Modeling the self-annealing in electroplated copper films

• Autorzy: Freundlich P.
• Konferencja: Metody oceny struktury oraz własności materiałów i wyrobów / Międzynarodowe Sympozjum (XIX ; 30.11.-02.12.2004 ; Rožnov pod Radhoštěm, Czechy)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

A simple phenomenological model describing experimentally observed self-annealing in copper thin films at room temperature was developed. The model proposes that the rate of grain size evolution depends primarily on the initial grain size of the as-deposited film and that the observed abnormal grain growth is viable only after desorption of incorporated additives. By calibrating to the measured data, the model has predictive capabilities for the normalized resistivity evolution of thin copper films used in the semiconductor industry.

Słowa kluczowe

EN

copper films; semiconductor industry

• Wydawca: Oficyna Wydawnicza Politechniki Opolskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe. Mechanika / Politechnika Opolska
• Rocznik: 2004
• Tom: z. 78
• Strony: 73--78
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Freundlich P.

• Technical University Ostrava, Czech Republic

Bibliografia

• [1] R.D. MIKKOLA, et. al: Plating and Surface Finishing Vol. 87 (2000) p. 81.
• [2] C. UNGK and M.E. GROSS: J. Appl. Phys. Vol. 84 (1998), p. 5547.
• [3] P. FREUNDLICH: Zeszyty Naukowe Politechniki Opolskiej, Mechanika, z.76, Nr. 290, (2003), p.75.
• [4] P. FREUNDLICH, M. MKITZER and D. BIZZOTTO in Copper Interconnects, New Contact Metallurgies, and Low-k Interlevel Dielectrics, ed. G.S. Mathad, ECS Proceedings (2003), p.76.
• [5] S.H. BRONGERSMA, et.al.: J. Mater. Res. Vol.17 (2002) p.582.
• [6] M. VERDIER, Y. BRECHET and P. GUYOT: Acta Mater. Vol. 47 (1999), p. 127.
• [7] J. GO, W.J. POOLE, M. MBLITZER and M.A. WELLS: Mat. Sci. Techn. Vol. 19 (2003), p. 1361.