Ujawnienie historii radiacyjnej napromieniowanego elektronami krzemu otrzymanego metodą Czochralskiego poprzez po-radiacyjną obróbkę termiczną

• Autorzy: Misiuk A. , Jung W. , Prujszczyk M. , Bak-Misiuk J. , Felba J.

Warianty tytułu

EN

Revealing the electron irradiation history of Czochralski silicon by the post-irradiation thermal treatment

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Domieszkowany borem krzem otrzymany metodą Czochralskiego (Cz-Si), o orientacji (001) i o koncentracji domieszki tlenowej ok. 9x1017 cm-3, został napromieniowany elektronami o energii 40 keV i dawkach do 2.5x1016 cm-2. W wyniku wygrzewania w temperaturze do 1400 K, także pod wysokim ciśnieniem (do 1,2 GPa) argonu, ulega wydatnej zmianie koncentracja elektronów przewodnictwa oraz struktura defektowa Cz-Si. Podano wyjaśnienie tego zjawiska i zaproponowano jego wykorzystanie do ujawnienia napromieniowania krzemu elektronami.

EN

Boron doped (001) orientated Czochralski grown silicon (Cz-Si) with concentration of oxygen interstitials of about 9x1017 cm-3, was irradiated with electrons (energy 40 keV, doses up to 2.5x1016 cm-2). In effect of annealing at 1400 K, also under high hydrostatic Ar pressure, up to 1.2 GPa, concentration of carriers in the conduction band and defect structure of Cz-Si are changing markedly. Explanation of this effect is proposed and its application for revealing the electron irradiation history of Cz-Si is suggested.

Słowa kluczowe

PL

Cz-Si; napromieniowanie; obróbka wysokotemperaturowo-ciśnieniowa; elektron

EN

Cz-Si; irradiation; electron; high temperature-pressure treatment

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2010
• Tom: R. 86, nr 7
• Strony: 29--31
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Misiuk A.

autor

Jung W.

autor

Prujszczyk M.

autor

Bak-Misiuk J.

autor

Felba J.

• Instytut Technologii Elektronowej, Al. Lotników 46, 02-668 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Misiuk A., Surma B., Londos C.A., Bak-Misiuk J., Wierzchowski W., Wieteska K., Graeff W., Oxygen precipitation and creation of defects in neutron irradiated Cz-Si annealed under high pressure, Phys. Stat. Sol. (c), 2 (2005) 1812-1816
• [2] Misiuk A., Surma B., Bak-Misiuk J., Londos C.A., Vagovic P. , Kovacevic I., Pivac B., Jung W., Prujszczyk M. , Revealing the radiation-induced effects insilicon by processing at enhanced temperatures-pressures, Radiation Measurements, 42 (2007) 688-692
• [3] Misiuk A., Surma B., Bak-Misiuk J., Antonova I., Smagulova .A. Effect of enhanced pressure during annealing on the creation of defects in electron-irradiated silicon, Vacuum, 77 (2005), 513-517
• [4] Bak-Misiuk J., Felba J., Jung W., Megela I., Misiuk A., Surma B., Sposób wykrywania napromieniowania elektronami krzemu, Zgłoszenie patentowe P3866569, rok 2008
• [5] Jung W., Misiuk A., Bak-Misiuk J., Surma B., Londos C.A., Sposób wykrywania napromieniowania neutronami krzemu, Zgłoszenie patentowe P387858, rok 2009
• [6] Misiuk A., Jung W., Surma B., Jun J., Rozental M., Effect of stress induced defects on electrical