Modeling of the processes of low-dimensional structures formation on semiconductors surface by scanning laser radiation

• Autorzy: Manak I. , Medvid A. , Panfilionak E. , Wójcik W.

Warianty tytułu

PL

Tworzenie struktur periodycznych na powierzchni GaAs za pomocą silnej radiacji laserowej

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przeprowadzono analizę wyników eksperymentu obejmującego tworzenie struktur periodycznych na powierzchni GaAs za pomocą silnej radiacji laserowej. Zaproponowano fizyczny model procesu formowania struktur. Przedstawiono obliczenia numeryczne procesów ogrzewania i topienia obszarów przypowierzchniowych.

EN

The analysis of results of experiment in the formation of periodic structures on GaAs surface by powerful laser radiation was conducted. The physic model of the process of structures formation was proposed. The numerical calculations of heating and melting processes of near-surface region was conducted.

Słowa kluczowe

PL

tworzenie struktur nisko-wymiarowych; GaAs; naświetlanie laserowe

EN

low-dimensional structures formation; laser irradiation; GaAs

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2010
• Tom: R. 86, nr 7
• Strony: 139--141
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Manak I.

autor

Medvid A.

autor

Panfilionak E.

autor

Wójcik W.

• Belarusian State University, Prosp. Nezavisimosti, 4, 220030, Minsk, Belarus; email: [e-mail] prof. A. Medvid, Riga Technical University, Kalku Str. Riga

Bibliografia

• [1] Medvid’ A., Dmytruk I., Onufrijevs P., Pundyk I . , Properties of nanostructures formed by laser radiation on a surface of Ge, Si and GaAs single crystals, JLMN-Journal of Laser Micro/ Nanoengineering, 1 (2006), nr 3, 72-75
• [2] Photonics: theory and experiment. Under the editorship of Manak I.S. Мinsk: The Academy of Public Administration under the aegis of the President of the Republic of Belarus, 2008, 185 p, 52-58
• [3] Gallium arsenide. Preparation properties and uses. Under the editorship of Kesamala F.P. and Nasledov D.N. Мoskow:Nauka,1973, 492 p
• [4] http://www.minsk.gov.by/cgibin/ org_ps.pl?k_org=3084&mode=doc&doc=3084_8
• [5] Karix E.D., Manak I.S., Semiconductor lasers: course of lectures, Minsk: BSU, 1999, 199 p.
• [6] Koroteev N.I., Shumai I.L., Physics of the powerfull laser irradiation, Мoskow:Nauka, 1991, 312 p
• [7] Surface modification and alloying by laser, ion, and electron beams, Under the editorship of J.M. Poate. Transl from the Eng. by Mishkin N.K. Under the editorship of Uglov А.А. Мoskow: Mashinostroenie, 1987, 424p
• [8] Jvavi S.P., I vlev G.D. Sadovskaya О .L., Modeling of Phase transition, iniciated in GaAs by kombinated laser irradiation, Technical physics, 71 (2001), nr 1, 62-65
• [9] http://www.ee.byu.edu/cleanroom/OpticalCalc.phtml
• [10] Bialiauski U., Manak I., Wójcik W., Laser diodes in pulse – phase distance measurement, Przegląd Elektrotechniczny, nr 3/2008, 57-60