessity of undertaking this challenge was dictated by the troubles with processing of commercial varistors with satisfying properties. The other prompt to this research was given by deterioration of varistor properties during varistor operation. Efforts fructified in development of varistors maintaining excellent electrical properties at reduced rate of dopants. Varistor samples, laboratory made for the necessity of this work were based on typically used in commercial varistors, technically pure row materials. Varistors being resistors with variable (depending on applied voltage) resistivity are widely used for protection of electrical devices against voltage surges. The electrical properties of varistors are controlled by charge and defect profile of ZnO grain boundaries. As it was anticipated from literature data and confirmed experimentally by author, the main varistor faults are effected by non-homogeneity of ZnO grains and Bi2O3 intergranular layers. Non-homogeneity of the sizes of ZnO grains and the width of Bi2O3 leads, during passing of the current, to the local overheatings and deterioration of varistor electrical properties. Morphology of varistors was examined by scanning, optical and electron transmittance microscopy. The process of ZnO grain growth during sintering was watched and compared in varistor samples made of ZnO powders sensitized by different methods. X-ray powder diffractometer was used for measurements of crystal phases and crystallite sizes. The carried out examination revealed that at the beginning ZnO crystallizes in the form of needles and at 600-700oC it transforms into desirable oval shape. ZnO synthesized by spray-pyrolysis method shapes in oval at lower temperatures. The comparison of two different commercially available ZnO powders: so called "active" one with large specific area BET and the one synthesized by combustion of Zn vapors led author to conclusion that ZnO suitable for varistor application is to be characterized by equal in size micronous ZnO grains without pores and agglomerates. The other meaningful component of varistor is Bi2O3. The presence of monomolecular layer of Bi2O3, separating ZnO grains, is essential for development of varistors property in ZnO ceramics. Bi2O3 has several crystal forms and ?, ß, ? and ? are deducible in varistors. Bi2O3 crystal phases differ in structure and properties. During stabilizing heating of varistors the ß - Bi2O3 transforms to ? - Bi2O3. This transformation benefits the varistor with the lower oxygen ion conductivity retarding the migration of oxygen ions from ZnO grain boundaries. The lower oxygen conductivity of ? phase was confirmed experimentally by author in both ZnO-Bi2O3 systems and in varistor samples. But even twice as much diminishment of Bi2O3 oxygen conductivity does not account for retarding varistor suitability for degradation as much as it takes place. It was anticipated by author that because ß to ? transformation is accompanied with stresses, during additional heating strain relaxation must and occurs (lower nonlinearity coefficient ? is the prove). The process of relaxation is opposite to degradation. Author's studies on varistor degradation led him to the conclusion that the best hindering of degradation is achievable by heating of varistors under higher pressure in oxygen atmosphere. The other approach how to hinder varistor degradation worked out by author consisted in adding varistor ceramics with glass frit. Author's experimentally confirmed discovery that cobalt dopant, remarkably enhancing ? coefficients is is also the essential factor in hindering varistor degradation. Author's study on role of Mn dopant ended in conclusion that Mn advances the pirochlore reaction with ZnO, delivering the additional amount of Bi2O3 liquid at lower sintering temperature. The role of Sb in ZnO varistor ceramics is rather complicated. It acts mainly as ZnO grain retardant and as a precursor of pirochlore phase, it is a promoter of varistor property in ZnO ceramics. Assuming similarity between Sb and Ti behavior, a new technology of varistors doped with titan-bismuth oxide was developed by author. Varistors processed according to this technology are characterized by lower (due to larger ZnO grains) characteristic voltage in comparison with the ones doped with Sb. Anyway, the fundamental improvement of homogenuity of varistor structure and electrical properties at the same time was achieved with development by author the technology of varistors doped with BaBiO2,77 and TiO2. The Bi2O3 phase in varistors made with this technology has much better uniformity of dispersion, for the Bi2O3 phase in this system is formed due to reaction of pirochlore phase with TiO2 instead of ZnO, as it takes place in standard varistor technology. Varistors made with this technology acquire the excellent electrical properties at reduced rate of dopants, due to better wettability of ZnO grain boundaries in this system.

Słowa kluczowe

warystory tlenkowe

Wydawca

Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki

Czasopismo

Prace Instytutu Elektrotechniki

Rocznik

2002

Tom

Z. 212

Strony

1--125

Opis fizyczny

Bibliogr. 286 poz., tab., rys.

Twórcy

autor

Mielcarek W

Instytut Elektrotechniki Oddział we Wrocławiu, Zakład Materiałoznawstwa - Pracownia Badań Strukturalnych

