45 lat badań przyrządów energoelektronicznych w Instytucie Elektrotechniki

Januszewski, S.; Kociszewska-Szczerbik, M.; Świątek, H.; Zabłocki, Z.; Zymmer, K.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

45 lat badań przyrządów energoelektronicznych w Instytucie Elektrotechniki

Autorzy

Januszewski S. , Kociszewska-Szczerbik M. , Świątek H. , Zabłocki Z. , Zymmer K.

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma

http://iel.pl/pl/wydawnictwo.html

Identyfikatory

Warianty tytułu

45 years of power electronic device investigations in the Electrotechnical Institute

Języki publikacji

Abstrakty

Przedstawiono specyfikę metrologii przyrządów energoelektronicznych, tworzenie bazy laboratoryjnej oraz pierwsze badania diod i tyrystorów. Omówiono wieloletnią współpracę z Zakładami Elektronowymi LAMINA wynikającą z produkcji półprzewodników oraz związaną z wdrażaniem i rozwojem zakupionej w firmie WEC (USA) licencji na diody i tyrystory. Zaprezentowano stanowiska pomiarowe opracowane i wykonane dla potrzeb przemysłu i diagnostyki eksploatacyjnej. Podano metody i wyniki badań wytrzymałości eksplozyjnej przyrządów energoelektronicznych oraz problemy ich niezawodności. Przedstawiono działalność normalizacyjną, publikacje, współpracę z uczelniami i szkolenie pracowników przemysłu. Naświetlono przyczyny obecnego braku zainteresowania wynikami prac rozwojowych w dziedzinie energoelektroniki.

Specific problems of power electronic device metrology, creation of laboratory base, and first diode and thyristor investigations are presented. Many years cooperation with Electronic Works LAMINA - semiconductor device producer - implementation and development of the diode and thyristor licence obtained from WESTINGHOUSE ELECTRIC CORPORATION (USA) are discussed. Measuring stands designed and made for industry and service are presented. Methods and test results of semiconductor device explosion strength and their reliability problems are given. Standarization activity, publications, cooperation with universities of technology as well as training of industry staff are discussed. Reasons of today's lack of interst in results of research and development work in the field of power electronics are given.

Słowa kluczowe

przyrządy półprzewodnikowe diody tyrystory metrologia badania naukowe Instytut Elektrotechniki

Wydawca

Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki

Czasopismo

Prace Instytutu Elektrotechniki

Rocznik

2001

Tom

Z. 209

Strony

87--140

Opis fizyczny

Bibliogr. 67 poz., tab., rys.

Twórcy

autor

Januszewski S.

Zakład Przekształtników Mocy, Instytut Elektrotechniki

autor

Kociszewska-Szczerbik M.

Zakład Przekształtników Mocy, Instytut Elektrotechniki

autor

Świątek H.

Zakład Przekształtników Mocy, Instytut Elektrotechniki

autor

Zabłocki Z.

Zakład Przekształtników Mocy, Instytut Elektrotechniki

autor

Zymmer K.

