Badanie wpływu dawki implantowanego indu na funkcję dielektryczną w implantowanych warstwach GaAs metodą elipsometrii spektralnej

• Autorzy: Kulik M. , Rzodkiewicz W. , Żuk J. , Komarov F.

Warianty tytułu

EN

Spectroscopic ellipsometry study of the influence of indium ion implantation on dielectric function of GaAs

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zaprezentowano rezultaty badania wpływu dawki implantowanego indu na funkcję dielektryczną w implantowanych warstwach GaAs. Badania przeprowadzono metodą elipsometrii spektralnej.

EN

In this paper we present the results of spectroscopic ellipsometry study of changes in optical constants (refraction and extinction indices) of near-surface layers of GaAs caused by ion implantation. Parameters of models describing the samples have been compared with the results obtained for these materials by using the study with RBS-Channeling methods.

Słowa kluczowe

PL

implantacja jonowa; elipsometria spektralna; współczynniki załamania i ekstynkcji; GaAs

EN

GaAs; ion implantation; spectroscopic elipsometry; refraction and extinction indices

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2008
• Tom: R. 84, nr 3
• Strony: 196--199
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Kulik M.

autor

Rzodkiewicz W.

autor

Żuk J.

autor

Komarov F.

• Instytut Fizyki, Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej, Lublin,

Bibliografia

• [1] Garland G. Tompkins, Willam A. MacGahan, Spectroscopic Elipsometry and Refractometry, John Wiley &Sons, Inc, New York 1999
• [2] Lohner T., Fried M., Khanh N.Q., Petrik P., Wormeester H., El-Sherbiny M.A., Nucl. Instr. and Meth. B 147 (1999) n. 1-4, 90-95
• [3] El-Sherbiny M,A,, Khanh N,Q,, Wormeester H, Fried M, Lohner T, Pinter I, Gyulai J., Nucl, Instr, and Meth, B,50 (1998) n, 3-4, 728-732
• [4] Mori H., Adachi S., Takahashi M., J. Appl. Phys. 90 (2001) n.1, 87-93
• [5] Lohner T., Petrik P., Polgar O., Khanh N.Q., Fried M., Gyulai J., Vacuum 50 (1998) n. 3-4, 487-490
• [6] Tsunoda K., Adachi S., Takahashi M., J, Appl. Phys. 91 (2002) n.5, 2936-2941
• [7] Giri P.K., Tripurasundari S., Raghavan G., Panigrahi B.K., Magudapathy P., Nair K.G.M., Tyagi A.K., J. Appl. Phys. 90 (2001) n.2, 659-669
• [8] Kulik M., Komarov F.F., Maczka D., Acta Phys. Polonica A 96 (1999) n.1, 131-135
• [9] Kulik M., Komarov F.F., Mączka D., Vacuum 63 (2001) 755-759
• [10] Kulik M., Kobzev A.P., Jaworska D., Żuk J., Feliks J., Vacuum – praca przyjęta do druku
• [11] Aspnes D.E., Studna A.A., Phys. Rev. B 27 (1983) 985
• [12] Jezierski K., Kulik M., Opt. Commun 71 (1989) 285-289