Bibliografia

1. Abrahams S.C., Bernstein I.L.: Remeasurement of the structure of heksagonal ZnO. Acta Crystall. B 29 (1963) p. 4306
2. Akbar M., Ahmad M.: Failure study of metal-oxide surge arresters. Electr. Pow. Syst. Res. 50 [2] (1999) p. 79-82
3. Alles A.B., Burdick V.L.: The effect of liquid-phase sintering on the properties of Pr6O11-based ZnO varistos. J. Appl. Phys. Lett. 70 [11] (1991) p. 6883-90
4. Alles A.B., Puskas R., Callahan G., Burdick V.L.: Compositional effects on the liquid-phase sintering of praseodymium oxide-based zinc oxide varistors. J. Am. Ceram. Soc. 76 [8] (1993) p. 2098-102
5. Al-Tounusi A., Puyane R., Hashmi M.S.J.: Rate-controlled shrinkage of ZnO varistors. J. Mater. Process. Tech. 56 [1-4] (1996) p. 891-96
6. Audebrand N., Auffrédic J-P., Louër D.: X-ray diffraction study of the early stages of the growth of nanoscale zinc oxide crystallites obtained from thermal decomposition of four precursors. General concepts on precursor-dependent microstructural properties. Chem. Mater. 10 (1998) p. 2450-61
7. Auffrédic J.P., Boultif A., Langford J.I., Louer D.: Early stages of crystallite growth of ZnO obtained from an oxalate precursor. J. Am.Ceram Soc. 78 [2] (1995) p. 323-28
8. Aurivillius B., Malmros G.: Crystal structure of β-Bi2O3.Trans. Roy. Inst. Techn. Stockholm 291 (1972) p. 3
9. Aurivillius B., Sillen L.G.: The structure of γ-Bi2O3 Nature 155 (1945) p. 305-6
10. Babtista J.L., Mantas P.Q.: High temperature characterization of electrical barriers in ZnO varistors. J. Electroceram. 4 [1] (2000) p. 215-224
11. Bae I-J., Baik S.: Abnormal grain growth of aluminia. J. Am. Ceram Soc. 80 [5] (1997) p. 1149-56
12. Bai S.-N., Tseng T.-Y.: Degradation phenomena due to impulse-current in zinc oxide varistors. J. Am. Ceram. Soc. 78 [10] (1995) p. 2685-89
13. Barsoum M.W., Elkind A.: Low breakdown voltage varistors by grain boundary diffusion of molten Bi2O3 in ZnO. J. Am. Ceram. Soc. 79 [4] (1996) p. 962-66
14. Bather K.H., Hinz D., Mattern N., Bitterlich M., Bruckner W.: Spinel phases in ZnO varistors. Phys. State Solid (A) 61 (1980) K9-12
15. Benson W.E., Wert J.A.: The effect of initial grain size distribution on abnormal grain growth in single–phase materials. Acta Mater. 46 [15] (1998) p.5323-33
16. Bernasconi J., Strassler S., Knecht B., Klein H. P., Menth A.: Zinc oxide based varistor. A possible mechanism. Solid State Commun. 21 (1977) p. 867-70
17. Bernik S., Zupanc P., Colar D. Influence of Bi2O3/TiO2, Sb2O3 and Cr2O3 doping on lowvoltage varistor ceramics J. Eur. Ceram. Soc. 19 [6-7] (1999) p. 709-39
18. Binks D.J., Grimes R.W.: Incorporation of monovalent ions in ZnO and their influence on varistor degradation. J. Am. Ceram. Soc. 76 [9] (1993) p .2370-72
19. Bim I.: Grain growth of UO2-Al2O3 in the presence of liquid phase. J. Am. Ceram Soc. 51 [7] (1968) p. 373-76
20. Blatter G., Greuter F.: Carrier transport through grain boundaries in semiconductors. Phys. Rev. B 33 (1986) p. 3952-66
21. Boggs S., Andoh H.: A statistical approach to prediction of ZnO arrester element characteristics. IEEE T. Power Delivery 16 [4] 2001 p. 604-10
22. Brown E. H.: Zinc oxide: properties and applications. New York: Pergamon Press (1976) p. 112
23. Bucki J.J.: Odtwarzanie rozkładu objętości ziarn metodą symulacji geometrii kryształu. Inż. Mater. [6] (1996) s. 186-90
24. Castro M. S, Nunez G. M, Resaco D. E, Aldao C. M.: Prebreakdown conduction in ZnO varistors. J. Am. Ceram. Soc. 75 [4] (1992) p. 800-4
25. Castro M.S, Aldao C.M.: Prebreakdown conduction in zinc oxide varistors: Thermionic or tunnel currents and one-step or two-step conduction processes. Appl. Phys. Lett. 63 [8] (1993) p. 1077-79
26. Castro M.S, Aldao C.M.: Different degradation processes in ZnO varistors. Ceram. Intern. 22 [1] (1996) p. 39-43
27. Cerva H., Russwurm W.: Microstucture and crystal structure of bismuth oxide phases in zinc oxide varistor ceramics: J. Am. Ceram. Soc. 71 [7] (1988) p. 522-30
28. Chen Y-C., Shen C-Y., Wu L.: Grain growth processes in ZnO varistors with various valence states of manganese and cobalt. J. Appl. Phys. 69 [12] (1991) p.8363-67
29. Chiang Y-M., Kingery W.D, Levinson L.M.: Compositional changes adjacent to grain boundaries during electrical degradation of a ZnO varistor. J. Appl. Phys. 53 [3] (1982) p.1765-69
30. Chiou B.S., Chung M.Ch.: Effect of copper additive on the microstructure and electrical properties of polycrystalline zinc oxide. J. Am. Ceram. Soc. 75 [12] (1992) p. 3363-68
31. Chiou B.S., T-C. Chen J-G. Duh: A ZnO varistor derived from metal oxide diffusion. J. Phys. D: Appl. Phys. 22 (1989) p. 844-847
32. Chu M-Y., De Jonghe L-C., Lin M. K. Lin F.J.: Precoarsening to improve microstructure and sintering of powder compacts. J. Am. Ceram. Soc. 74 [11] (1991) p. 2902-11
33. Clarke R.: Grain-boundary segregation in a commercial ZnO-based varistor. J. Appl.Phys. 50 [11] (1979) p. 6829-32
34. Coa M., Takata D.,Tsubone H.,Yanagida: Dependence of electrical conductivity of ZnO on degree of sintering. J. Am. Ceram. Soc. 59 [1-2] (1976) p. 4-8
35. Craig D.C., Stephenson N.C.: Structure studies of some body-centred cubic phases of mixed oxides involving Bi2O3: The structures of Bi25FeO40 and Bi38ZnO60: J. Solid State Chem. 15 (1975) p. 1-8
36. Crayenest F.V., Maenhout W.,Vorst V., Dekeyser W.: Interpretation of the yellow colour of heat treated ZnO powder. Phys. State. Solid 8 (1965) p. 841-46
37. Cymbrykiewicz Z., Mielcarek W.: Doskonalenie technologii i optymalizacja własności warystorów do odgromników WN. . Dokumentacja Techniczna. Instytut Elektrotechniki Oddział Wrocław 1988
38. Cymbrykiewicz Z., Mielcarek W.: Doskonalenie technologii warystorów celem uzyskania jednorodności i zmniejszenia degradacji. Dokumentacja Techniczna. Instytut Elektrotechniki Oddział Wrocław 1989, 24 s.
39. Cymbrykiewicz Z., Mielcarek W.: Odgromniki o warystorach z tlenku cynku. Dobór składu chemicznego masy na warystory do odgromników. Dokumentacja Techniczna. Instytut Elektrotechniki Oddział Wrocław 1979, 35 s.
40. Cymbrykiewicz Z., Mielcarek W.: Opracowanie technologii produkcji w skali laboratoryjnej warystorów z ZnO do odgromników. Dokumentacja Techniczna. Instytut Elektrotechniki Oddział Wrocław 1981
41. Cymbrykiewicz Z., Mielcarek W.: Optymalizacja technologii warystorów do odgromników WN. Dokumentacja Techniczna. Instytut Elektrotechniki Oddział Wrocław 1987
42. Cymbrykiewicz Z., Mielcarek W.: Procesy i reakcje zachodzące podczas spiekania warystora. Prz. Elektrotech. 69. [9] (1993) s. 177-79