Zakład Przekształtników Mocy, Instytut Elektrotechniki

Bibliografia

1. Bagieński J., Januszewski S., Zymmer K.: Próby określenia granicznej prądowej wytrzymałości przeciążeniowej energoelektronicznych diod krzemowych. Nowoczesne materiały i przyrządy półprzewodnikowe. PWN, Warszawa 1972, s. 671-677.
2. Cesul T. (red.): 50 lat Instytutu Elektrotechniki. Wyd. Książkowe Instyt. Elektrotech., Warszawa 1996 r.
3. Duong S. et al.: lnvestigation on the IGBT case explosion in short circuit operation. 7th European Conference on Power Electronics and Applications - EPE'97, Sept. 1997, Trondheim, vol. 2 pp. 16-21.
4. Gawęcka H., Januszewski S.: Perspektywy rozwoju tyrystorów wyłączalnych. Wiadomości Elektrotechniczne, 1998 nr 8.
5. Gawęcka H., Januszewski S.: Niezawodność wysokonapięciowych modułów IGBT dużej mocy. Wiadomości Elektrotechniczne, 1999 nr 8.
6. Gawęcka H., Januszewski S.: Rozwój tranzystorów IGBT a ich niezawodność. Wiadomości Elektrotechniczne 2000 nr 5, 249-253.
7. Gekenidis S. et al.: Explosion Tests on IGBT high Voltage Modules. Proc. of ISPSD'99, May 1999 Toronto (Canada), 129-132.
8. Januszewski S.: Eksperymentalny zespół prostownikowy z zaworami germanowymi. Rozszerzone założenia projektu. Instytut Elektrotechniki, dok. nr TTE/pr/3A-2/58,1958.
9. Januszewski S.: Prace nad zaworami półprzewodnikowymi w Instytucie Elektrotechniki. Pierwsza Krajowa Narada Elektroniki, PAN, Warszawa, listopad 1958.
10. Januszewski S.: Sprawozdanie Nr 594: Określenie charakterystyk prądowo-napięciowych diod germanowych typu DGM7-100 (70 V, 100 A). Instytut Elektrotechniki dok. Nr arch. 9/59. Warszawa marzec 1959.
11. Januszewski S.: Prostownik germanowy 75kW, 250V dla stacji trakcyjnych dołowych. Przegląd Elektrot., nr 12, 1961, s. 515-516.
12. Januszewski S.: Nowe rozwiązania technologiczne tyrystorów energetycznych. Zagadnienia Wybrane z Prac lEI Tyrystorowe Układy Napędowe, Warszawa 1968.
13. Januszewski S.: Wpływ polaryzacji bramki na czas wyłączania i krytyczną stromość napięciową tyrystorów. Prace Instytutu Elektrotechniki, 1972 zeszyt 73, str. 27-38.
14. Januszewski S.: Wpływ polaryzacji bramki na prąd wyłączania tyrystorów. Elektronika, 1973 nr 3, s. 85-90.
15. Januszewski S.: Badania wpływu wstecznie spolaryzowanego obwodu bramki na podstawowe właściwości tyrystorów (rozprawa doktorska). Instytut Elektrotechniki, Warszawa 1973.
16. Januszewski S.: Tranzystory mocy w energoelektronice. II Ogólnopolska Konferencja Energoelektroniki Kazimierz n/Wisłą maj 1980 - Prace lEI, 1980, zeszyt 112a, 52-67.
17. Januszewski S.: Szkoła Profesora Antoniego Jabłońskiego (kartki z przeszłości lEI). Prace Instytutu Elektrot., z. 115, 1980. s. 87-91.
18. Januszewski S.: Zagadnienia normalizacji półprzewodnikowych przyrządów mocy i urządzeń energoelektronicznych. Prace Instytutu Elektrot., z. 119,1981, s. 59-73.
19. Januszewski S.: Some aspects of the thyristor load in high current density conditions. Proc. of the XII Symposium: Electromagnetic Phenomena in Nonlinear Circuits, Oct. 1991, Poznań (Poland), pp. 61-66.
20. Januszewski S.: Tyrystor wyłączalny komutowany bramką - nowy łącznik energoelektroniczny. Materiały XII Beskidzkiego Seminarium Elektryków - BSE'98, październik 1998, Istebna.
21. Januszewski S.: Przegląd aktualnych tendencji rozwojowych w dziedzinie energoelektroniki. Podstawowe Problemy Energoelektroniki i Elektromechaniki. VIII Sympozjum PPEE'99 Ustroń, 22-25 marca 1999.
22. Januszewski S.: Nowe wysokonapięciowe przyrządy półprzewodnikowe dużej mocy. Materiały XIII Beskidzkiego Seminarium Elektryków - BSE'99, listopad 1999, Istebna.
23. Januszewski S.: Normalizacja w dziedzinie przyrządów i urządzeń energoelektronicznych u progu XXI wieku. Materiały IX Sympozjum. Podstawowe Problemy Energoelektroniki i Elektromechaniki - PPEE'2000" - Wisła, grudzień 2000 r., s. 367-373.
24. Januszewski S.: Węglik krzemu (SiC) - perspektywiczny półprzewodnik. Materiały XIV Beskidzkiego Seminarium Elektryków - BSE'2000 wrzesień 2000 r. Istebna.
