Inteligentny system diagnostyczny do badania półprzewodników wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS

• Autorzy: Suproniuk M. , Kamiński P. , Miczuga M. , Pawłowski M. , Kleider J. , Kozłowski R. , Longeaud Ch.

Warianty tytułu

EN

An intelligent measurement system for diagnosing of semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy

• Konferencja: Krajowa Konferencja "Diagnostyka techniczna urządzeń i systemów" - DIAG'2009 (7 ; 19-23.10.2009 ; Ustroń, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono koncepcję inteligentnego systemu pomiarowego do diagnozowania wysokorezystywnych materiałów półprzewodnikowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Zadaniem tego systemu będzie tworzenie obrazu struktury defektowej obejmującego informację o parametrach i koncentracjach zaobserwowanych centrów defektowych.

EN

An intelligent measurement system for diagnosing of semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy has been presented. The system utilises two-dimensional analysis of the photocurrent transients digitally recorded in a broad range of temperatures for determination of defect centers parameters and a simulation procedure for calculation their concentration. The system is shown to be a powerful tool for studies of defect structure of high-resistivity semiconductors.

Słowa kluczowe

PL

system diagnostyczny; spektroskopia fotoprądowa; centra defektowe; materiały półizolujące

EN

diagnostic system; defect centers; defect structure

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2009
• Tom: R. 85, nr 11
• Strony: 93--98
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys., wykr., schem.

Twórcy

autor

Suproniuk M.

autor

Kamiński P.

autor

Miczuga M.

autor

Pawłowski M.

autor

Kleider J.

autor

Kozłowski R.

autor

Longeaud Ch.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Systemów Elektronicznych, ul. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Kayali S., Ponchak G., Shaw R., GaAs MMIC Reliability Assurance Guideline for Space Applications, JPL Publication 96-25, NASA, Jet Propulsion Laboratory (1996)
• [2] Pawłowski M., Obrazowanie struktury defektowej materiałów półizolujących z wykorzystaniem niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej, Wojskowa Akademia Techniczna, Warszawa, (2007)
• [3] Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R., Jankowski S., Wierzbowski M., Intelligent measuring system for characterization of defect centers in semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy, Metrology and Measurement Systems, Vol. XII (2005), No 2, 207-228
• [4] Brasil M. , Motisuke P., Deepcenter characterization by photo-induced transient spectroscopy, J. Appl. Phys., vol. 68 (1990), No 7, 3370-3376.
• [5] Kozłowsk i R. , Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych, Rozprawa doktorska, ITME (2001)
• [6] Kamiński P., Kozłowski R., Miczuga M. , Pawłowski M., Kozubal M. and Żelazko J., Compensating defect centers in semi-insulating 6H-SiC, Opto- Electronics Review, Vol 17 (2009), No 1, 1-7
• [7] Longeaud C., Kleider JP., Kaminski P., Kozłows k i R., and Miczuga M., Characterization of defect levels in semi-insulating 6H-SiC by means of photoinduced transient spectroscopy and modulated photocurrent technique , J. Phys.: Condens. Matter , vol. 21 (2009), 045801.
• [8] Miczuga M., Kamiński P., Kozłowski R., Pawłowski M., Wpływ energii fotonów na obraz prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V, Biuletyn WAT, Vol 1 (2009), 351- 360
• [9] DeOSt, www.lgep.supelec.fr/index.php?page=scm-logiciels