Baza wiedzy w inteligentnym systemie pomiarowym do badania centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących

• Autorzy: Suproniuk M. , Kamiński P. , Pawłowski M. , Kozłowski R. , Pawłowski M.

Warianty tytułu

EN

An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono inteligentny system pomiarowy do charakteryzacji centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Parametry centrów defektowych wyznaczono na podstawie dwuwymiarowej analizy niestacjonarnych przebiegów fotoprądu opartej na odwrotnej transformacie Laplace’a i metodach inteligencji obliczeniowej. W celu określenia przypuszczalnej konfiguracji atomowej wykrytych centrów wyznaczone parametry porównano z danymi zawartymi w bazie wiedzy systemu, gdzie gromadzone są w sposób zorganizowany informacje o zaobserwowanych defektach wprowadzone na podstawie danych z pomiarów własnych i opublikowanych w dostępnej literaturze.

EN

An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials is presented. The basic advantage of the system relies on the application of two dimensional analysis of the photocurrent decays and computational intelligence to extract the parameters of defect centres from the two-dimensional spectra in the domain of temperature and emission rate. The spectral analysis is carried out the procedure based on the inverse Laplace transformation algorithm. For identification of each defect centre, the obtained parameters are compared with the data in the knowledge base, where the defect properties reported in the available publications are stored and catalogued.

Słowa kluczowe

PL

inteligentny system pomiarowy; baza wiedzy; spektroskopia fotoprądowa; centra defektowe

EN

intelligent measurement system; knowledge base; semi-insulating materials

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2010
• Tom: R. 86, nr 12
• Strony: 249--252
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz., rys.

Twórcy

autor

Suproniuk M.

autor

Kamiński P.

autor

Pawłowski M.

autor

Kozłowski R.

autor

Pawłowski M.

• Wojskowa Akademia Techniczna,

Bibliografia

• [1] Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R., Jankowski S., Wierzbowski M., Intelligent measuring system for characterization of defect centers in semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy, Metrology and Measurement Systems, Vol. XII (2005), No 2, 207-228
• [2] Suproniuk M., Kamiński P., Miczuga M., Pawłowski M., Kozłowski R., Longeaud Ch., Kleider J-P.: Inteligentny system diagnostyczny 252 PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY (Electrical Review), ISSN 0033-2097, R. 86 NR 11a/2010 do badania półprzewodników wysokorezystywnych metodą niestacjonarnejspektroskopii fotoprądowej PITS, Przegląd Elektrotechniczny, R85 (2009), 11, 93-95.
• [3] Pawłowski M.: Obrazowanie struktury defektowej materiałów półizolujących z wykorzystaniem niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej, Wojskowa Akademia Techniczna (2007).
• [4] Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R., Kozubal M., Żelazko J.: Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolującego GaAs poprzez analizę relaksa-cyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace’a, Materiały Elektroniczne, 34 (2006), 1/2, 48-77.
• [5] Kozłowski R.: Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych, Rozprawa doktorska, ITME (2001).
• [6] Istratov A.A., Vyvenko O.F: Exponential analysis in physical phenomena, Rev. Sci. Instrum., 70 (1999), 2, 1233-1257.
• [7] Provencher S.: A constrained regularization method for inverting data represented by linear algebraic and integral equations, Comp. Phys. Comm., 27 (1982), 213-228.
• [8] Provencher S.: CONTIN: A general purpose program for inverting noisy linear algebraic and integral equations, Comp. Phys. Comm., 27 (1982), 229–242.
• [9] Jankowski S., Wierzbowski M., Kaminski P., Pawlowski M.: Implementation of neural network method to investigation of defect centers in semi-insulating materials, International Journal of Modern Physics B., 16 (2002), 28/29, 4449-4454.
• [10] Basztura Cz.: Komputerowe systemy diagnostyki akustycznej, PWN, Warszawa (1996).
• [11] Żelazko J., Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R., Miczuga M.: Zastosowanie graficznego środowiska programistycznego w niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej o dużej rozdzielczości, Przegląd Elektrotechniczny, R84 (2008), 5, 305-308.
• [12] Pawłowski M.: Effect of temperature errors on accuracy of deep traps parameters obtained from transient measurements, Rev. Sci. Instrum, 70 (1999), 8, 3425 – 3428.
• [13] Martin G.M., Mitonneau A., Mircea A.: Electron Traps in Bulk and Epitaxial GaAs Crystals; Electron. Lett., 13 (1977), 7, 191-193.
• [14] Mitonneau A., Martin G.M., Mircea A.: Hole traps in bulk and epitaxial GaAs crystals, Electron. Lett., 13 (1977), 22, 666-668.
• [15] Bourgoin C., von Bardeleben H.J., Stiévenard D.: Native defects in gallium arsenide, J. Appl. Phys., 64 (1988), 9, R65-R91.
• [16] Kamiński P., Kozłowski R.: High-resolution photoinduced transient spectroscopy as a new tool for quality assessment of semiinsulating GaAs, Mater. Sci. Eng., B91-92 (2002), 398-402.