25. Januszewski S.: Przyczyny uszkodzeń przyrządów energoelektronicznych dużej mocy. Wiadomości Elektrotechniczne, 2001 r. nr 5.
26. Januszewski S., Wdowiak J.: Właściwości i zastosowanie krzemowych diod i prostowników mocy. Przegląd Elektrotechniczny, 1960 nr 7, 271-278.
27. Januszewski S., Szczucki F.: Automatyczna przewoźna stacja prostownikowa dla trakcji dołowej. Przegląd Elektrot., nr 7,1965.
28. Januszewski S., Wdowiak J.: Prostowniki krzemowe na podstacjach trakcyjnych prądu stałego. Materiały dot. obchodów XX-lecia lEI Warszawa 1966.
29. Januszewski S., Wdowiak J., Zymmer K.: Właściwości tyrystorów radzieckich typu WKDU-150 w świetle badań podstawowych parametrów. Zagadnienia Wybrane z Prac lEI, Tyrystorowe Układy Napędowe, Warszawa 1968.
30. Januszewski S., Świątek H., Zymmer K.: Badania ładunku przejściowego w krzemowych diodach i tyrystorach. Elektronika 1972, nr 10, s. 398-404.
31. Januszewski S., Świątek H.: Wpływ temperatury na napięcie wsteczne energoelektronicznych diod krzemowych produkcji krajowej. Nowoczesne materiały i przyrządy półprzewodnikowe. PWN, Warszawa 1972, s. 679-683.
32. Januszewski S., Świątek H., Zymmer K.: Badania krytycznych stromości narastania napięć w tyrystorach symetrycznych. Przegląd Elektrotechniczny, 1972 nr 11, s. 491-497.
33. Januszewski S., Świątek H.: Diody i tyrystory w pytaniach i odpowiedziach. WNT, Warszawa 1984.
34. Januszewski S., Świątek H.: Miernictwo tyrystorowe. (Wyd. II zmienione) WNT, Warszawa 1984.
35. Januszewski S., Szczucki F.: 25 lat eksploatacji automatycznych przewoźnych stacji prostownikowych w polskim górnictwie. Przegląd Elektrot., nr 10-11,1990, s. 208-210.
36. Januszewski S., Klamka J.: Pierwsze polskie germanowe diody mocy i ich rola w rozwoju krajowych urządzeń energoelektronicznych. Elektronika 1991 nr 2.
37. Januszewski S., Świątek H.: Test method of explosion strength of high power semiconductor device enclosures. Proc. of the 1rst European Conference on Reliability Standarization and Certification of Industrial Electric Drives. May 1992 Milano (Italy).
38. Januszewski S., Stańczak W., Świątek H., Zymmer K.: lnvestigation of explosion consequences of semiconductor device enclosure in very high power converters. Proc. of the 5th International Symposium on Short-Circuit Currents in Power Systems. Sept. 1992, Warsaw (Poland), pp. 3.20.1-3.20.4.
39. Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M.: Identyfikacja przyczyn uszkodzeń półprzewodnikowych przyrządów mocy w urządzeniach energoelektronicznych. Materiały V Sympozjum Podstawowe Problemy Energoelektroniki i Elektromechaniki - PPEE'93. Ustroń, marzec 1993 r., s. 447-454.
40. Januszewski S., Świątek H., Stańczak W., Zymmer K.: The peak case nonrupture current of high power semiconductor devices. Proc. of the International Conference on Power Electronics, Motion Control ans Associated Applications (PEMC'94), Sept. 1994, Warsaw (Poland), vol. II, pp. 859-855.
41. Januszewski S., Świątek H.: Nowoczesne przyrządy półprzewodnikowe w energoelektronice. WNT, Warszawa 1994.
42. Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H., Świątek G.: Causes and Mechanisms of Semiconductor Device Failures in Power Converter Service Conditions. 6th European Conference on Power Electronics and Applications. EPE'95, Sept. 1995, Sevilla (Spain).
43. Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Stypułkowska E., Świątek H., Świątek G.: lnvestigation of destroyed parts of surface of high power semiconductor devices in service condictions. Proc. of 6th European Symposium Reliability of Electron Devices Failure Physics and Analysis - ESREF'95. October 1995, Bordeux (France).
44. Januszewski S., Świątek H., Zymmer K.: Consequences of internal short-circuits in very high power converters. Proc. of IEEE International Symposium on Industrial Electronics -ISIE'96, June 1996, Warsaw (Poland), vol. 1, pp. 519-524.
45. Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H., Zymmer K.: IGBT transistor failures in high power converters. Proceedings of the 3th International Seminary on Power Semiconductors - ISPS'96, Sept. 1996 Prague (Czech Republik).
46. Januszewski S., Stańczak W., Świątek H., Zymmer K.: Internal short-circuits in high power converters with IGBT transistors. Proc. of the 7th International Symposium on Short-Circuit Currents in Power Systems. Sept. 1996, Warsaw (Poland).
47. Januszewski S., Świątek H.: Miernictwo półprzewodnikowych przyrządów mocy. WKiŁ, Warszawa 1996.
48. Januszewski S., Zymmer K.: Osiągnięcia i prognozy rozwoju dotyczące dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów mocy i modułów energoelektronicznych. Materiały VII Sympozjum PPEE'97. Ustroń, marzec 1997 r.
49. Januszewski S., Świątek H., Zymmer K.: Some Experiences Concerning of a Starting and Service of High Power IGBT Converters. EPE'97. Sept. 1997, Trondheim.
50. Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H., Świątek G.: Semiconductor Device Failure in Power Converter Service Conditions. EPE Journal 1998 nr 3-4.
51. Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Świątek H.: Some Observation Dealing with Failures of IGBT Transistors in High Power Converters. Microelectronics Reliability 1998 nr 38.
52. Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M.: Tyrystory polowe sterowane bramkami MOS. Wiadomości Elektrotechniczne, 1998 nr 6.
53. Januszewski S. Zymmer K.: Problemy eksploatacji układów energoelektronicznych z tyrystorami wyłączalnymi (GTO). Prace Instytutu Elektrotechniki 1998 r., zeszyt 198.
54. Januszewski S. Zymmer K.; Some problems dealing with the use of GTO thyristors in high power converters. Proc. of the XV Symposium on Electromagnetic Phenomena in Nonlinear Circuits. Sept. 1998 Poznań - Liége, pp. 216-219.
55. Januszewski S. Świątek H., Zymmer K.; Półprzewodnikowe przyrządy mocy - Właściwości i zastosowania. WKiŁ, Warszawa 1999 r
56. Januszewski S., Kociszewska-Szczerbik M., Pytlak A., Świątek H., Zymmer K.: Wpływ uszkodzeń półprzewodnikowych przyrządów mocy na bezpieczeństwo urządzeń energoelektronicznych. Prace Instytutu Elektrotechniki, 1999 zeszyt 203, s. 215-234.
57. Januszewski S., Zymmer K.: Overcurrent protection coordination in converters with IGBT transistros. Proc. of EPE'99 September 1999 Lausanne (Switzerland).
58. Moll J. L., Tanenbaum M., Goldey J. M., Holonyak N.: P-N-P-N Transistor Switches. Proceedings of the IRE, 1956 no 9, pp. 1174-1182.
59. Raderecht P. S.: The development of a gate assisted turn-off thyristor for use in high frequency applications. International Journal of Electronics 1974 vol. 36 no 3, pp. 399-416.
60. Świątek H.: Technologia produkcji na skalę laboratoryjną i metody badań krzemowych diod mocy (praca dyplomowa). Instytut Elektrotechniki, Warszawa, 1964 r.
61. Świątek H.: Badania ładunku przejściowego w tyrystorach. Prace lEI 1972, z. 73.
62. Świątek H.: Urządzenia kontrolno-pomiarowe do badania wybranych parametrów półprzewodnikowych przyrządów mocy. Prace Instytutu Elektrotechniki 1991 r., z. 168.
63. Wdowiak J., Januszewski S.: Perspektywy rozwojowe prostowników mechanicznych i półprzewodnikowych w świetle najnowszych osiągnięć technicznych. Przegląd Elektrot., nr 1-2,1957, s. 31-36.
64. Wdowiak J.: Wyznaczanie przeciążalności prądowej krzemowych diod mocy. Prace lEI 1969, z. 58.
65. Zeller H.: High power components - From the state of the art to future trends. Proc. of Power Conversion - PCIM'98, May 1998 Nürnberg (Germany).
66. Zymmer K.: Badania obciążalności prądowej tyrystorów w warunkach podwyższonej częstotliwości. Przegląd Elektrotechniczny, 1972 nr 11, s. 497-500.
67. Zymmer K., Sakowicz S., Januszewski S.: High Power Semiconductor Device Thermal Stresses During Short-Circuit States. Proc. of EPE-PEMC'2000, Sept. 2000 Košice (Slovak Republik), vol. 3, 221-226.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BPS2-0015-0020