Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Właściwości lasera GaInAs emitującego promieniowanie w zakresie fal rzędu 1 μm
Języki publikacji
Abstrakty
Luminescence spectra of the quantum-well heterolasers in the GaInAs-GaAs-AlGaAs system are measured, polarization properties of the radiation are analyzed and theoretical description of the emission characteristics is given.
Zbadano charakterystykę widmową lasera GaInAs. Przeanalizowano właściwości polaryzacyjne promieniowania oraz opisano teoretycznie charakterystykę emisyjną.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
42--44
Opis fizyczny
Bibliogr. 6 poz., rys., tab.
Twórcy
Bibliografia
- [1] Zhuravleva O.V., Kurnosov V.D., Kurnosov K.V., Lobintsov A.V., Romantsevich V.I., Simakov V.A., Chernov R.V., Study of the spectral and power characteristics of superluminescent diodes, Quantum Electron., 34 (2004), 15–19.
- [2] Duraev V.P., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A., Petrovskii A.V., Ryaboshtan Yu.L., Sumarokov M.A., Sukharev A.V., Effect of GaAsP barrier layers on the parameters of InGaAs/AlGaAs laser diodes emitting in the 1050–1100-nm spectral range, Quantum Electron., 35 (2005), 909–911.
- [3] Lapin P.I., Mamedov D.S., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A., Yakubovich S.D., High-power broadband superluminescent diodes emitting in the 1000–1100-nm spectral range, Quantum Electron., 36 (2006), 315–318.
- [4] Kononenko V.K., Nalivko S.V., Spectral characteristics of asymmetric quantum-well heterostructure laser sources, Proc. SPIE, 2693 (1996), 760–767.
- [5] Afonenko A.A., Kononenko V.K., Spectral line broadening in quantum wells due to Coulomb interaction of current carriers, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 28 (2005), 556–567.
- [6] Gribkovskii V.P., Kononenko V.K., Ryabtsev G.I., Samoilyukovich V.A., Trapped radiation in injection lasers, IEEE J. Quantum Electron., QE-12 (1976), 322–326.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPOZ-0007-0011