Półprzewodniki a techniki i technologie informacyjne

• Autorzy: Jakubowski A. , Łukasiak L. , Pióro Z.

Warianty tytułu

EN

Semiconductors and information technology

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Omówiono wpływ mikroelektroniki na rozwój technik technologii informacyjnych, krótko przedstawiono najważniejsze etapy historii mikroelektroniki, przedyskutowano wybrane problemy skalowania tranzystora MOS oraz sposoby ich rozwiązywania, rozważono ograniczenia dla działania prawa Moore'a w przyszłości.

EN

The influence of microelectronics on the development of information technology was described, the most important moments of microelectronics history were briefly presented, selected critical issues of MOSFET scaling were discussed, as well as possible solutions, future limitations to the validity of Moore's law were considered.

Słowa kluczowe

PL

CMOS; krzemogerman; mikroelektronika; skalowanie; technologia informacyjna; tranzystor MOS

EN

CMOS; microelectronics; MOSFET; scaling; SiGe; SOI; information technology

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne
• Rocznik: 2004
• Tom: nr 8-9
• Strony: 337--345
• Opis fizyczny: Bibliogr. 27 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Jakubowski A.

• Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej

autor

Łukasiak L.

• Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej

autor

Pióro Z.

• Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki Politechniki Warszawskiej

Bibliografia

• [1] UC Berkeley School of Information Management and Systems
• [2] Kurtzweil R.: The Age of Spiritual Machines: When Computers Exceed Human Intelligence, Viking, 1999
• [3] Mattern F.: Ubiquitous & Pervasive Computing: A Technology-driven Motivation, ETH Zurich, Aug. 2002
• [4] Newsweek, Jan. 27th, 1997
• [5] International Technology Roadmap for Semiconductors, SIA 2003
• [6] U'Ren G.: Connexant Systems, April 17, 2002, www. avsusergroups.org/papers/tfug
• [7] Palankovsky V., Selberherr S.: Critical modeling issues of SiGe semiconductor devices, J. Telecommunications & Information Technology, no. 1/2004
• [8] Lo S. -H., Buchanan D. A., Taur Y., Wang W.: Quantum-mechanical Modeling of electron tunneling current from the inversion layer of ultra-thin-oxide nMOSFET's IEEE Electron Dev. Lett., vol. 18, 1997
• [9] Osburn C. M. et al.: Vertically scaled MOSFET gate stacks and junctions: How far are we likely to go?, IBM J. Res. & Dev., vol. 46., 2002
• [10] Wong H. -S. P.: Beyond the conventional transistor, IBM J. Res. & Dev., vol. 46, no. 2/3, 2002
• [11] Skotnicki T.: Heading for decananometer CMOS - is navigation among icebergs still a viable strategy?, 30th European Solid-State Device Research Conference, 11-135 Sept. 2000, Cork (Ireland)
• [12] Brews J. R., Fichtner W., Nicollian E., Sze S. M.: Generalized guide for MOSFET miniaturization, IEEE Electron. Dec. Lett., vol. EDL-1
• [13] Plummer J. D., Griffin P. B.: Material and process limits in silicon VLSI technology, Proc. IEEE, vol. 89, 2001
• [14] Ranade P., Takeuchi H., Subramanian V., Jing T. -J.: A novel elevated source/drain PMOSFET formed by Ge-B/Si intermixing, IEEE Electron Dev. Lett., vol. 23, 2002
• [15] Iwai H., Ohmi S.: CMOS downsizing and high-k gate insulator technology, 4th IEEE International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems ICCDCS'2002, Proc. pp. D049-1 - D049-8, 2002
• [16] Keyes R. W.: Fundamental limits of silicon technology, IEEE Proc., vol. 89, 2001
• [17] Colinge J. -P.: Silicon-on-insulator technology: materials to VLSI, Kluwer Academic Publishers, 1995
• [18] Skotnicki T., Monfray S., Fenouillet-Beranger C.: Emerging silicon- on-nothing (SON) devices technology, Proc. of the Int. Symp. Silicon-on-insulator technology and Devices XI, Electrochem. Soc. Proc. vol. 2003-05, 2003.
• [19] Monfray S., Skotnicki T. et al.: First 80 nm SON (silicon-on-nothing) MOSFETs with perfect morphology and high electrical performance, IEDM Tech Dig., 2001
• [20] Li P. W., Liao W. M.: Analysis of Si/SiGe channel pMOSFETs for deep-submicron scaling, Solid-State Electron., vol. 46, 2002
• [21] Baddock S. G., O'Neill A. G., Chester E. G.: Device and circuit performance of SiGe/Si MOSFET, Solid-State Electron., vol. 46, 2002
• [22] Parker E. H. C., Whall T. E.: SiGe heterostructure CMOS circuits and applications, Solid-State Electron., vol. 43, 1999
• [23] Moore G. E.: Progress in digital integrated electronics, Digetst of the 1975 Intl. Electron Devices Meeting, IEEE, Washington D. C., Dec. 103, 1975
• [24] Moore G. E.: Cramming more components into integrated circuits, Electronics, vol. 38, 1965
• [25] Landauer R.: Information is physical, Phys. Today, vol. 44,1991
• [26] Lloyd S.: Ultimate physical limits to computation. Nature, vol. 406, 2000
• [27] Weiser M.: The Computer for the 21st century, Scientific American, September 1991