Tytuł artykułu
Treść / Zawartość
Pełne teksty:
Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
Abstrakty
The first part of this article presents the modeling of the long-channel bulk MOSFET as a particular case of the SOI MOSFET. The second part reviews compares and scrutinizes various methods to extract the threshold voltage, the effective channel and the individual values of drain and source resistances. These are important device parameters for modeling and circuit simulation.
Słowa kluczowe
Rocznik
Tom
Strony
43--58
Opis fizyczny
bibliogr. 66 poz., rys.
Twórcy
autor
autor
autor
- Universidad Simon Bolmvar, Caracas, Venezuela
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPS2-0011-0056