43. Cymbrykiewicz Z., Mielcarek W.: Technologia produkcji warystorów do odgromników WN. Dokumentacja Techniczna. Instytut Elektrotechniki Oddział Wrocław 1986, 30 s.
44. Cymbrykiewicz Z., Mielcarek W.: Technologia produkcji warystorów do odgromników WN. Technologia w skali laboratoryjnej warystorów z ZnO z dodatkami Al, B i Ba i pokryciem izolacyjnym powierzchni bocznych. Dokumentacja Techniczna. Instytut Elektrotechniki Oddział Wrocław 1985
45. Date S.K., Santhosh P.N., Kharat D.K: Effect of strontium substitution in (Nb, Bi) doped TiO2 varistors. Mater. Lett. 28 [1-3] (1996) p.37-41
46. Delaney R.A., Kaiser H.D.: Pollycrystalline zinc oxide dielectrics. J. Electrochem. Soc. Solid State Sci. 114 [8] (1967) p. 833-42
47. Dereń J., Haber J., Pampuch R.: Chemia ciała stałego. Warszawa: PWN 1977
48. Dey D,. Bradt R.C.: Grain growth of ZnO during Bi2O3 liquid phase sintering. J. Am. Ceram. Soc. 75 [9] (1992) p. 2559-34.
49. Dey S.K., LaCourse W.C.: Varistor like behavior in As-Sb-Se glass ceramics. Phys. Chem. Glass 28 [2] (1987) p. 59-62
50. Dziedzic A., Golonka L., Mielcarek W.: New configuration of LTCC passive components, 12 th European & Packaging Conference IMAPS, 7-9.06.(1999), s. 3-9
51. Eda K.: Conduction mechanism of non-ohmic zinc oxide ceramics. J. Appl. Phys. 49 [5] (1978) p. 2964-72
52. Eda K.: Electrical properties of ZnO-Bi2O3 metal oxide heterojunction-A clue of a role of intergranular layers in ZnO varistors. In: Grain boundaries in semiconductors. Materials Research Society Symposia Proceedings. Ed. Pike G.E., Seager C.H, Leamy H.J. New York; Amsterdam: Elsevier 1982 p. 381-92
53. Eda K.: Zinc oxide varistors. IEEE Electr. Insul. Mag. 5 [6] (1989) p. 28-41
54. Eda K., Iga A., Matsuoka M.: Degradation mechanism in non-ohmic ZnO ceramics. J. Appl. Phys. 51 [5] (1980) p. 2678
55. Eda K., Matsuoka M.: Thermally stimulated current in non-ohmic ZnO ceramics. Jpn. J Appl. Phys. 16 [1] (1977) p. 195-96
56. Elfwing M., Osterlund R., Olsson E.: Differences in wetting characteristics of Bi2O3 polymorphs in ZnO varistors materials. J. Am. Ceram. Soc. 83 [9] (2000) p.2311-14
57. Einzinger R.: Mikrokontaktmessungen an ZnO Varistoren. Ber. Dtsch. Keram. Ges. 52 [7] 1975 s.244-46
58. Einzinger R.: Metal-oxide varistor action – a homojunction breakdown mechanism. Appl. Surf. Sci. vol. 1 (3) (1978) 329-40
59. Emtage P.R.: The physics of zinc oxide varistors. J. Appl. Phys. 48 [10] (1977) p. 4372-83
60. Ezhilvalavan S., Kutty T.R.: Low-voltage varistors based on zinc antimony spinel Zn7Sb2O12. Appl. Phys. Lett. 68 [19] (1996) p. 2693-95
61. Ezhivalavan S., Kutty T.R.: Effect of antimony oxide stochiometry on the nonlinearity of zinc oxide varistor ceramics. Mater. Chem. Phys. 49 [3] (1997) p. 258-69
62. Fujiwara Y., Shibuya Y., Imataki M., Nitta T.: Evaluation of surge degradation of metal oxide surge arrester. IEEE Trans. Power App. PAS 101 [4] (1982) p. 978-85
63. Fukui T., Obuchi T., Ikuchara Y., Ohara S., Kodera K.: Synthesis of (La,Sr)MnO3 –YSZ composite particles by spray pyrolisis. J. Am Ceram. Soc. 80 [1] (1997) p.261-63
64. Gattow G., Schutze D.: Uberein Wismut (III)-oxid mit Hoherem Sauerstoff-gehalt (Modification). Z. F. anorg. U all. Chem. 328 (1964) p. 44-67
65. Gracia-Belmonte G., Bisquert J., Fabregat-Santiago F.: Effect of trap density on the dielectric response of varistor ceramics. Solid State Electron. 43 [12] (1999) p.2123-27
66. Graciet M., Salomon R., Le Felem G., Hagenmuller P., Buchy F.: Physico-chemical properties and conduction mechanisms in ZnO based ceramic varistors. Nouv. J. de Chem. 4 [1] (1980) p. 29-33
67. Gubański A., Mielcarek W., Paściak G.: Pomiary prądów TSD warystora. W: Postępy w elektrotechnologi. Materiały konferencyjne. Szklarska Poręba, 14-16 września 1994 Instytut Elektrotechniki Oddział Wrocław, PWroc., Polski Komitet Materiałów Elektrotechnicznych SEP. [B.m.: b.w. 1994] s. 323-26
68. Gualtieri A.F., Immovilli S., Prudenziati M.: Powder X-ray diffraction data for the new polymorphic compound - Bi2O3 Powder Diffr. 2 [20] (1997) p. 90-2
69. Gupta T.K.: Application of zinc oxide varistors. J. Am. Ceram. Soc. 73 [7] (1990) p.1817-40
70. Gupta T.K.: Possible correlation between density and grain size during sintering. J. Am. Ceram. Soc. 55 [5] (1972) p.276-77
71. Gupta T.K., Carlson W. G.: Barrier voltage and its effect on stability of ZnO varistor. J. Appl. Phys. 53 [11] (1982) p.7401-9
72. Gupta T. K. Carlson W.G.: A grain-boundary defect model for instability/stability of a ZnO varistor. J. Mater. Sci. 20 [10] (1985) p.3487-500
73. Gupta T.K., Carlson W. G., Hower P.L.: Current instability phenomena in ZnO varistors under continuos ac stress. J. Appl. Phys. 52 [6] (1981) p. 4104-11
74. Gupta T.K., Colbe R.L.: Sintering of ZnO. I: Densification and grain growth. J. Am. Ceram. Soc. 51 [9] (1968) p. 521-25
75. Gupta T.K., Colbe R.L.: Sintering of ZnO. II: Density decrease and pore growth during the final stage of the process. J.Am.Ceram. Soc. 51 [9] (1968) p. 525-28
76. Gupta T.K., Miller A.C.: Improved stability of the ZnO varistor via donor and acceptor doping at the grain boundary. J. Mater. Res. 3 [4] (1988) p. 745-54
77. Gupta T.K., Straub W.D.: Effect annealing on the ac leakage components of the ZnO varistor. I. Resistive current. J. Appl. Phys. 68 [2] (1990) p. 845-50
78. Haile S.M., Johnson D.W., Wiseman G.H., Bowen H.K.: Aqueous precipitation of spherical zinc oxide powders for varistor applications. J. Am. Ceram. Soc. 72 [10] (1989) p. 2004-8
79. Halls D.C. Leach C.: Processing-inducted resistive barriers in ZnO varistor material.J. Mater. Sci. 30 (1995) p.2733-37
80. Han J-H., Kim D-Y.: Fabrication of dense ZnO-varistors by atmosphere sintering. J. Eur. Ceram. Soc. 18 [7] (1998) p. 765-70
81. Han J-H., Lee D-H., Kim D-Y.: Fabrication of low-voltage ZnO varistors by a two-step process. J. Eur. Ceram. Soc. 15 [4] (1995) p. 371-75
82. Han J., Mantas P.Q., Senos A.M.R.: Grain growth in Mn-doped ZnO. J. Eur. Ceram. 20 [16] (2000) p. 845-50
83. Harvig H. A., Weenk J. V.: Phase relations in bismuthsesquioxide. Z .Anorg. Allg. Chem 444 (1978) p. 167-77
84. Hashimoto S., Yamaguchi A.: Growth of morphology and mechanism of a hollow ZnO polycrystal. J. Am. Ceram.Soc. 79 [4] (1996) p. 1121-23
85. Hayashi M., Haba M, Hirano S., Okamoto H., Watanabe M.: Degradation mechanism of zinc oxide varistors under dc bias. J. Appl. Phys. 53 [8] (1982) p.5754-62
86. Heywang W.: Barium titanat als Sperfsichthalbleiter. Solid State Electron. 3 [1] (1961) p.51-58
