Design of Bandgap Core and Startup Circuits for All CMOS Bandgap Voltage Reference

• Autorzy: Hongprasit S. , Sa-Ngiamvibool W. , Aurasopon A.

Warianty tytułu

PL

Projektowanie pasmowego rdzenia i obwodu startowego pasmowych źródeł napięcia referencyjnego

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

This paper proposes a new self-biased op-ampˇŚs startup circuit design and improved bandgap core circuit for all CMOS bandgap voltage reference (BGR). In a conventional BGR circuit, the startup circuit may be designed either be required an external power on reset signal (POR) or composed of several MOS transistors for generating bias current and the bandgap core circuits has two nodes that are controlled currents and voltages by resistors of the same value. The new startup circuit presented here is designed by using only one NMOS transistor with circuit solutions suitable for low supply-voltage operation and achieved the correct bias point stability at the power on and the bandgap core circuit is defined the currents and voltages only one node which can be controlled by input voltages definition of op-amp are equalized for reducing the number of resistor. The simulation results indicate reference voltage of about 500.2 mV, temperature coefficient(TC) of 5ppm/˘XC, which can be successfully operated with a minimum power supply of 1.2V at a temperature of 0-100˘XC and a total power dissipation of 10.7 �ÝW at room temperature.

PL

W artykule zaproponowano nowe możliwości projektowania CMOS pasmowych wzorców napięcia. W obwodach konwencjonalnych wymaga ne jest użycie zewnętrznego sygnału resetu albo użycie kilku tranzystorów MOS generujących prąd polaryzacji. W nowej koncepcji wykorzystywane są tylko tranzystory NMOS co umożliwia pracę przy niskim napięciu zasilającym.

Słowa kluczowe

EN

band gap voltage reference; BGR; CMOS

PL

napięcie referrencyjne; CMOS

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2012
• Tom: R. 88, nr 4a
• Strony: 277--280
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Hongprasit S.

autor

Sa-Ngiamvibool W.

autor

Aurasopon A.

• Saweth Hongprasit, Faculty of Engineering, Mahasarakham University, Tambon Khamriang, Kantharawichai District, Maha Sarakham 44150 Thailand,

Bibliografia

• [1] K. E. Kuijk, “A precision reference voltage source,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. SC-8, June 1973, pp. 222–226.
• [2] H.Banba, H.Shiga, S.Umezawa, T.Miyaba, etc. “A CMOS Band gap Reference Circuit with Sub-1V Operation,” IEEE J. Solid-State Circuit, vol. 34, May 1999, pp670-674
• [3] Han Wang, Qing Ye, “0.5-V operational transconductance amplifier for CMOS band gap reference application” Solid- State and Integrated Circuit Technology, 8th, 2006, pp1705 – 1707.
• [4] Yang Li, Shi Yufeng, Li Lian, Zheng Zengyu, “CMOS bandgap voltage reference with 1.8-V power supply” ASIC, 5th International Conference on , Vol. 1, Oct. 2003, pp611 – 614
• [5] A. Boni, “Op-amps and startup circuits for CMOS bandgap references with near 1-V supply,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 37, no. 10, Oct.2002, pp.1339–1343,
• [6] Ytterdal, T. CMOS Bandgap voltage reference circuit for supply voltages down to 0.6 V. IEEE Electronics Letters, 39(20), 2003, 1427-1428.