Optimization of selected parameters of SiGe HBT transistors

• Autorzy: Zaręba A. , Jakubowski A.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

SiGe-base HBTs with Gaussian doping distribution are modeled including the effect of the drift field and variable Ge concentration in the base on the diffusion coefficient. Two different Ge distributions in the base are considered: a triangular one and a box one.

Słowa kluczowe

EN

heterojunction bipolar transistor; base transit time; current gain

• Wydawca: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
• Czasopismo: Journal of Telecommunications and Information Technology
• Rocznik: 2000
• Tom: nr 3-4
• Strony: 15--18
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys.

Twórcy

autor

Zaręba A.

autor

Jakubowski A.

• Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology