Electrical properties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2

• Autorzy: Fedotov A. , Tarasik M. I. , Svito I. A. , Mammadov T. G. , Zhukowski P. , Koltunowicz T. N. , Seyidov M. Y. , Suleymanov R. A. , Grivickas V. , Bicbaevas V.

Warianty tytułu

PL

Właściwości elektryczne monokryształów TlGaSe2 and TlInS2

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

In the doped crystals TlGaSe2 and TlInS2, using method of temperature dependencies of DC resistance in the temperature range of 100 – 300 K, the phase transitions at the temperatures of 240 – 245 K and 105 – 120 K were observed. The AC conductance measurements at room temperature indicated the hopping mechanism of carrier transport in the studied samples.

PL

W domieszkowanych kryształach TlGaSe2 i TlInS2 dla temperaturowych zależnościach rezystancji z przedziału 100 – 300 K zmierzonej przy użyciu prądu stałego zaobserwowano przejścia fazowe w przedziałach temperatur 240 – 245 K i 105 – 120 K. Pomiary konduktywności przy użyciu prądu przemiennego w temperaturze pokojowej wskazały skokowy mechanizm przenoszenia ładunków w badanych próbkach.

Słowa kluczowe

EN

layered crystal; phase transition; DC resistance; AC conductance

PL

kryształ warstwowy; przejście fazowe; rezystancja stałoprądowa; zmiennoprądowa przewodność

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2012
• Tom: R. 88, nr 7a
• Strony: 301--304
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Fedotov A.

autor

Tarasik M. I.

autor

Svito I. A.

autor

Mammadov T. G.

autor

Zhukowski P.

autor

Koltunowicz T. N.

autor

Seyidov M. Y.

autor

Suleymanov R. A.

autor

Grivickas V.

autor

Bicbaevas V.

• Belarusian State University, 4 Nezavisimosti Str., 220040 Minsk, Belarus,

Bibliografia

• [1] Panich A.M., Electronic properties and phase transitions in low-dimensional semiconductors, Journal of Physics: Condensed Matter, 20 (2008), 3-31
• [2] Şenturk E., Tumbek L., Salehli F., Mikailov F.A., Incommensurate phase properties of TlGaSe2 layered crystals, Crystal Research and Technology, 40 (2005), No. 3, 248-252
• [3] Mikailov F.A., Basaran E., Mammadov T.G., Seyidov M.Yu., Senturk E., Dielectric susceptibility behaviour in the incommensurate phase of TlInS2, Physica B, 334 (2003), No. 1, 13-20
• [4] Mikailov F.A., Basaran E., Entu E.S., Mbek L.Tu., Mammadov T.G., Aliev V.P., Phase transitions and metastable states in TlGaSe2, Phase Transitions, 76 (2003), No. 12,1057-1064
• [5] Abdullayev N.A., Mammadov T.G. Suleymanov R.A., Negative thermal expansion in the layered semiconductor TlGaSe2, Physica Status Solidi (b), 242(2005), 983-989
• [6] Seyidov H.Yu., Suleymanov R.A., Anomalies in the electrophysical, thermal, and elastic properties of layered ferroelectric semiconductor TlGaSe2: Instability in the electronic subsystem, Physics of the Solid State, 50 (2008),1219-1226
• [7] Suman C.K., Prasad K., Choudhary R.N.P., Electrical properties of Pb2Bi3NdTi5O18 ceramic, Materials Chemistry and Physics, 82 (2003), No. 1, 140-144
• [8] Mott N.F., Davis E.A., Electronic Processes in Noncrystalline Materials, 2nd edn, Oxford Univ. Press, Oxford, 1979
• [9] Zukowski P., Koltunowicz T., Partyka J., Fedotova Yu.A., Larkin A.V., Hopping conductivity of metal-dielectric nanocomposites produced by means of magnetron sputtering with the application of oxygen and argon ions, Vacuum, 83 (2009), Supplement 1, S280-S283
• [10] Zukowski P., Koltunowicz T., Partyka J., Wegierek P., Komarov F.F., Mironov A.M., Butkievith N., Freik D., Dielectric properties and model of hopping conductivity of GaAs irradiated by H+ ions, Vacuum, 81(2007), No. 10, 1137-1140
• [11] Zukowski P., Koltunowicz T., Partyka J., Wegierek P., Kolasik M., Larkin A.V., Fedotova J.A., Fedotov A.K., Komarov F.F., Vlasukova L.A., A model of hopping recharging and its verification for nanostructures formed by the ion techniques, Przeglad Elektrotechniczny, 84 (2008), No. 3, 247-249 (In Polish)
• [12] Fedotov A.K., Shumsli S.A., Ulyashin A.G., Bumai Yu.A. , Electrical properties of silicon bicrystals manufactured by direct bonding, Izvestiya VUZov, Materialy elektronnoi techniki, 1 (1998), 9-12 (In Russian)
• [13] Montroll E.W., Sher H., Random walks on lattices. IV. Continuous-time walks and influence of absorbing boundaries, Journal of Statistical Physics, 9 (1973), No. 2, 101-135