87. Heywang W.: Resistivity anomaly in doped barium titanate. J. Am. Ceram. Soc. 47 [10] (1964) p. 484-90
88. Hing H.H., Knowles K.M.: Characterization of Zn3(VO4)2 phases in V2O5-doped ZnO varistors. J. Eur. Ceram. Soc. 19 [6-7] (1999) p. 721-30
89. Hingorani S., Pillati V., Kumar P., Multani M.S., Shah D.O.:Microemulsion mediated synthesis of zinc-oxide nanoparticles for varistor studies. Mater. Res. Bull. 28 (1993) p. 1303-10
90. Hodakowskij I.L., Elkin A.E.: Eksperimientalnoje opredelenije rastworimosti cinkita w wodie i wodnyh rastworah NaOH pri temperaturach 100, 150 i 200 C. Geohimia 10 (1975) s. 1490-97
91. Hohenberger G., Tomandl G., Ebert R., Taube T.: Inhomogeus conductivity in varistor ceramics methods of investigation. J. Am. Ceram. Soc. 74 [9] (1991) p. 2067-72
92. Horio N., Hiramatsu M., Nawata M., Imaeda K., Torii T.: Preparation of zinc oxide/metal oxide multilayered thin films for low-voltage varistors. Vaccum 51 [4] (1998) p. 719-22
93. Hover P.L., Gupta T.K: A barrier model for ZnO varistors. J. Apll. Phys. 50 (1979) p. 4847-83
94. Hozer L.: Półprzewodnikowe materiały ceramiczne z aktywnymi granicami ziaren. Warszawa: PWN 1990
95. Huda M.D. Puyane R., El Baradie M.A., Hashmi M.S.J.: Failure modeling for ZnO varistors. J. Mater. Process. 77 [3-5] (1998) p. 273-77
96. Hui-Quing S., Xiang-Hong G., Ze-Chun C.: Effect of annealing on phase structure and degradationof a zinc oxide varistor with Si-additive. J. Eur. Ceram. Soc. 17 [1] (1997) p. 55-9
97. Hwang J.H., Manson T.O., Dravid V.P.: Microanalitical detrmination of ZnO solidus and liquidus boundaries in the ZnO-Bi2O3 system. J. Am. Ceram. Soc. 77 [6](1994) p. 1499-504
98. Iga A., Matsuoka M., Masuyama T.: Effect of phase transition of intergranular Bi2O3 layer in nonohmig ZnO ceramics. Jpn. J. Appl. Phys. 15 [6] (1976) p. 1161-62
99. Iga A., Matsuoka M., Masuyama T.: Effect of heat-treatment on current creep phenomena in nonohmic zinc oxide ceramics. Jpn. J. Appl. Phys. 15 [9] (1976) p. 1847-50
100. Inada M.: Crystal phases of nonohmic zinc oxide ceramics. Jpn. J. Appl. Phys. 17 [1] (1978) p. 1-10
101. Inada M.: Formation mechanism of nonohmic zinc oxide ceramics. Jpn. J. Appl. Phys. 19 [3] (1980) p. 409-19
102. Inada M.: Microstructure of nonohmic zinc oxide ceramics. Jpn. J. Appl. Phys. 17 [4 (1978) p. 673-77
103. Ivers-Tiffee E., Seitz K.: Characterization of varistor-type raw materials prepared by the evaporative decomposition of solutions technique. Am. Ceram. Soc. Bull. 66 [9] (1987) p. 1384-88
104. Kenkre V.M.,. Endicott M.R.: A theoretical model for compaction of granular materials. J. Am. Ceram. Soc. 79 [12] (1996) p. 3045-54
105. Kim J., .Kimura T. Yamaguchi T.: Effect of of bismuth oxide content on the sintering of zinc oxide. J. Am. Ceram. Soc. 72 [8] (1989) p. 1541-44
106. Kim M-S., Oh H-H., Kim Ch.K.: Role of the hole diffusion current on the theory of conduction in ZnO varistor. Jpn J. Appl. Phys. 30 [11 B] (1991) p. 1917-20
107. Kimura T., .Kajiyama H., Kim J., Yamaguchi T.: Effect of inclusion size on the densification of ZnO-Zn7Sb2O12. J. Am. Ceram. Soc. 72 [1] (1989) p. 140-41
108. Kingery W.D., E. Niki M.D.: Sintering of oxide and carbide-metal compositions in presence of a liquid phase. J. Am. Ceram Soc. 44 [1] (1961) p. 29-35
109. Kingery W.D., Vander Sande J.B., Mitamura T: A scaning transmision electron microscopy investigation of grain-buondary segregation in a ZnO-Bi2O3 varistor. J. Am. Ceram. Soc. 62 [3-4] (1979) p. 221-22
110. Kobayashi K.I., O.Wada M. Kobayashi Y. Takada: Continuous eixistence of bismuth at grain boundaries of zinc oxide varistor without intergranular phase. J. Am. Ceram. Soc. 81 [8] (1998) p. 2071-76
111. Kodaira K, Matsushita T., Saito J.: Vapor growth of ZnO needle crystals. Chem. Lett. (1975) p. 589-90
112. Kojdecki M. A., Mielcarek W.: Dependence of size and shapes of crystallites in zine oxide powder on annealing temperature. Mater. Sci. Forum 321-324 (2000) p. 1040-45
113. Kojdecki M.A., Mielcarek W.: Struktura krystaliczna proszku tlenku cynku. XXXV Konwersatorium Krystalograficzne. 29-30.06.1993. Wrocław: Instytut Niskich Temperatur PAN 1993, s.107
114. Kojdecki M.A., Mielcarek W.: Crystalline microstructure of zinc oxide powder produced by spray pyrolysis. W: XVIII Conference on Applied Crystallography. Proceeding. Wisła 4-7.09.2000, s p 225-8
115. Kosman M.S., Gesse J.A.: Dielektriczeskaja pronikajemost okisi cinka s primiestju okisi bismuta. Izvest. Akad. Nauk S.S.R. Ser. Fiz. 22 [3] (1958) s. 315-18
116. Kosman M.S., Petcsold E.G.: O wozmoznosti izgotowlenija simietriczeskich varistorov iz okisi cinka c primiestju okosi bizmuta. Uczonyje zapiski LGPT im. A.I. Gercena 207 (1961) s. 191-96
117. Kosova.W., Kitvickij W.A., Skorinkov W.M., Ustalova O.N., Korigina T.I.: Fazovaja diagrama sistiemy Bi2O3. Neorg. Mater. 12 [3] (1976) p.466-70
118. Krajczyk L., Mielcarek W., Paściak G.: Krystality ZnO i rozkład ich wielkości. W: XXXVIII Konwersatorium Krystalograficzne. Wrocław, 27-28.06.1996
119. Krajczyk L., Mielcarek W., Paściak G.: Zinc oxide grains and crystallites originated due to thermal decomposition of zinc acetate. W: Proceedings of the 20th Conference of ISHM. International Society for Hybrid Microelectronics Poland Chapter. Jurata, September 15-18, 1996. Wrocław 1997, s. 185-87
120. Krasevec V., Tronteij M., Golic L.: Transmision electron microscope study of antimonydoped zinc oxide ceramics. J. Am. Ceram. Soc. 74 [4] (1991) p. 760-66
121. Kröger F.A.: The chemistry of imperfect crystals. 2nd ed. Amsterdam: NorthHolland/American Elsevier 1964
122. Krsge J.S., Sakshaug E.C., Fishman H., Ellis H.F: A history of the development of metal oxde technology at GE for utility system surge arresters. In: Advances in varistor technology. Ed. Lionel L., Levinson L.M. 2nd International Varistor Conference (Schenectady N.Y., 1988). Vol. 3. Ceramic transactions. Westervile, Ohio Am. Ceram. Soc. 1989 p.207-17
123. Krstanovic I.R.,Radakovic A.A., Ristic M.M.: Incorporation of Bi-Ion in CdO and ZnO lattice.In: Advances in varistor technology. Ed. Lionel L., Levinson L.M. 2nd International Varistor Conference (Schenectady N.Y., 1988). Vol. 3. Ceramic transactions. Westervile, Ohio Am. Ceram. Soc. 1989 p. 431-34
124. Kurzydłowski K.J., Bucki J.J., Czerepko W., Łazęcki D.: The evolution of polycrystal microstructure during grain growth. Arch. Nauki o Mater. 14 [1-2] (1993) p. 83-97
125. Kutty T.R., Ezhilvalavan S.: Zinc oxide ceramics formulated with barium orthosilicate for operation in the 3-15 V battery range. Mater. Lett. 27 [6-8] (1996) p.355-61
