Badanie wpływu wybranych czynników na parametry cieplne tranzystorów mocy MOS

• Autorzy: Górecki K. , Zarębski J.

Warianty tytułu

EN

Investigations of the influence of selected factors on the thermal parameters of MOS power transistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono problem wyznaczania wartości parametrów cieplnych tranzystorów MOS mocy oraz zaprezentowano i przedyskutowano wyniki pomiarów ilustrujących wpływ takich czynników, jak rodzaj obudowy, wielkość radiatora, ułożenie przestrzenne badanego tranzystora oraz wydzielanej w nim mocy na rezystancję oraz przejściową impedancję termiczną. Przedstawiono również wyniki pomiarów rozkładu temperatury na powierzchni nieobudowanej struktury tranzystora MOS mocy przy różnych warunkach chłodzenia tego elementu.

EN

In the paper the problem of measurements of the thermal parameters values of MOS power transistors is considered. The results of measurements showing the influence of such factors as the type of the case, the dimensions of the heat-sink, the orientation of the investigated transistor and the dissipated power on the thermal resistance and the transient thermal impedance of the device are presented and discussed. The measurements results of the temperature distribution on the surface of the uncapsulated MOS power transistor chip for different cooling conditions of this device are presented, too.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor MOS; parametr termiczny; samonagrzewanie

EN

MOS power transistors; thermal parameter; selfheating

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2009
• Tom: R. 85, nr 4
• Strony: 159--164
• Opis fizyczny: Bibliogr. 21 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Górecki K.

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni,

Bibliografia

• [1] Zarębski J., Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych. Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia, 1996
• [2] Nowakowski A., Badanie procesów termicznych w przyrządach półprzewodnikowych. Zeszyty Naukowe Politechniki Gdańskiej, nr 389, Elektronika LX, 1984
• [3] Janke W., Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych. WNT, Warszawa 1992
• [4] Zarębski J., Tranzystory MOS mocy. Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia, 2007
• [5] Székely V., Thermal Testing and Control by Means of Built-in Temperature Sensors. Electronics Cooling, 4 (1998), n. 3, 36-39.
• [6] Gładysz H., Brzuskiewicz T., Żukowski A., Niezawodność przyrządów półprzewodnikowych. Wydawnictwa Przemysłowe WEMA, Warszawa, 1989
• [7] Reynolds F.H., Measuring and modeling integrated circuit failure rates. Eurocon’82, Copenhagen: Reliability in Electrical and Electronic Components and Systems. North Holland, 1 (1982), 36-45
• [8] Górecki K., Zarębski J., Stepowicz W.J., Wpływ wybranych czynników na parametry termiczne przyrządów półprzewodnikowych. Elektronika, (2005), n. 10, 18-20
• [9] Górecki K., Zarębski J., Investigations of Power MOSFETs Transient Thermal Impedance. 13th Int. Conference on Electrical Drives and Power Electronics EDPE 2005, Dubrownik, 2005, E05-75, 84
• [10] Górecki K., Zarębski J., Estymacja parametrów modelu termicznego elementów półprzewodnikowych. Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji, 52 (2006), n. 3, 347-360
• [11] Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J., Wpływ sposobu zamocowania tranzystora na jego rezystancję termiczną, VI Konferencja Naukowa „Technologia Elektronowa” ELTE’97, Krynica 1997, t. 1, 708-712
• [12] Blackburn D.L., Oettinger F.F., Transient Thermal Response Measurements of Power Transistors. IEEE Transactions on Industrial Electronics and Control Instrumentation, IECI-22 (1976), n. 2, 134-141
• [13] Oettinger F.F., Blackburn D.L., Semiconductor Measurement Technology: Thermal Resistance Measurements, U. S. Department of Commerce, NIST/SP-400/86, 1990
• [14] Szekely V., A New Evaluation Method of Thermal Transient Measurement Results. Microelectronic Journal, 28 (1997), n. 3, 277-292
• [15] Górecki K., Zarębski J., Pomiary rezystancji termicznej tranzystorów mocy z wykorzystaniem metod pirometrycznych. Pomiary, Automatyka, Kontrola PAK, 49 (2003), n. 1, 41-44
• [16] Górecki K., Zarębski J., Pomiary rozkładu temperatury na powierzchni struktury tranzystorów Darlingtona mocy. Elektronizacja, (2000), n. 12, 13-16
• [17] Górecki K., Zarębski J., Porównanie elektrycznych i pirometrycznych metod pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych. Elektronika, (2005), n. 11, 55-57
• [18] Górecki K., Zarębski J., Badanie charakterystyk termometrycznych elementów półprzewodnikowych ze złączem p-n. Metrologia i Systemy Pomiarowe, 8 (2001), n. 4, 397-411
• [19] Kołodziejski J., Spiralski L., Stolarski E., Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. Warszawa, WKŁ, 1990
• [20] Górecki K., Zarębski J., System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. Metrologia i Systemy Pomiarowe, 8 (2001), n. 4, 379-396
• [21] Székely V., Rencz M., Courtois B., Thermal Investigations of IC's and Microstructures. Microelectronics Journal, 28 (1997), n. 3, 205-207