Metody pomiaru rezystancji termicznej diod laserowych

• Autorzy: Dąbrowska E. , Maląg A.

Warianty tytułu

EN

Comparison of measurement methods of laser diode's thermal resistance

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono pięć różnych sposobów pomiarów rezystancji termicznej diod laserowych. Przeanalizowano ich przydatność do charakteryzacji praktycznie wytwarzanych przyrządów różnej jakości, także takich, których charakterystyki są nietypowe. Porównano dokładności przedstawionych metod.

EN

Five different measurement methods of the laser diodes thermal resistance have been presented. Usability of these methods to characterize practical devices of different quality including those of untypical characteristics is analyzed. Also the exactness of the methods is compared.

Słowa kluczowe

PL

dioda laserowa; rezystancja termiczna; moc optyczna; charakterystyka widmowa

EN

laser diode; thermal resistance; optical power; spectral characteristics

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2011
• Tom: R. 87, nr 4
• Strony: 232--238
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Dąbrowska E.

autor

Maląg A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa, ul. Wólczyńska 133,

Bibliografia

• [1] Bennett St., Testing Bond Quality by Measuring Thermal resistance of Laser Diodes www.ilxlightwave.com
• [2] Ronnie Teo J. W., Kip Goi L. S., Xiao L. H., Lim W. C., Wang Z. F., Li G. Y., Influence of Radiative Energy Transfer on the Thermal Behavior of Bonded InGaAs/GaAs Lasers IEEE Transactions on Advanced Packaging, 32 (2009), n. 1, 130-135
• [3] Voss M., Lier C., Menzel U., Barwolff A., Elsasser T., Time-resolved emission of GaAs/AIGaAs laser diode arrays on dirrerent heat sinks , J. Appl. Phys. 79 (1996), n. 2, 1170-1172
• [4] Pankove J.T., Zjawiska optyczne w półprzewodniku WNT Warszawa 1974
• [5] Jonston A.H., Miyahira T.F., Radiation Degradation Mechanisms in Laser Diodes, IEEE Transactions on Nuclear Science, 521 (2004), n. 6, 3564-3571
• [6] Laff R. A., Comerford L. D., Crow J. D ., Brady M. J., Thermal performance and limitations of silicon-substrate packaged GaAs laser arrays, Applied Optics, 17 (1978), n.5, 778-784
• [7] The difference between the threshold current calculation methods www.ilxlightwave.com
• [8] Maląg A., Czamecki K., Fronc K., Thermal Index Guiding in (AIGa)As Proton-lsolated Lasers: Its Origins and Reduction by Post-lmplantation Heat Treatment, IEE Proc, Pt.J-Optoelectronics, 138 (1991), n.1, 13 - 20
• [9] Paoli T.S., A New Technique for Measuring the Thermal Impedance of Junction Lasers, IEEE Journal of Quantum Electronics, 11 (1975), n 7, 498-503
• [10] Hall D.C., Deppe D.G., Holonyak N., Matyi R.J., Shichijo H., Epler J.E..Thermal behavior and stability of room-temperature continuous AlxGai.xAs-GaAs quantum well heterostructure lasers grown on Si, J. Appl. Phys., 64 (1988), n. 6, 2854-2860
• [11] Thermal resistance in dependence of diode laser packages M. Leers, K. Boucke, M. Gotz, A. Meyer, M. Kelemen, N. Lehmann, F. M. di Sopra Proc. of SPIE vol. 6876, 687609 (2008)
• [12] Measuring High Power Laser Diode Junction Temperature and Package Thermal Impedance, L.A. Jonson, A. The www.ilxlightwave.com
• [13] On the estimation of Thermal Resistance of Laser Diodes Tulana Saha International Workshop Physics of Semiconductor Devices 2007