126. Kutty T.R., Raghau N.: Characterization of chemically prepared ZnO powders in relation to the nonlinear resistors. J. Eur. Ceram. Soc. 11 [1993] p. 161-70
127. Kutty T.R., Philip S.: Low voltage varistors based on SrTiO3 ceramics. Mater. Sci. Eng. B 33 (1995) p. 58-66
128. Kuzmina I.P., Nikitenko W.A.: Okis cinka. Moskwa: Nauka 1984
129. Kwiatek A.: Właściwości elektryczne i struktura tlenku cynku domieszkowanego tlenkiem bizmutu. Praca magisterska Instytut Elektrotechniki Oddz. Wrocław, Politechnika Wrocławska 1982
130. Lange F.F.: Sinterability of agglomerated powders. J. Am. Ceram. Soc. 67 [2] (1984) p. 83-9
131. Laudise R.A., Kolb E.D.: The solubity of zincite in basic hydrothermal solvents. J. Am. Mineral. 45 (1963) p. 642-48
132. Lauf R.F., Bond W.D.: Fabrication of high-field zinc oxide varistors by Sol-Gel processing. Ceram. Soc. Bull. 63 [2] 1984 p. 278-81
133. Lee J.R., Chiang Y.M.: Bi segregation at ZnO grain boundaries in equilibrium with Bi2O3-ZnO liquid. Solid State Ionics 75 (1995) p. 79-88
134. Lee Y.S., Liao K.-S., Tseng T.-Y.: Microstructure and crystal phases of prazeodymium in zinc oxide ceramics. J. Am. Ceram. Soc. 71 [9] (1996) p. 79-84
135. Lee Y.S., T.-Y Tseng T.Y.: Phase identification and electrical properties in ZnO-glass varistors. J. Am. Ceram. Soc. 75 [6] (1992) p. 1636-40
136. Leite E.R., Varela J.A., Longo E.: A new interpretation for the degradation phenomenon of ZnO varistors. J. Mater. Sci. 27 [1992] p. 5325-29.
137. Levin E.M., R.S. Roth: Polymorphism of bismuth sesquioxide. I.Pure Bi2O3. J. Res. Nat. Bur. Stand. Sect.A 68 [2] (1964) p. 189-95
138. Levin J.O.: Theory of varistor electronic properties. Crit. Rev Solid State 5 [4] (1975) p. 597-608
139. Levinson L. M., Philipp H. R.: Conduction mechanisms in metal oxide varistors. J. Solid State Chem. 12 [3-4] (1975) p. 292
140. Levinson L. M., Philipp H. R.: The physics of metal oxide varistors. J.Appl. Phys. 46 [3] (1975) p. 1332- 41
141. Levinson L. M., Philipp H. R.: Zinc oxide varistors - a reviev. Am. Ceram. Soc. Bull. 65 (1986) p. 639-46
142. Long W., Shen Ch-Y., Chen Y-Ch., Wei Y-F., Chen M-H., Huang K-Ch.: The microstructure of ZnO doped with antimony oxide. Jpn. J. Appl. Phys. 30 [11A] (1991) p. 2850-56
143. Louer D., Vargas R. I., Auffredic J-P.: Morphological analysis and growth of crystallites during annealing of ZnO. J. Am. Ceram. Soc. 67 [2] (1984) p. 136-141
144. Luo J., Wang H., Chiang Y-M.: Origin of solid-state activated sintering in Bi2O3 doped ZnO. J. Am. Ceram. Soc. 82 [4] (1999) p. 916-20
145. Mahan G. D.: Theory of ZnO varistors. In: Grain boundaries in semiconductors. Materials Research Society Symposia Proceedings. Ed. Pike G.E., Seager C.H, Leamy H.J. New York; Amsterdam: Elsevier 1982 p. 133
146. Mahan G.D., Levinson L.M., Philipp H.R.: Single grain junction studies of ZnO varistors. Theory and experiments. Appl. Phys. Lett. 33 [9] (1978) p. 8300-307
147. Mahan G.D., Levinson L.M., Philipp H.R.: Theory of conduction in ZnO varistors. J. Appl. Phys. 50 [4] (1979) p. 2799-2812
148. Makarov V., Trontelj M.: Novel varistor material based on tungsten oxide. Sci. Lett. 13 (1994) p. 937-39
149. Makovec D., Kolar D., Trontelj M.: Sintering and microstructural development of metal oxide varistor ceramics. Mater. Res. Bull. 28 (1993) p. 803-11
150. Makovec D., Trontelj M.: Extended defects in ZnO ceramics containing Bi4Ti3O12 additive. J.Am. Ceram. Soc. 77 [5] (1994) p.1202-208
151. Malmos G.:The crystal structure of α-Bi2O3. Act. Chem. Scandin. 24 (1970) p. 384-96
152. Mantas P.Q., Baptista J.L.: Barrier height formation in ZnO varistors. J. Eur. Ceram. Soc. 15 [7] (1995) p. 605-15
153. Mantas P.Q., Baptista J.L.: High temperature characterization of electrical barriers in ZnO varistors. J. Electroceram. 4 [1] (2000) p. 215-24
154. Marciniak W.: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. Warszawa: WNT 1987
155. Matsuoka M., Masuyamai T., Iida Y: Voltage nonlinearity of zinc oxide ceramics doped with akali earth metal oxide. Jpn. J. Appl. Phys. 8 (1969) p. 1275-79
156. Matsuoka M., Masuyamai T., Iida Y.: Non-linear electrical properties of zinc oxide ceramics. J. Jpn. Soc. Appl. Phys. Supll. 39 (1970) p. 94-101
157. Matsuoka M.: Nonohmic properties of zinc oxide ceramics. Jpn. J. Appl. Phys. 10 [6] (1971) p. 736-46
158. Matsushita T.,Kodaira K., Saito J.: Growth of ZnO needle crystals by vaphor phase reaction method. J. Cryst. Growth 26 (1974) p. 147-8
159. Maxwell J., Chan N., Templeton A.: Transients vs electronic circuits. Part III: Multilayer varistors. Power Conversion & Intelligent Motion 22 [6] (1996) p. 62-70
160. Mazurek B., Mielcarek B., Paściak G., Prociów K.: Depedence of varistor breakdown voltage on the ZnO grain morphology. W: 21 International Spring Seminar on Electronics technology. ISSE`98. Conference Proceedings. Neusiedl am See, Austria, May 4-7, 1998. [B.m.]: Inst. Mater. Sci. Electr. Eng. Vienna Univ. Technol. 1998 s. 113-15
161. Mazurek B., Mielcarek B., Paściak G., Prociów K.:The influence of TI-chemical forms breakdown voltage of ZnO varistors. W: 21 International Spring Seminar on Electronics technology. ISSE`98. Conference Proceedings. Neusiedl am See, Austria, May 4-7, 1998. [B.m.]: Inst. Mater. Sci. Electr. Eng. Vienna Univ. Technol. 1998 s. 273-275.
162. Medernach J.W., Synder R.L.:Powder diffraction and structures of the bismuth oxides. J. Am. Ceram. Soc. 61 [11-12] (1978) p. 494-97
163. Medernach J.W.: On the structure of evaporated bismuth oxide thin films. J. Solid State Chem. 15 (1975) p. 352-59
164. Messing G.L., S-Ch Zhang, G.V. Jayanthi: Ceramic powder synthesis spray pyrolisis. J Am. Ceram. Soc. 76 [11] 1993 p. 7-26
165. Metz R., Delau H., Vignalou J.R., Achrd N.,Ekhatib M.: Electrical properties of varistors in relation of their true bismuth composition after sintering: Mater. Chem. Phys. 63 [2] (2000) p. 157-62
166. Mielcarek W.: Analiza surowców i półproduktów dla półprzewodnikowych materiałów ceramicznych (warystorów) do ochronników przepięciowych. Dokumentacja Techniczna. Instytut Elektrotechniki Oddział Wroclaw 1991
167. Mielcarek W.: Choice of the zinc oxide for varistor applications. W: Proceedings of the 16-th Conference of ISHM. International Society for Hybrid Microelectronics Poland Chapter. Cracow, September 28-29, 1992. Wrocław 1993 s. 21-24
168. Mielcarek W.: Określenie warunków technicznych odbioru dla surowców do produkcji warystorów (ZnO, Cr2O3, Sb2O3). Dokumentacja Techniczna. Instytut Elektrotechniki Oddział Wrocław 1990
