From molecular precursors to new materials

• Autorzy: Roesky H. W. , Park H. S.
• Konferencja: From Large Molecules to Nanostructures / sympozjum (II ; 30-31.10.1997. ; Paris, France)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Preparation of gallium nitride is described using the single source precursor (Et2GaNH2)3. The thin films of GaN formed were characterized using various physical methods such as Auger spectroscopy, X-ray diffraction and AFM image of the surface, respectively.

Słowa kluczowe

EN

precursor; nitride

• Wydawca: Centrum Upowszechniania Nauki PAN
• Czasopismo: Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Chemistry
• Rocznik: 1998
• Tom: Vol. 46, No. 3
• Strony: 285--288
• Opis fizyczny: Bibliogr. 23 poz.

Twórcy

autor

Roesky H. W.

autor

Park H. S.

• Institut für Anorganische Chemie der Univerität Göttingen, Tammannstrasse 4, D-37077 Göttingen