PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Growth of high quality diamond films on silicon substrate

Identyfikatory
Warianty tytułu
PL
Wzrost warstw diamentowych o wysokiej jakości na podłożu krzemowym
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Thin polycrystalline diamond films were deposited on prepared (100) Si substrate by hot filament chemical vapor deposition (HF-CVD). For all deposition processes, parameters as: substrate temperature, total pressure and gas flow were held on the same level. One sample was deposited using a method of three-step growth in HF-CVD chamber. Morphology investigations of diamond films using scanning electron microscopy (SEM), Raman spectroscopy (RS) and electron paramagnetic resonance (EPR) were performed. The EPR analysis revealed the presence of two kinds of paramagnetic centers related to diamond and nan-diamond phase.
PL
Polikrystaliczne warstwy diamentowe były osadzane metodą gorącego włókna z fazy gazowej (HF-CVD) na monokrystalicznym podłożu krzemowym o orientacji powierzchni (100). Temperatura podłoża, przepływy gazów i całkowite ciśnienie gazu były utrzymywane na stałym poziomie podczas wszystkich procesów osadzania. Jedna próbka była osadzana metodą trój stopniowego wzrostu w komorze HF-CVD. Morfologia i jakość uzyskiwanych warstw diamentowych były badane za pomocą elektronowej mikroskopii skaningowej (SEM), spektroskopii ramanowskiej (RS) i elektronowego rezonansu paramagnetycznego (EPR). Badania EPR ujawniły istnienie dwóch rodzajów centrów paramagnetycznych związanych z fazą diamentową i z fazą niediamentową.
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
236--239
Opis fizyczny
Bibliogr. 10 poz.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPP1-0040-0043
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.