Modelowanie wpływu filmu towarzyszącego koalescencji w układzie ciecz-ciecz - wpływ mieszania i surfaktantów jonowych

• Autorzy: Grabias M. , Podgórska W.

Warianty tytułu

EN

Modeling of film drainage in liquid-liquid dispersion - the influence of mixing and ionic surfactant presence

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Rozważono proces wypływu filmu spomiędzy kropel pokrytych zaadsorbo-wanym surfaktantem jonowym. W oparciu o teorię smarowania przewidziano zmiany grubości filmu i nadmiaru powierzchniowego. Zbadano wpływ efektu odpychania w wyniku nagromadzenia na powierzchni kropel ładunku pochodzącego od zaadsorbowanych jonów surfaktantu na miejsce rozerwania filmu i czas jego wypływu. Model przewiduje dłuższe czasy wypływu dla mniejszych kropel i mniejszych prędkości zbliżania kropel.

EN

Film thinning during collision of droplets covered with adsorbed ionic surfactant was analyzed. Changes of film thickness and surface excess in time were predicted using the lubrication theory. An effect of repulsion due to the charge present on a drop surface was studied. The repulsion strongly affects a place of film rupture and drainage time. The model predicts longer drainage times for smaller droplets and smaller drop relative velocities.

Słowa kluczowe

PL

koalescencja; wypływ filmu; surfaktant jonowy

EN

coalescence; film drainage; ionic surfactant

• Wydawca: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
• Czasopismo: Inżynieria i Aparatura Chemiczna
• Rocznik: 2011
• Tom: Nr 4
• Strony: 24--25
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz.

Twórcy

autor

Grabias M.

autor

Podgórska W.

• Zakład Inżynierii i Dynamiki Reaktorów Chemicznych , Wydział Inżynierii Chemicznej i Procesowej, Politechnika Warszawska, Warszawa,

Bibliografia

• [1] L.Y. Yeo, O.K. Matar, E.S. Perez de Ortiz and G.F. Hewitt: Journal of Colloid and Interface Science 241, 233 (2001).
• [2] L.Y. Yeo, O.K. Matar, E.S. Perez de Ortiz and G. F. Hewitt: Journal of Colloid and Interface Science 257, 93 (2003).
• [3] R.K. Brayton, F.G. Gustavson and G.D. Hatchel: Proc. IEEE 60(1), 98 (1972).