PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Challenges in ultrathin oxide layers formation

Treść / Zawartość
Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
In near future silicon technology cannot do without ultrathin oxides, as it becomes clear from the "Roadmap'2000". Formation, however, of such layers, creates a lot of technical and technological problems. The aim of this paper is to present the technological methods, that potentially can be used for formation of ultrathin oxide layers for next generations ICs. The methods are briefly described and their pros and cons are discussed.
Słowa kluczowe
Rocznik
Tom
Strony
27--34
Opis fizyczny
Bibliogr. 9 poz., tab., rys.
Twórcy
autor
autor
  • Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPS2-0013-0056
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.