169. Mielcarek W.: Określenie wpływu dodatków boru do masy warystorowej. Dokumentacja Techniczna. Instytut Elektrotechniki Oddział Wrocław 1992
170. Mielcarek W.: Phase relations in the system ZnO with additions of Bi2O3, Sb2O3, MnO2. XI-th Conf. On Appl. Cryst. Silesian Univ. Katowice 1984 s. 550-53
171. Mielcarek W., Adamowska M. Opracowanie metody badań stabilności półprzewodnikowych ceramicznych elementów nieliniowych oraz mas o zwiększonej odporności na degradację własności elektrycznych. Dokumentacja Techniczna. Instytut Elektrotechniki Oddział Wrocław 1992
172. Mielcarek W., Murach G.: Określenie optymalnych warunków spiekania warystora. Dokumentacja Techniczna. Instytut Elektrotechniki Oddział Wrocław1991
173. Mielcarek W., Nowak-Woźny D., Prociów K., Gubański A.: Cobalt addition influence on varistors electrical varistor. Prz. Elektrotech. z. spec. (2001) s. 179-82
174. Mielcarek W., Paściak G.: The effect of postsintering heat treatment on zinc oxide varistors. W: 16-th International Spring Seminar on Electronic Technology (ISSE`93). Szklarska Poręba, April 25-28, 1993 . Wrocław: 1993 s. 105-108
175. Mielcarek W., Paściak G., Rutkowska M.: Powtarzalność i stabilność I-U charakterystyk warystorów. W: Postępy w elektrotechnologi. Materiały konferencyjne. Szklarska Poręba, 14-16 września 1994. Instytut Elektrotechniki Oddział Wrocław, PWroc., Polski Komitet Materiałów Elektrotechnicznych SEP. [B.m.: b.w. 1994 s. 317-21
176. Mielcarek W., Paściak G.: Stability investigation of varistor. Proceedings of the 17-th Conference of ISHM. International Society for Hybrid Microelectronics Poland Chapter. Rzeszów-Solina, September 15-18, 1993. Wrocław 1994
177. Mielcarek W., Paściak G., Prociów K.: Opracowanie technologii niskonapięciowych warystorów tlenkowych. Dokumentacja Techniczna. Instytut Elektrotechniki Oddział Wrocław 1997
178. Mielcarek W., Prociów K.: BaBiO2.77 role in promoting varistor property in zinc oxide ceramics. J. Eur. Ceram. Soc. 5 (2001) p. 711-17
179. Mielcarek W., Raczyński J., Kisała A.: Badania własności fizycznych i strukturalnych próbek warystorów tlenkowych. Dokumentacja Techniczna. Instytut Elektrotechniki Oddział Wrocław 1983
180. Mielcarek W., Zboromirska-Wnukiewicz B.: Opracowanie nowoczesnych ochronników przeciwprzepięciowych M.O.V. do aparatów niskiego napięcia. Dokumentacja Techniczna Instytut Elektrotechniki Oddział Wroclaw 1993
181. Miyayama M., Terada H., Yanagida H.: Stabilisation of β-Bi2O3 by Sb2O3 doping. J. Am. Ceram. Soc. 64 [1] (1981) C-19
182. Milosevic O., Uskokovic D., Karanovic I., Tomasevic-Canovic M.: Synthesis of ZnO varistor precursor powder by means of the reaction spray process. J. Mater. Sci. 28 [19] (1993) p. 5211
183. Moriga T., Nakabayaschi I.: Local structures around Co and Mn ions in ZnO-based varistors. J. Synchrotron . Radiat [6] (1999) p. 546-8
184. Morris G.: Electrical properties of ZnO-Bi2O3 ceramics. J. Am. Ceram. Soc. 56 [7] (1973) p. 360-64
185. Morris G.: Physical properties of electrical barriers in varistors. J. Vac. Sci. Technol. 13 [4] (1976) p. 926-31
186. Mrowiec S. Defekty struktury i dyfuzja atomów w kryształach jonowych. Warszawa: PWN 1974
187. Mukae K, Tsuda K.: C-t characteristics of Pr doped ZnO varistors. J. Jpn Ceram. Soc. 100 [8] (1992) p. 1048-52
188. Mukae K., Tsuda K.: Non-ohmic properties of ZnO-rare earth metal oxide-Co3O4 ceramics. Jpn J. Appl. Phys. 16 [8] (1977) p. 1361-68
189. Mukae K, Tsuda K.,Shiga S.: Zinc oxide-praseodymium oxide for surge arresters. IEEE T. Power Deliver 3 [2] (1988) p. 591-97
190. Murakami K., Yagi I., Kaneko S.: Oriented growth of tin oxide thin films on glass substrates by spray phyrolysis of organic compouds. J. Am. Ceram. Soc. 79 [10] (996) p.2557-62
191. Mürbe Ju., Mürbe Jo, Puhlfürss P. Reaktive Zinkoxide für den Einsatz in Niederspanungsvaristoren. Hermsdorfer Tech. Mitteil. 70 (1990) p. 2522-6
192. Nakamura Y., Harada T., Kuribara H., Kishimoto A., Motohira N., Yanagida H.,: Nonlinear current-voltage characteristics with negative resistance observed at ZnO-ZnO single contacts. J. Am. Ceram. Soc. 82 [11] (1999) p. 3069-74
193. Nawata M., Kawamura H., Ieda M.: Effect of DC pre-stress on electric properties of zinc oxide ceramics. In: Sixth International Symposium on High Voltage Engineering. New Orleans. Aug. 28-Sept. 1, 1989. New Orlean: Mississippi State Univ. 1989, 26.06 p. 1-3
194. Nawata M., Kawamura H., Ieda M., Kanematsu A.: Studies on degradation mechanism of zinc oxide ceramics varistor by thermally stimulated current. In: Advances in varistor technology. Ed. Lionel L., Levinson L.M. 2nd International Varistor Conference (Schenectady N.Y., 1988). Vol. 3. Ceramic transactions. Westervile, Ohio Am. Ceram. Soc. 1989 p. 186-193
195. Nicholson G.C.: Grain growth in magnesium oxide containing liquid phase. J. Am. Ceram. Soc. 48 [10] (1965) p. 525-28
196. Olsson E. Interfacial microstructure In ZnO varistor materials. Doctorial thesis. Chalmers Tekniska Hogskola. Goteborg 1988
197. Olsson E., Dunlop G.L.: The effect of Bi2O3 content on the microstructure and electrical properties of ZnO varistor materials. Department of Physics. Chalmers University of Technology. Goteborg S-412 96
198. Olsson E., Dunlop G.L.: Characterisation of individual interfacial bariers in a ZnO varistor material. Department of Physics Chalmers University of Technology. Goteborg. S-412 96
199. Olsson E., Falk L.K., Dunlop G.L., Osterlund R: The microstructure of a ZnO varistor material. J. Mater. Sci. 20 (1985) p. 4091-98
200. Osmokrovic P., Kartalovic N., Krivokapic I., Stojanovic M., Loncar B.: Radioactive resistance of elements for over-voltage protection of low-voltage systems. Nucl. Instrum. Meth. B 140 (1-2) (1998) p.143-51
201. Pampuch R., Haberko K., Kordek M.: Nauka o procesach ceramicznych. Warszawa: PWN 1991 s. 328-48.
202. Paściak G.: Warystory tlenkowe. Rozprawa doktorska. Wrocław: Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki 1997 (praca niepublikowana).
203. Peigney A., Andrianjatovo H., Legros R., Rousset A.: Influence of chemical composition on sintering of bismuth-titanium-doped zinc oxide. J. Mater Sci. 27 (1992) p. 2397-2405
204. Peigney A., Carles V. Rousset A.: Phase -transformation and microstructure evolution during the sintering of bismuth-manganese chemically doped zinc oxide powders. Mater.Res. Bull. 31 [5] (1996) p. 503-12
