Sterowniki wysokonapięciowych tranzystorów IGBT

• Autorzy: Gawecka H. , Januszewski S.

Warianty tytułu

EN

Controllers for high-voltage IGBT transistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono wymagania stawiane sterownikom wysokonapięciowym (4,5 i 6,5 kV) tranzystorów IGBT. Zwrócono uwagę na niezbędny poziom napięć probierczych, zapewniających bezpieczeństwo użytkowania przekształtników zbudowanych z tych przyrządów. Omówiono zasady konstrukcji, monitorowania prawidłowości działania i układy zabezpieczeń sterowników IGBT.

EN

Requirements imposed on the controllers for high-voltage IGBT transistors (4,5 and 6,5 kV). Attention focused on the necessary level of testing voltages ensuring safety of using converters set up from these devices. Discussion of design principles, monitoring the correctnes of operation and protection systems of the a.m. controllers.

Słowa kluczowe

PL

sterowniki wysokonapięciowe; tranzystory IGBT; napięcia probiercze; przekształtniki; sterowników IGBT

EN

IGBT transistors; high voltage; voltages ensuring safety; protection systems; controllers

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 2003
• Tom: R.LXXI, nr 3
• Strony: 96--98
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Gawecka H.

• Redaktor działowy WE

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki w Warszawie

Bibliografia

• [1] GAWECKA H., JANUSZEWSKI S.: Rozwój tranzystorów IGBT a ich niezawodność. Wiadomości Elektrotechniczne 2000 nr 5
• [2] RAHIMO M. et al.: Extending the Boundary Limits of High Voltage IGBTs and Diodes to above 8 kV. Proc. of the 14th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits. June 2002, Santa Fe (USA)
• [3] RUEDI H., KOHLI P.: Driver Solutions for High Voltage IGBTs. PCIM Europe, April 2002