Wytwarzanie i właściwości fizyko-chemiczne cienkich półprzewodnikowych warstw tlenku indu do czujników gazów

• Autorzy: Lugin V. , Zarskij I. , Zukovski P.

Warianty tytułu

EN

Producing of gas sensitive semiconductor structures based on Indium oxide thin films and their physicochemical properties

• Języki publikacji: RU

Abstrakty

PL

Opracowano technologię wytwarzania czujników gazów na podstawie cienkich warstw półprzewodnikowych InO wytwarzanych magnetronowym rozpylaniem indu i jego utlenianiem termicznym. Metodami dyfrakcji elektronów SEM, AES, ESCA zbadano strukturę składu i morfologię powierzchni. Określono warunki wytwarzania warstw o wysokiej czułości i selektywności w stosunku do gazów NO2 oraz NH3.

EN

In this work the technology of produced of gas sensitive semiconductor structures based on Indium oxide thin films by magnetron sputtering of Indium with the subsequent thermal oxidation is developed. Structure, phase structure, morphology of a surface and a chemical composition of received films have been investigated by methods of electron diffraction, SEM, AES, ESCA. Conditions of formation In2O3 films with high sensitivity and selectivity to NO2, and NH3 are established.

Słowa kluczowe

PL

cienkie warstwy; tlenek indu; rozpylanie magnetronowe; czujniki gazu

EN

thin films; indium oxide; magnetron sputtering; gas sensors

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2010
• Tom: R. 86, nr 7
• Strony: 272--275
• Opis fizyczny: Bibliogr. 2 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Lugin V.

autor

Zarskij I.

autor

Zukovski P.

• Bielaruskij Gosudarstvennyj Technologiceskij Universitet ul. Serpova 13a Minsk,

Bibliografia

• [1] Luhin V., Zarapin V., Zharsky I.M., Zukovski P., Kolasik M., Kozak C. : Zastosowanie sensorów termoelektrycznych do analizy gazów, Elektronika №6 (2008), 262-264
• [2] Лугин В. Г., Жарский И. М., Жуковски П., Партыка Я. : Использование термоэлектрических эффектов тонких полупроводниковых пленок для создания химических газовых сенсоров, Przegląd Elektrotechniczny №3 (2008), 174-177