Parallel operation of MOSFET and IGBT transistors in resonant mode converter

• Autorzy: Worek C. , Ligenza S.

Warianty tytułu

PL

Symulacja i badanie układu równolegle połączonych tranzystorów MOSFET i IGBT pracujących w zasilaczu rezonansowym

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wyniki symulacji i pomiarów układu równolegle połączonych tranzystorów MOSFET i IGBT pracujących w zasilaczu rezonansowym w trybie „soft-switching”. Porównano straty mocy w poszczególnych tranzystorach oraz w przypadku równoległego ich połączenia. Wykazano, że konfiguracja równoległa jest obiecującą konfiguracją do zastosowania w zasilaczach rezonansowych w których występują, ze względu na charakter układu, duże przetężenia prądu.

EN

In this paper a parallel operation of MOSFET and IGBT transistors in soft switching applications is analysed by means of the simulation procedure and implementation in test circuits. Power loses in MOSFET, IGBT and for parallel connection was compared. It shows that parallel configuration is the best choice for high power resonant mode converters.

Słowa kluczowe

PL

równoległe połączenie kluczy półprzewodnikowych; zasilacz rezonansowy; klasa DE

EN

parallel operation of semiconductor switches; class DE resonant converter; resonant-mode power supplies; soft switching

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2010
• Tom: R. 86, nr 7
• Strony: 317--319
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Worek C.

autor

Ligenza S.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Instytut Elektroenergetyki, al. Mickiewicza, 30-059 Kraków, E-mail: [e-mail]; mgr inż. Sławomir Ligenza, Fideltronik Sp. z o.o., ul. Cystersów 19, 51-553 Kraków,,

Bibliografia

• [1] Worek C., Ligenza S., patent nr P385472 UP RP 2008
• [2] Pressman A. I., Switching power supply design, New York, McGraw-Hill, 1991
• [3] Pawelski W.,Sterowanie tranzystorów IGBT, Politechnika Łódzka, Łódź, 2001
• [4] Cotorogea M., Analysis of IGBT Behaviour in ZVS Commutation Based on Measurements and Circuit Simulation, EPE, Graz, 2001
• [5] Worek C., Równoległa praca tranzystorów MOS i IGBT w układach przełączających, Elektronizacja, 11 (2003), 11-13