205. Peigney A., Rousset A.: Phase transformations and melting effects during the sintering of bismuth-doped zinc oxide powders. J. Am. Ceram. Soc. 79 [8] (1996) p. 2113-26
206. Philipp H.R., Levinson L.M.: Degradation phenomena in zinc oxide varistors –a review. In: Advances in electronic ceramics. Vol. 7. Additives and interfaces in electronic ceramics. Ed.: Yan M.F.,Hener A.H. Columbus, Ohio: Am. Ceram. Soc. 1984 p. 1-21
207. Philipp H.R., Lewinson L.M.: High-temperature behavior of ZnO-based ceramic varistors. J. Appl. Phys. 50 [1] (1979) p. 383
208. Phillip H.R., Levinson L.M.: Optical method for determining the grain resistivity in ZnO based ceramic varistors. J. Apll. Phys. 47 [3] (1976) p. 1112-16
209. Philipp H.R., Levinson L.M.: Tunneling of photoexcited carriers in metal oxide varistors. J. Appl. Phys. 46 [7] (1975) p. 3206-7
210. Pike G.E.: Semiconductor grain boundary admittance theory. Phys. Rev.B 30 (1984) p. 795-802
211. Pinaro S.A., Bueno P.R., Longo E., Varela J.A.: Microstructure and electric properties of a SnO2 varistor. Ceram. Intern. 25 [1] (1999) p. 1-6
212. Prisching. D., Pecina A.H.: Temperature behavior of ZnO varistors before and after post sintering heat treatment. Mater. Lett. 43 [5-6] (2000) p. 295-302
213. Pyane R.: Applications and product development in varistor technology. J. Mater. Process. Tech. 55 [3-4] (1995) p. 286-77
214. Raghu N., Kutty T.R.: Relationship between nonlinear resistivity and the varistor forming mechanism in ZnO ceramics. Appl. Phys.Lett. 60 [1] (1992) p. 100-2
215. Raghu N., Kutty T.R.: Varistors based on mixed-phase ceramics containing ZnO and negattive temperature coefficient spinels. Appl. Phys. Lett. 58 [10] (1991) p. 1050-52
216. Raghu N., Kutty T.R.: ZnO-based voltage-limiting resistors with MCoO3-x (M=Ba, Sr) as the only forming additive. Mater. Sci. Eng. B 13 (1992) p. 181-197
217. Raghu N., Ravi V.: Kutty T.R.: ZnO varistors with BaCoO3-x (0.12>x>0) as the only formulation phase. Mater. Res. Bull. 26 (1991) p. 261-68
218. Ramanachalam M.S., Rohatgi A., Schaffer J.P., Gupta T.K.: Characterization of ZnO studies of a ZnO varistor as a function of annealing. J. Appl. Phys. 63 [11] (1988) p. 5375-[12] (1991) p. 8380-86
219. Rohatgi A, Pang S.K, Gupta T.K, Straube W.D: The deep level transient spectroscopy studies of a ZnO varistor as a function of annealing. J. Appl. Phys. 63 [11] (1988) p. 5375-79
220. Russel J.D., Leach C.: Depth resolved conductive mode imaging of varistor grain boundaries. Acta Mater. 46 [17] (1998) p. 6227-35
221. Safronov G,M., Batog V.N., Stepanczyuk T.V., Fedorov P.M.: Equilibrium diagram of the bismuth oxide-zinc oxide system. Russ. J. Inog. Chem. 16 [3] (1971) p. 460-1
222. Santhanam A. T., Gupta T.K., Carlson W.G.: Microstructural evaluation of multicomponent ZnO ceramics. J. Appl. Phys. 50 [2] (1979) p. 852-59
223. Santhosh P.N., Kharat D.K.: Effect of strontium substitution in (Nb, Bi) doped TiO2 varistors. Mater. Lett. 28 [1-3] (1996) p. 37-41
224. Sato S.: Effect of sintering atmosphere on zinc oxide varistor. Metal Powder Reports 53 (1998) p. 36
225. Sato K., Takada Y.: A mechanism of degradation in leakage currents through ZnO varistors J. Appl. Phys. 53 [12] (1982) p. 8819-26
226. Sato K., Takada Y., Maekawa H., Ototake M,.Tominaga S.: Electrical conduction of ZnO varistors under continuos DC stress. Jpn. J. Appl. Phys. 19 [5] (1980) p. 909- 17
227. Schumb W.C., Rittner E.S.: Polymorphism of bismuth trioxide. J. Am. Chem.Soc. 65 [6] (1943) p. 1055-60
228. Selim F.A., Gupta T.K., Hower P.L., Carlson W.G.: Low voltage ZnO varistor: device process and defect model. J. Appl. Phys. 51[1] (980) p. 765-68
229. Senda T., Bradt R.C.: Grain growth of zinc oxide during the sintering of zinc oxideantimony oxide ceramics. J. Am. Ceram. Soc. 74 [6] (1991) p. 1296-302
230. Senda T., Bradt R.C.: Grain growth in sintered ZnO and ZnO- Bi2O3 ceramics. J. Am. Ceram. Soc. 73 [1] (1990) 106-14
231. Shah D.O., Singhal M., Cchabra V., Kang P.: Synthesis of ZnO nanoparticles for varistor application using Zn-substituted aerosol OT microemulsion. Mater. Res. Bull. 32 [2] (1997) p.239-47
232. Shao H-Q., Gao X-H., Cao Z-Ch.: Effect of annealing on phase structure and degradation of a zinc oxide varistor with Si-additive. J. Eur. Ceram. Soc. 17 (1997) s. 55-9
233. Shen Ch-Y. L. Wu L.: Effect of addition on conduction properties of ZnO varistors. Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) p. 2043-46
234. Shiau F.S., Fang T-T, Leu T-H: Effect of particle-size distribution on the microsturctural revoluation in the intermediate stage sintering. J. Am. Ceram. Soc. 80 [12] (1997) p. 286-90
235. Shin S-D., Sone C-S., Han J-H., Kim D-Y.: Effect of sintering atmosphere on the densification and abnormal grain growth of ZnO. J. Am. Ceram. Soc. 79 [2] (1996) p. 565-67
236. Shohata N., Yoshida J.: Effect of glass on nonohmic properties of ZnO ceramic varistors. Jpn. J. Apll. Phys. 16 [2] (1977) p. 2299-300
237. Siegel R.: Gas phase synthesis and mechanical properties of nanomaterials. Analysis 24 [6] (1996) p. 10-12
238. Siemirikow I.S., Telnyh T.F., Kolczin W.W., Wostrecowa A.W., Toropowa G.S.: Wlijanie poristosti na kinetiku spekanija okisa cinka. Neorg. Mater. 26 [7] (1990) s. 10-13
239. Sillen L.G.: Crystal structure of monoclinic α Bi2O3. Z. Krist. 103 (1941) p. 274 - 90
240. Sillen L.G.: X-Ray studies on bismuth tioxide. Ark. Kemi. Miner. Geol. 12A [18] (1937) p. 1-15
241. Sirdhar N., Yang W., Srolovitz D.: Microstructural mechanics model of anisotropicthermal-expansion-inducted microcracing. J. Am. Ceram. Soc. 77 [5] (1994) p.1123-38
242. Sławuta K., Jeziorski J.: Symulacja rozrostu ziarn polikryształu metodą Monte-Carlo. Inż. Mater. [6] (1996) s.180-85
243. Sonder E., Quinby T.C., Kinser D.L.: ZnO varistors made from powders produced using a urea process. J. Am. Ceram. Soc. Bull. 64 [4] (1985) p. 665-68
244. Sossina M.H., Johnson D.W. Jr., Wiseman G.H., Bowen H.K.: Aqueous precipitation of spherical zinc oxide powders for varistor application J. Am. Ceram. Soc. 72 (10) (1989) p.2004-8
245. Sousa V.C., Segadaes A.M., Moreli M.R., Kiminami R.H.G.A.: Combustion synthesized ZnO powders for varistor ceramics. Intern. J. Inorg. Mater. 1 [3-4] (1999) p.235-41
246. Stucki F., Greuter F.: Key role of oxygen at zinc-oxide varistor grain-boundaries. Appl. Phys. Lett. 57 [5] (1990) p. 446-8
247. Sukkar M.H., Tuller H.L.: Defect equilibria in ZnO varistor materials. In: Advances in electronic ceramics. Vol. 7. Additives and interfaces in electronic ceramics. Ed.: Yan M.F., Hener A.H. Columbus, Ohio: Am. Ceram. Soc. 1984 p. 71-90
