PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Wpływ zastosowania elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu na charakterystyki przetwornicy buck

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Influence of the use of silicon carbide semiconductor devices on characteristics of buck converters
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Praca dotyczy wpływu doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy buck. Zaprezentowano konstrukcję trzech układów testowych z przetwornicami buck zawierającymi elementy półprzewodnikowe wykonane z krzemu lub z węglika krzemu oraz układy sterujące. Przedstawiono wyniki pomiarów skonstruowanych układów oraz przedyskutowano różnice w przebiegu charakterystyk badanych przetwornic buck zawierających diody Schottky’ego oraz tranzystory polowe wykonane z rozważanych materiałów.
EN
The paper refers the influence of the selection of semiconductor devices on characteristics of the buck converter. The constructions of three investigated circuits with the buck converters containing semiconductor devices produced from the silicon or from the silicon carbide were presented. Some results of measurements of the investigated circuits are shown. The differences observed between the course of the measured characteristics obtained for the investigated buck converters including the Schottky diodes and the field effect transistors manufactured from the considered materials, are discussed.
Rocznik
Strony
229--231
Opis fizyczny
Bibliogr. 10 poz., rys., tab.
Twórcy
autor
autor
Bibliografia
  • [1] Borkowski A., Zasilanie urządzeń elektronicznych, WKiŁ, Warszawa, 1990.
  • [2] Ericson R., Maksimovic D., Fundamentals of Power Electronics, Norwell, Kluwer Academic Publisher, 2001.
  • [3] Maniktala S., Switching Power Supply Design & Optimization, McGraw-Hill, New York, 2005.
  • [4] Lebron-Velilla R.C., Schwarze G.E., Gardnem B.G., Adams J.D., Silicon Carbide Diodes Characterization at High Temperature and Comparison With Silicon Devices, Sec. Int. Energy Conversion Eng. Conf., Rhode Island, 2004.
  • [5] Rąbkowski J., Barlik R., Falownik prądu z elementami z węglika krzemu, IX Konf. Nauk. Sterowanie w Energoelektronice i Napędzie Elektrycznym SENE, Łódź, 2009, CD-ROM.
  • [6] 1N5820-1N5822. Karta Katalogowa, Fairchild Semiconductor Corporation, 2001.
  • [7] SDP04S60, SDD04S60,SDT04S60. Karta Katalogowa, Infineon Technologies, 2001.
  • [8] IRF540 N-Channel 100V - 0.055 -22 A To-220 Low gate charge STripFET II Power MOSFET. Karta Katalogowa, STMicroelectronics, 2003.
  • [9] CFR24010 10W, SiC RF Power MESFET. Karta katalogowa, Cree, 2010.
  • [10] Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J., Dąbrowski J., Bisewski D., Sprawozdanie z realizacji zad. 3 harmonogramu “Izotermiczne wielkosygnałowe modele diod Schottky’ego oraz tranzystorów MESFET z węglika krzemu”. Projekt rozwojowy NR 01-0003-04, Gdynia, 2010.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPOK-0033-0003
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.