Wpływ zastosowania elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu na charakterystyki przetwornicy buck

• Autorzy: Zarębski J. , Górecki K. , Posobkiewicz K.

Warianty tytułu

EN

Influence of the use of silicon carbide semiconductor devices on characteristics of buck converters

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca dotyczy wpływu doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy buck. Zaprezentowano konstrukcję trzech układów testowych z przetwornicami buck zawierającymi elementy półprzewodnikowe wykonane z krzemu lub z węglika krzemu oraz układy sterujące. Przedstawiono wyniki pomiarów skonstruowanych układów oraz przedyskutowano różnice w przebiegu charakterystyk badanych przetwornic buck zawierających diody Schottky’ego oraz tranzystory polowe wykonane z rozważanych materiałów.

EN

The paper refers the influence of the selection of semiconductor devices on characteristics of the buck converter. The constructions of three investigated circuits with the buck converters containing semiconductor devices produced from the silicon or from the silicon carbide were presented. Some results of measurements of the investigated circuits are shown. The differences observed between the course of the measured characteristics obtained for the investigated buck converters including the Schottky diodes and the field effect transistors manufactured from the considered materials, are discussed.

Słowa kluczowe

PL

elementy z węglika krzemu; przetwornica BUCK

EN

silicon carbide semiconductor devices; buck converters

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2010
• Tom: R. 86, nr 11a
• Strony: 229--231
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Zarębski J.

autor

Górecki K.

autor

Posobkiewicz K.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej,

Bibliografia

• [1] Borkowski A., Zasilanie urządzeń elektronicznych, WKiŁ, Warszawa, 1990.
• [2] Ericson R., Maksimovic D., Fundamentals of Power Electronics, Norwell, Kluwer Academic Publisher, 2001.
• [3] Maniktala S., Switching Power Supply Design & Optimization, McGraw-Hill, New York, 2005.
• [4] Lebron-Velilla R.C., Schwarze G.E., Gardnem B.G., Adams J.D., Silicon Carbide Diodes Characterization at High Temperature and Comparison With Silicon Devices, Sec. Int. Energy Conversion Eng. Conf., Rhode Island, 2004.
• [5] Rąbkowski J., Barlik R., Falownik prądu z elementami z węglika krzemu, IX Konf. Nauk. Sterowanie w Energoelektronice i Napędzie Elektrycznym SENE, Łódź, 2009, CD-ROM.
• [6] 1N5820-1N5822. Karta Katalogowa, Fairchild Semiconductor Corporation, 2001.
• [7] SDP04S60, SDD04S60,SDT04S60. Karta Katalogowa, Infineon Technologies, 2001.
• [8] IRF540 N-Channel 100V - 0.055 -22 A To-220 Low gate charge STripFET II Power MOSFET. Karta Katalogowa, STMicroelectronics, 2003.
• [9] CFR24010 10W, SiC RF Power MESFET. Karta katalogowa, Cree, 2010.
• [10] Zarębski J., Górecki K., Stepowicz W.J., Dąbrowski J., Bisewski D., Sprawozdanie z realizacji zad. 3 harmonogramu “Izotermiczne wielkosygnałowe modele diod Schottky’ego oraz tranzystorów MESFET z węglika krzemu”. Projekt rozwojowy NR 01-0003-04, Gdynia, 2010.