Wpływ uszkodzeń półprzewodnikowych przyrządów mocy na bezpieczeństwo urządzeń energoelektronicznych

• Autorzy: Januszewski S. , Kociszewska-Szczerbik M. , Pytlak A. , Świątek H. , Zymmer K.

Warianty tytułu

FR

Influence of power semiconductor device failures on power electronics equipment safety

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Omówiono mechanizmy uszkodzeń pólprzewodnikowych przyrządów mocy w przekształtnikach eksploatowanych w ciężkich warunkach przy częstych i nagłych zmianach obciążeń prądowych. Dokonano oceny konstrukcji obudów z punktu widzenia ich wytrzymałości zwarciowej. Przedstawiono konsekwencje uszkodzeń przyrządów półprzewodnikowych w przekształtnikach. Opisano zagrożenia zwarciowe i środki zapobiegawcze w układach energoelektronicznych. Podano cechy bezpiecznych przekształtników i omówiono zasady koordynacji zabezpieczeń przetężeniowych w urządzeniach energoelektronicznych średniej i dużej mocy.

EN

Power semiconductor device failure mechanisms in converter operation dealing with heavy service conditions with often and sudden changes of current loads are discussed. A valuation of package design from its short circuit strength point of view is analysed. Semiconductor device failure condequences in converter circuit are given. Short circuit hazards and preventive means in power electronic systems are described. Safety converter circuit features are discussed. Principles of overcurrent protection coordination in medium and high power electronic equipment are presented.

Słowa kluczowe

PL

urządzenia energoelektroniczne; przyrządy półprzewodnikowe mocy; PPM; uszkodzenia

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
• Czasopismo: Prace Instytutu Elektrotechniki
• Rocznik: 1999
• Tom: Z. 203
• Strony: 215--234
• Opis fizyczny: Bibliogr. 54 poz.rys.

Twórcy

autor

Januszewski S.

autor

Kociszewska-Szczerbik M.

autor

Pytlak A.

autor

Świątek H.

autor

Zymmer K.

• Zakład Przekształtników Mocy Instytutu Elektrotechniki