ZnO thin film deposition with pulsed magnetron sputtering

• Autorzy: Ziaja J.

Warianty tytułu

PL

Otrzymywanie cienkich warstw ZnO metodą impulsowego rozpylania magnetronowego

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

In this work, the pulse magnetron sputtering was applied to Zn-Bi-O thin films deposition. It was proved that the rate of metal target sputtering with argon model plasma was highest when using DC-M bias, while reactive sputtering of metal or oxide targets was most effective in the case of AC-M mode of biasing. The rates of material depositions were comparable or higher than those achievable with other methods like e.g. radio-frequency RF or DC sputtering. The Zn-Bi-O layers were characterized of varistor property.

PL

W prezentowanej pracy przedstawiono otrzymywanie cienkich warstw ZnO metodą impulsowego rozpylania magnetronowego. Wykazano, że szybkości rozpylania targetów metalicznych w argonie jest większa dla metody DC-M. Natomiast rozpylanie reaktywne lub targetów tlenkowych należy stosować metodę AC-M. Uzyskane wartości szybkości osadzania warstw są porównywalne do wartości uzyskanymi innymi metodami np. RF, DC. Otrzymane warstwy Zn-Bi-O charakteryzowały się efektem warystorowym.

Słowa kluczowe

EN

magnetron sputtering; varistor

PL

ZnO; rozpylanie magnetronowe; warystor

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2007
• Tom: R. 83, nr 11
• Strony: 235--239
• Opis fizyczny: Bibliogr. 33 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Ziaja J.

• Wrocław University of Technology

Bibliografia

• [1] Valeyev Kh. S., Knayazev V. A.,. Drozdov N. G, Electrichestvo, 4 (1964), 72-74
• [2] Kosmaman M. S., E. Pettsol'd G., Uch. Zap. Leningr. Gos. Pedagog Inst. Im Gertsena, 207 (1961), 191-195
• [3] Matsuoka M., Masuyama T., lida Y., Jpn. J. Appl. Phys. 8 (1969), 1275-1276
• [4] Masuyama T., Matsuoka M., Jpn. J. Appl. Phys. 7 (1968), 1294-1296
• [5] Ki Hyun Yoon, Ji-Won Choi, Dong-Heon Lee, Thin. Solid Films, 302 (1997), 116-121
• [6] Tominaga K., Murayama T., Umezu N., Mori I., Ushiro T., Moriga T., Nakabayashi I., Thin Solid Films, 343-344 (1999) ,160-163
• [7] Ondo-Ndong R., Pascal_Delannoy F., Boyer A., Giani A., Foucaran A., Mater. Sci. and Eng., B9 (2003), 68-73
• [8] Kacprzyk R., Ziaja J., APTADM'2004, Wroclaw, Poland, (2004), 153-157
• [9] Ziaja J., Postępy w Elektrotechnologii, Jamrozowa Polana, 8-10 September, Poland, 2003, 229-232
• [10] Jaroszewski M., Ziaja J., Juchim S., Przegląd Elektrotechniczny, APTADM'2001,Wroclaw, (2001), 271-273
• [11] lsmail B., Abaab M., Rezig B., Thin Solid Films, 383 (2001), 92-94
• [12] Miki-Yoshida M., Paraquay-Delgao F., Estrada-Lopez W., Andrade E., Thin Solid Films, 376 (2000), 99-109
• [13] Jin B. J., Im S., Lee S. Y., Thin Solid Films, 366 (2000), 107-110
• [14] Vispute R. D.,Talyansky V., Sharma R. P., et al., Surf. Sci. 431 (1998), 127-129
• [15] Pearton S. J., Norton D. P., Ip K., Heo Y. W., T. Steinerrogres in Materials Science, 50 (2005), 293-340
• [16] Aurent F. D., Goodman S. A., Hayes M., Legodi M. J, van Laarhoven H. A., Look D. O, Appl. Phys. Lett. 80 (2002), 956
• [17] Bachir,. K. Azuma, Kossanyi J., Valat P., Ronfard-Hared J. O, J. S. of Luminescsence 75 (1997), 35-49.
• [18] Catti M., Noel Y., Dovesi R., Journal of Physics and Chemistry of Solids 64 (2003), 2183-2190
• [19] Feng-Cang Lin, Yuji Takao, Yausuhiro Shizimu, Makato Egashira, ", Sensors and Actuators, B 24-25 (1995), 843-845
• [20] Mista W., Ziaja J., Jaroszewski M, Kacprzyk R., Przegląd Elektrotechniczny, APTADM'2001, (2001), 377-379
• [21] Wiatrowski A., Posadowski W., Dora J., Elektronika 6 (2005), 33-34
• [22] Dora J., Patent PL Nr 313150, zgł. 13.03.1996
• [23] Posadowski W., Kudzia J., Wiatrowski A., Materiały konferencyjne VIII Electron Technology Conference, (2004), 402-403
• [24] Guojia F., Dejie L., Bao-Lun Y., Journal of Crystal Growth, 247 (2003), 393-400
• [25] Tominaga K., Murayama T., Umezu N., Mori I., Ushiro T., Moriga T., Nakabayashi I., Thin Solid Films, 343-344 (1999), 160-163
• [26] Ondo-Ndong R., Pascal_Delannoy F„ Boyer A., Giani A., Foucaran A., Mater. Sci. and Eng., B9, (2003), 68- 73
• [27] Zebo Fang, Yinyue Wang, Xinping Peng, Xueqin Liu, Congmian Zhen, Materials Letters 57 (2003), 4187- 4190
• [28] Won Taeg Lim, Chang Hyo Lee, Thin Solid Films 353 (1999), 12-15
• [29] Mahmood F. S., Gould R. D., Hassan A. K, Salich H. M., Thin Solid Films, 270 (1995), 376-379
• [30] Yoshino Y., Inue K., Takeuchi M., Ohwada K, Vaccum 51 No 4 (1998), 601-607
• [31] Jae Bin Lee, Hyeong Joon Kim.Soo Gil Kim.Cheol Seong Hwang, Seong-Hyeon Hong, Young Hwa Shin.Neung Hun Lee, Thin Solid Films, 435 (2003), 179-185
• [32] Sheng-Yuan Chu, Walter Water, Jih-Tsang Liaw, J. European Ceramic Soc, 23 (2003), 1593-1598
• [33] Ellmer K., Cebulla R., Wendt R., Thin Solid Films, 317 (1998), 413-416