Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
Abstrakty
SiGe-base HBTs with Gaussian doping distribution are modeled including the effect of the drift field and variable Ge concentration in the base on the diffusion coefficient. Two different Ge distributions in the base are considered: a triangular one and a box one.
Słowa kluczowe
Rocznik
Tom
Strony
15--18
Opis fizyczny
Bibliogr. 10 poz., rys.
Twórcy
autor
autor
- Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPS2-0011-0053