Badania temperaturowe energii aktywacji defektów radiacyjnych w silnie zdefektowanym krzemie

• Autorzy: Węgierek P. , Zhukowski P. , Billewicz P.

Warianty tytułu

EN

Temperature testing of radiation defect activation energy in strongly defected silicon

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule zaprezentowano rezultaty badań silnie zdefektowanego krzemu i omówiono występujące w nim mechanizmy zmiennoprądowego przewodnictwa. Uzyskane rezultaty potwierdzają występowanie dwóch mechanizmów przewodzenia w silnie zdefektowanych półprzewodnikach, tj. pasmowego, charakterystycznego dla małych częstotliwości i skokowego, odpowiadającego wyższym częstotliwościom.

EN

The article presents results of testing electrical properties of ion-implanted silicon and discusses mechanisms of alternating-current electrical conduction that occurs in it. The obtained results have confirmed the occurrence of two conduction mechanisms in strongly defected semiconductors i.e. the band one that is characteristic for low frequency values and the jump one that corresponds to higher frequencies.

Słowa kluczowe

PL

defekty radiacyjne; energia aktywacji; przewodność skokowa, krzem; implantacja jonowa

EN

radiation defects; activation energy; hopping conductivity; silicon; ion implantation

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2010
• Tom: R. 86, nr 7
• Strony: 293--295
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Węgierek P.

autor

Zhukowski P.

autor

Billewicz P.

• Wydział Elektrotechniki i Informatyki, Politechnika Lubelska, 20-618 Lublin ul.Nadbystrzycka 38A,

Bibliografia

• [1] Żukowski P., Partyka J., Węgierek P., Effect of ion implantation and annealing on the dielectric properties of silicon. Phys. Stat. Sol. (a), 159 (1997), 509-515
• [2] Partyka J., Żukowski P., Węgierek P., Rodzik A., Sidorenko Y., Szostak Y., Temperature dependence ofthe width of the deep-level band in silicon with a high concentraction of defects. Semiconductors, 36 N.12 (2002), 1326-1331
• [3] Newman R.C., Totterdell D.N.J., An optical study of defects in silicon irradiated with fast neutrons, J. Phys. C.: Solid State Phys, 8, 3944, (1975)
• [4] Żukowski P., Kołtunowicz T., Partyka J., Węgierek P., Kolasik M., Larkin A.V., Fedotova J.A., Fedotov A.K., Komarov F.F., Vlasukova L., Model przewodności skokowej i jego weryfikacja dla nanostruktur wytwarzanych technikami jonowymi, Przegląd Elektrotechniczny, 3 (2008), 247-249
• [5] Mott N.F., Davis E.A., Electronic process in noncrystalline materials. Clarendon Press, Oxford, 1979