Temperaturowa zalezność zmian przewodnictwa powierzchnowego cienkich warstw diamentowych HF-CVD

• Autorzy: Stec K. , Benzhour K.

Warianty tytułu

EN

Temperature dependence of changes in surface conductivity of thin HF-CVD diamond films

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono nowe możliwości zastosowania warstw diamentowych jako czujników gazów. Pokazano wpływ różnych warunków otoczenia na zmiany przewodnictwa powierzchniowego różnych warstw diamentowych, co pozwala poszerzyć ich zastosowania. Przedstawiono parametry wzrostu warstw diamentowych niedomieszkowanych, jak również domieszkowanych typu n.

EN

This paper presents new applications of diamond films as gas sensors. It shows the effect of different environmental conditions to changes in surface conductivity of various diamond films, which allows to expand their application. It presents the growth parameters of undoped and doped n-type diamond films.

Słowa kluczowe

PL

warstwy diamentowe; CVD; przewodnictwo powierzchniowe

EN

diamond films; CVD; surface conductivity

• Wydawca: Wydawnictwo Górnicze Sp. z o.o.
• Czasopismo: Karbo
• Rocznik: 2010
• Tom: Nr 4
• Strony: 162--164
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., 3 rys.

Twórcy

autor

Stec K.

• Uniwersytet Mikołaja Kopernika, Instytut Fizyki, Toruń

autor

Benzhour K.

• Uniwersytetu Mikołaja Kopernika, Katedra Podstaw Teoretycznych Nauk Biomedycznych i Informatyki Medycznej, Wydział farmaceutyczny, Collegium Medicum, Bydgoszcz

Bibliografia

• 1. Chakrapani V., Angus J.C., Anderson A.B., Wolter S.D., Stoner B.R., Sumanasekera G.U., Charge Transfer Equilibria Between Diamond and an Aqueous Oxygen Electrochemical Redox Couple. Science, 2007, t. 318, nr 5855 s. 1424.
• 2. Andriotis A.N., Mpourmpakis G., Richter E., Menon М., Surface Conductivity of Hydrogenated Diamond Films. Phys. Rev. Lett., 2008, t. 100, s. 106801.
• 3. Stec K., Szroeder Р., Benzhour K., High Temperature Surface Conductivity of Hydrogenated Diamond Films Exposed to Humid Air. Acta Physica Polonica A, 2010, t. 118, nr 3, s. 511.