Przejściowa impedancja termiczna diod Schottky’ego z węglika krzemu w szerokim zakresie temperatur

• Autorzy: Janke W. , Hapka A. , Oleksy M.

Warianty tytułu

EN

Measurements of the transient thermal impedance for several types of SiC Schottky diodes

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (8 ; 07-10.06.2009 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy omówiono badania przejściowej impedancji termicznej diod Schottky’ego z węglika krzemu, w szerokim zakresie temperatur otoczenia. Scharakteryzowano parametry elektryczne węglika krzemu oraz wpływ temperatury na parametry decydujące o przebiegu przejściowej impedancji termicznej. Omówiono sposób pomiaru, oraz wyniki badań impedancji termicznej kilku typów diod Schottky’ego w zakresie temperatur otoczenia od 25°C do 300°C.

EN

In the paper, the investigations of SiC Schottky diodes thermal characteristics in the wide range of ambient temperature are presented. The electrical parameters of silicon carbide are described and the temperature dependence of the thermal parameters of this material is outlined. The transient thermal impedance measurement results, obtained for several types of SiC Schottky diodes for the ambient temperature range of 250C to 3000C are shown and discussed.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; diody Schottky'ego; parametry cieplne; przejściowa impedancja termiczna

EN

silicon carbide; Schottky diodes; transient thermal impedance; thermal parameter

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2009
• Tom: R. 85, nr 11
• Strony: 203--205
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Janke W.

autor

Hapka A.

autor

Oleksy M.

• Politechnika Koszalińska, Wydział Elektroniki i Informatyki, ul. Śniadeckich 2, 75-453 Koszalin,

Bibliografia

• [1] Singh R., Richmond J., SiC Power Schottky Diodes in Power Factor Correction Circuits, Cree Inc. Application Notes
• [2] Janke W., Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych, WNT, Warszawa (1992)
• [3] Basic mechanical and thermal properties of silicon, Virginia Semicond. Inc.
• [4] Nilsson O., Mehling H., Horn R., Fricke J., Hofmann R., Muller S.G., Eckstein R., HofmannD., High Temperatures-High Pressures, 29 (1997), 73-79
• [5] Burgemeister E., von Muench W., Pettenpaul E., Thermal conductivity and electrical properties of 6H silicon carbide, J. Appl. Phys. 50, 9 (1979), 5790-5794
• [6] Glassbrenner C. J., Slack G.A., Thermal conductivity of silicon and germanium from 3° K to the melting point, Physical Review, vol. 134 (1964), no. 4A, A1058-A1069
• [7] Slack G.A., Thermal conductivity of pure and impure silicon, silicon carbide, and diamond, J. Appl. Phys., vol. 35, no. 12 (1964), 3460-3466
• [8] Inropera F., De Witt D., Fundamental of heat and mass transfer, Willey, (2002)
• [9] Kamiński M., Janicki M., Napieralski A., Modelowanie nieliniowych zjawisk termicznych w układach elektronicznych przy wykorzystaniu programu SPICE, Elektronika, Miesięcznik naukowo–techniczny SEP, nr 10 (2007), 7-12
• [10] Bert sznajder S., Własności gazów i cieczy, WNT, Warszawa
• [11] Oleks y M., Kraśniewski J., Porównanie charakterystyk termicznych diod Schottky’ego z Si oraz SiC w szerokim zakresie temperatur, VI KKE (2007), 597 – 602