Silicide formation on silicon by dense compression plasma treatment

• Autorzy: Anishchik V. , Uglov V. , Kvasov N. , Petykhou Y. , Astashynski V. , Kuzmitski A. , Zhukowski P. , Karwat C. , Zhukowski P. , Fedotova J.

Warianty tytułu

PL

Powstawanie krzemków na krzemie pod wpływem działania gęstej plazmy kompresyjnej

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

In the present paper the means of applying compression plasma flows (CPF) for deep metal doping of silicon, formation of single- and multiphase metal silicide as well as submicron silicide structures are discussed. The action of CPF on Fe/Si and Ni/Si systems results in the formation of silicon dendries and metal silicides á-FeSi2 and NiSi, NiSi2 respectively. Metal silicides are preferably localized between the silicon dendrites’ branches.

PL

Prezentowany artykuł omawia zastosowanie strumieniowej plazmy kompresyjnej do głębokiego domieszkowania krzemu metalem oraz powstawanie jedno- i wielofazowych krzemków metali oraz submikroskopowych struktur krzemkowych. Działanie strumieniowej plazmy kompresyjnej na układy Fe/Si oraz Ni/Si powoduje tworzenie się dendrytów krzemowych i krzemków metali odpowiednio - .-FeSi2 i NiSi.

Słowa kluczowe

EN

silicides; compression plasma; dendrites; solidification

PL

krzemki; plazma kompresyjna; dendryty; krzepnięcie

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2010
• Tom: R. 86, nr 7
• Strony: 311--313
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Anishchik V.

autor

Uglov V.

autor

Kvasov N.

autor

Petykhou Y.

autor

Astashynski V.

autor

Kuzmitski A.

autor

Zhukowski P.

autor

Karwat C.

autor

Zhukowski P.

autor

Fedotova J.

• Belarusian State University, 4 Nezavisimosti Ave., 220030 Minsk, Belarus,

Bibliografia

• [1] Palacio C., Arranz A., Nanoscale ion-beam mixing of Ti/Si interfaces: An X-ray photoelectron spectroscopy and factor analysis study, Surface Science, 578 (2005), 71-79
• [2] Yoshitake T., Nagamoto T., Nagayama K., Microstructure of β-FeSi2 thin films prepared by pulsed laser deposition, Thin Solid films, 381 (2001), 236-243
• [3] Matsubara K., Nagao K., Kishimoto K., Anno H., Koyanagi T., Electronic structure of β-FeSi2 modified by r.f.- plasma of semiconducting SiH4, GeH4 gas, Thin Solid films, 381 (2001), 183-187
• [4] Uglov V.V., Kvasov N.T., Petukhou Yu.A., Astashynski V.M., Kuzmitski A.M., Structural and phase changes in iron-on-silicon treated by compression plasma flows Vacuum, 83 (2009), No.9, 1152-1154
• [5] Borisenko V.E., Semiconducting Silicides, Springer, 2001
• [6] Kaya H., Cadirli E., Gunduz M., Dendritic growh in an aluminium-silicon alloy Journal of Materials Engineering and Performance, 16 (2007), No.1, 12-21
• [7] Smithells Metal Reference Book Butterworth Heinerman 1992