Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Controllers for high-voltage IGBT transistors
Języki publikacji
Abstrakty
Przedstawiono wymagania stawiane sterownikom wysokonapięciowym (4,5 i 6,5 kV) tranzystorów IGBT. Zwrócono uwagę na niezbędny poziom napięć probierczych, zapewniających bezpieczeństwo użytkowania przekształtników zbudowanych z tych przyrządów. Omówiono zasady konstrukcji, monitorowania prawidłowości działania i układy zabezpieczeń sterowników IGBT.
Requirements imposed on the controllers for high-voltage IGBT transistors (4,5 and 6,5 kV). Attention focused on the necessary level of testing voltages ensuring safety of using converters set up from these devices. Discussion of design principles, monitoring the correctnes of operation and protection systems of the a.m. controllers.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
96--98
Opis fizyczny
Bibliogr. 3 poz., rys., tab.
Twórcy
Bibliografia
- [1] GAWECKA H., JANUSZEWSKI S.: Rozwój tranzystorów IGBT a ich niezawodność. Wiadomości Elektrotechniczne 2000 nr 5
- [2] RAHIMO M. et al.: Extending the Boundary Limits of High Voltage IGBTs and Diodes to above 8 kV. Proc. of the 14th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits. June 2002, Santa Fe (USA)
- [3] RUEDI H., KOHLI P.: Driver Solutions for High Voltage IGBTs. PCIM Europe, April 2002
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPOD-0001-0115