Modelowanie tranzystorów IGBT

• Autorzy: Bartosiewicz L.

Warianty tytułu

EN

Modelling IGBT transistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule omówiono klasyfikacje modeli tranzystorów IGBT w zależności od zastosowań. Zaprezentowano modele fizyczne i modele do analizy i projektowania obwodów. Porównano i omówiono poszczególne modele tranzystorów IGBT.

EN

The classification of IGBT models depending on the field of approach was discussed in the paper. The physical models and models for analysing and circuit developing was presented. Properties of particular IGBT models was compared and discussed.

Słowa kluczowe

PL

tranzystory; IGBT

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
• Czasopismo: Prace Instytutu Elektrotechniki
• Rocznik: 1998
• Tom: Z. 197
• Strony: 29--40
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys.

Twórcy

autor

Bartosiewicz L.

• Zakład Przekształtników Mocy w Instytucie Elektrotechniki