Investigation of crystalline structure defects in high-resistance monocrystals of gallium selenide

• Autorzy: Allakhverdiev K. , Bikbajevas V. , Grivickas V. , Odrinski A. , Guseinova D. , Salaev E. , Tarasik M. , Fedotov A.

Warianty tytułu

PL

Badanie defektów struktury krystalicznej w monokryształach selenku galu o wysokiej rezystywności

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The trapping centres in E-GaSe single crystals have been investigated by photo-induced current transient spectroscopy (PICTS). Five traps have been detected and their parameters are presented. It has been demonstrated that photo-induced depolarization oh the sample after processing in the frame of DLTS procedure could be used for determination of the traps parameters. The parameters of trap A5 obtained from PICTS and photo-induced depolarization relaxation are in close agreement.

PL

Badano centra pułapkowe w pojedynczych kryształach E-GaSe metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (PICTS). Wykryto pięć pułapek, których parametry zaprezentowano. Wykazano, że foto-indukowana depolaryzacja próbki po zastosowaniu spektroskopii niestacjonarnej pojemności (DLTS) może być użyta do określenia parametrów pułapek, Parametry pułapki A5 otrzymane przy pomocy PICTS oraz DLTS wykazują wysoki stopień zgodności.

Słowa kluczowe

EN

GaSe; layered crystals; PICTS; traps; photo-induced depolarization

PL

GaSe; kryształy warstwowe; PICTS; pułapki; fotoindukowana depolaryzacja

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2010
• Tom: R. 86, nr 7
• Strony: 208--210
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Allakhverdiev K.

autor

Bikbajevas V.

autor

Grivickas V.

autor

Odrinski A.

autor

Guseinova D.

autor

Salaev E.

autor

Tarasik M.

autor

Fedotov A.

• Marmare Research Centre of TUBITAK, Materials Institute, Gebze/Kocaeli, Turkey, Dr. Vitalijus Bikbajevas,

Bibliografia

• [1] Micocci G., Siciliano P., Tepore A. , J. Appl. Phys. 67 (1990), 6581-6582
• [2] Cui Y., Dupere R., Burger A., Johnstone D., Mandal C., . Payne S.A., J. Appl. Phys. 103 (2008),013710
• [3] Shigetomi S., Ikari T., Nakashima H., J. Appl. Phys., 80 (1996), No 8, 4779-4781
• [4] Hsu Y-K ., Chang C-S., Huang W-C., J. Appl. Phys., 96 (2004), No 3, 1563-1567
• [5] Hurter Ch., Boilou M., Mitonneau A., Bois D., Appl. Phys. Lett., 32 (1978), 821
• [6] Bube R.H., Photoconductivity of Solids, John Wiley and Sons,. New York, 1960
• [7] Fan Y., Bauer M., Kador L., Allakhverdiev K.R., Salaev E.Yu. J. Appl. Phys., 91 (2002), 1081
• [8] Gorokhovatsky Yu.A., Bordovsky G.A., Thermoactivation Current Spectroscopy of high-Resistance Semiconductors and Dielectrics, Nauka, Moscow (1991) [in Russian]