A statistical circuit design in submicron VLSI MOS device

• Autorzy: Rybarczyk A. , Szulc M. , Bajorski P.
• Języki publikacji: EN

Słowa kluczowe

EN

statistical circuit design; VLSI; MOS device; CMOS

PL

projktowanie obwodów; scalenie bardzo dużego stopnia; układ komplementarny MOS

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
• Czasopismo: Foundations of Computing and Decision Sciences
• Rocznik: 2002
• Tom: Vol. 27, No. 3
• Strony: 141--156
• Opis fizyczny: Bibliogr. 21 poz.

Twórcy

autor

Rybarczyk A.

autor

Szulc M.

autor

Bajorski P.

• Poznań University of Technology, Faculty Computer Science and Management, Institute of Control and Systems Engineering, ul.Piotrowo 3a, 60-965 Poznań, tel.: [phone], fax: [phone],