248. Sutorik A.C.,. Neo S.S., Treadwell D. R., Laine R. M.: Synthesis of ultrafine β”-aluminia powders via flame spray pyrolisis of polymeric precursors. J. Am. Ceram. Soc. 81 [6] (1998) p. 1477-86
249. Suzuki H., Bradt R.: Grain growth of ZnO in ZnO-Bi2O3 ceramics with TiO2 additions. J. Am. Ceram. Soc .78 [5] (1995) p. 1354-60
250. Suyama Y., Tomokiyo Y., Manabe T., Tanaka E. Shape and structure of zinc oxide particles prepared by vapor-phase oxidation of zinc vapor. J. Am. Ceram. Soc. 71 [5] (1988) p. 391-95
251. Świt A., Półtorak J.: Przyrządy półprzewodnikowe. Warszawa: WNT 1979
252. Takata M., Tsubone D.,Yanagida H.: Dependence of electrical conductivity of ZnO on degree of sintering. J. Am. Ceram. Soc. 59 [1-2] (1976) p. 4-8
253. Takahashi K., Miyoshi T., Meada K., Yamazaki J.: Degradation of zinc oxide varistors. In: Grain boundaries in semiconductors. Materials Research Society Symposia Proceedings. Ed. Pike G.E., Seager C.H, Leamy H.J. New York; Amsterdam: Elsevier 1982 p. 399-404
254. Takahashi K.,.Umemoto K: Synthesis of ZnO-Bi2O3 precursor powder by a coprecipitation method. Ceram. Powder Sc. IV p. 533-38
255. Takehana M., Nishimo T.,Suguwara K,. Suguwara T.: Preparation of zinc oxide varistor by a weat chemical method. Mater. Sc. and Eng. B. 41 [1] (1996) p.186-9
256. Takemura T., Kobayashi M., Takada Y., K. Sato K.: Effects of bismuth sesquioxide on the characteristics of ZnO varistors. J. Am. Ceram. Soc. 69 [5] (1986) p. 430-36
257. Takemura T., Kobayashi M., Takada Y., K. Sato K.: High-temperature X-ray diffraction measurements of ZnO varistor ceramics. Jpn. J. Appl. Phys. 25 [2] (1986) p. 295-6
258. Tanaka S., Takahashi K.: Direct measurements of voltage -current characteristic of single grain boundary of ZnO varistors. J. Eur. Ceram. Soc. 19 [6-7] (1999) p. 727-30
259. Tao M., Bui A., Dorlanne O., Loubiere A.: Different “single grain junction” within a ZnO varistor. J. Appl. Phys. 61 (4) 1987) p. 1562-67
260. Tiffee E.I., Seitz K.: Characterization of varistor-type raw materials prepared by the evaporative decomposition of solutions technique. Am. Ceram.Soc. Bull. 66 [9] (1987) p. 1384-88
261. Thomas D.G.: Intersital zinc and zinc oxide. Phys Chem. Solid 3 (1957) s. 229-37
262. Tomlis G.W., Routbort J.L.: Oxygen diffusion in single-crystal zinc oxide. J. Am. Ceram. Soc. 81 [4] (1998) p. 869-
263. Tsai J.K, Wu T.B.: Microstructure and nonohmic properties of ZnO -V2O5 ceramics. Jpn. J. Appl. Phys. 34 [1995] p. 6452-57.
264. Tsuchida T., Kitajima S.: Preparation of monodispersed, uniform particles of ZnO and Al2O3 and application for ZnAl2O4 formation. J. Mater. Sci. 27 (1992) p. 2713-18.
265. Tuszewska B., Korycki P.: Opracowanie analizy literatury i stanu normalizacji w zakresie odgromników beziskiernikowych, opracowanie wstępnych wymagań technicznych dla warystorów i odgromników niskiego napięcia oraz wyniki badań warystorów. Dokumentacja Techniczna Nr 8/NWN/81. Warszawa 1981, 48 s.
266. Tuszewska B.: Zbadanie możliwości oceny stopnia degradacji warystorów z tlenków metali na podstawie prądów termicznie stymulowanych. Opracowanie metody i wykonanie projektu stanowiska badawczego. Sprawozdania Instytutu Elektrotechniki Nr. 42/1/NWN/89. Warszawa 1989, 32 s.
267. Tuszewska B., Korycki P.: Badania degradacji próbek warystorów z tlenków metali o kontrolowanej technologii wytwarzania z wykorzystaniem metody TSC. Sprawozdania Instytutu Elektrotechniki Nr. 27/NWN/1990
268. Van Eracynest F., Van Vorst W., Delecryser W.: Interpretation of the yellow colour of heat trated ZnO powder. Phys. State Solid 8 (1965) p. 841-46.
269. Varama H.K., Ananthakumar S., Warrier K.G.K., Damodaran A. P.: Synthesis of zinc oxide varistors through microwawe-derived precursor. Ceram. Intern. 22 [1] (1996) p. 53-59.
270. Visvanath R.N., Ramasamy S., Ramamoorthy R., Jayavel P., Nayarajan L.: Preparation and characterisation of nanocrystalline ZnO based materials for varistor applications. Nanostruct. Mater. 6 [5-8] (1995) p. 993-97
271. Vojta A., Qingzhe W., Clarke D.R.: Influence of microstructural disorder on the current transport behavior of varistor ceramics. Comput. Mater. Sci. 6 [ 1] (1996) p. 51
272. Wang H., Chiang Y-M.: Thermodynamic stability of intergranular amorphous films in bismuth-doped zinc oxide. J. Am. Ceram. Soc. 81 [1] (1998) p. 89-96
273. Wong E.M., Bonevich J. E., Searson P. C.: Growth kinetics of nanocrystalline ZnO particles from colloidal suspensions. J. Phys. Chem. B 102 [40] 1998 p. 7770-75
274. Wong J.: Microstructure and phase transformation in a higly non-ohmic metal oxide varistor ceramic. J. Appl. Phys. 46 [4] (1975) p. 1653-9
275. Wong J.: Sintering and varistor characteristics of ZnO-Bi2O3. J. Apll. Phys. 51 [8] (1980) p. 4453-59
276. Wong J., Rao P., Koch E.F.: Nature of an intergranular thin-film phase in a highly nonohmic metal oxide varistor. J. Appl. Phys. 46 [4] (1975) p. 1827-30
277. Wróblewski Z., Jaworski M.: Symulacyjne modele trwałości warystorów tlenkowych. Prz. Elektrotech. [6] (1998) s. 145-49
278. Wu L., Shen C-Y., Chen Y-C., Wei Y-F., Chen M-H., Huang K-H.: The microstructure of ZnO varistor doped with antimony oxide. Jpn J. Appl. Phys. 30 [11A] (1991) p. 2850-56.
279. Wu J-M., Shyu J-J.: Electrical properties and degradation improvement of ZnO varistors doped with PbO-B2O3 based glasses. J. Mater. Sci. 24 (1989) p. 1881-88
280. Xue Ya.K., Tiandiao W., Yin H., Ming De T., Ming Jing T.: Sol-gel process doped ZnO nano-powder sand their grain growth. Mater. Res. Bull. 32 [9] (1997) p. 1165-71
281. Xue Y.K., Yin H., Ming De T. Ming Jing T.: Analysis of ZnO varistors prepared from nanosized ZnO precursors. Mater. Res. Bull.33 [11] (1998) p. 1703-15
282. Yang S.Ch., German R.M.: Grain growth kinetics in liquid-phase-sintered zinc oxidebarium oxide ceramics. J. Am. Ceram Soc. 74[12] (1991) p. 3085-90
283. Yang S.-L., Wu J.-M.: Novel niobium-doped titania varistor with added barium and bismuth. J. Am. Ceram. Soc. 76 [1] (1993) p.145-52
284. Yang S-L., Wu J-M.: Varied atmosphere compensation-exploring the roles of barium and bismuth in (Ba,Bi,Nb)-dopped TiO2. J. Am. Ceram Soc. 78 [8] (1995) p. 2203-8
285. Zav’jalova A. A., Imanov R. M.: Structure of -Bi2O2.5 thin films. Kristallografija 16 [3] (1971) p. 437-39
286. Zav’jalova A. A., Imanov R.M., Pinsker Z.: An electron diffraction study of the thin films in the Bi-O system. Kristallografija 9 [6] (1964) p. 724-28

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BPS2-0019-0030