Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
Identyfikatory
Warianty tytułu
Symulacja i badanie układu równolegle połączonych tranzystorów MOSFET i IGBT pracujących w zasilaczu rezonansowym
Języki publikacji
Abstrakty
W artykule przedstawiono wyniki symulacji i pomiarów układu równolegle połączonych tranzystorów MOSFET i IGBT pracujących w zasilaczu rezonansowym w trybie „soft-switching”. Porównano straty mocy w poszczególnych tranzystorach oraz w przypadku równoległego ich połączenia. Wykazano, że konfiguracja równoległa jest obiecującą konfiguracją do zastosowania w zasilaczach rezonansowych w których występują, ze względu na charakter układu, duże przetężenia prądu.
In this paper a parallel operation of MOSFET and IGBT transistors in soft switching applications is analysed by means of the simulation procedure and implementation in test circuits. Power loses in MOSFET, IGBT and for parallel connection was compared. It shows that parallel configuration is the best choice for high power resonant mode converters.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
317--319
Opis fizyczny
Bibliogr. 5 poz., rys., wykr.
Twórcy
autor
autor
- Akademia Górniczo-Hutnicza, Instytut Elektroenergetyki, al. Mickiewicza, 30-059 Kraków, E-mail: worek@agh.edu.pl; mgr inż. Sławomir Ligenza, Fideltronik Sp. z o.o., ul. Cystersów 19, 51-553 Kraków,, slawomir.ligenza@fideltronik.com.pl
Bibliografia
- [1] Worek C., Ligenza S., patent nr P385472 UP RP 2008
- [2] Pressman A. I., Switching power supply design, New York, McGraw-Hill, 1991
- [3] Pawelski W.,Sterowanie tranzystorów IGBT, Politechnika Łódzka, Łódź, 2001
- [4] Cotorogea M., Analysis of IGBT Behaviour in ZVS Commutation Based on Measurements and Circuit Simulation, EPE, Graz, 2001
- [5] Worek C., Równoległa praca tranzystorów MOS i IGBT w układach przełączających, Elektronizacja, 11 (2003), 11-13
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPOC-0057-0098