Półprzewodnikowe lasery telekomunikacyjne. Część I. : Lasery o stałej długości fali

• Autorzy: Mroziewicz B.

Warianty tytułu

EN

Semiconductor lasers for optical fibre telecommunications. Part I - Lasers with fixed wavelength

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono zasady działania laserów półprzewodnikowych, ich konstrukcję i podstawowe właściwości. Omówiono ważniejsze zagadnienia dotyczące laserów krawędziowych z rezonatorem Fabry-Perota, DBR i DFB oraz laserów VCSEL, pod względem ich zastosowania w łączach światłowodowych jako nadajników sygnałów optycznych.

EN

Physics fundamentals relevant to semiconductor lasers are recalled. Then edge emitting lasers with Fabry-Perot, DBR and DFB cavities, as well as VCSELs, all designed with respect to applications in fibre optic systems, are described.

Słowa kluczowe

PL

lasery półprzewodnikowe; sprzężenie zwrotne; lasery krawędziowe; lasery VCSEL

EN

semiconductor lasers; selective optical feedback; VCSELs

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne
• Rocznik: 2002
• Tom: nr 4
• Strony: 215--224
• Opis fizyczny: Bibliogr. 18 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Mroziewicz B.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Steele R. V.: Review and forecast of laser markets, Part H: Diode lasers, Laser Focus World, Vol. 36, No 2, 2000
• [2] Meyer M.: The Compound Semiconductor Industry in the 1990’s, Compound Semicond., Vol. 5 (9), Nov/Dec, 1999
• [3] Islam M., Nietubyc M.: Raman amplification opens the S-band window, WDM Solutions, March 2001
• [4] Hecht J.: Raman amplifiers boost system margins at high speed, Laser Focus World, Vol. 137, No 6, 2001
• [5] Fisher M. O., Reinhardt M., Forchel A.: Room -Temperature Operation of GalnAsN-GaAs Laser Diodes in the 1,5-pm Range, IEEE J. Select. Topics in Quantum Electron., Vol. 7, No 2, 2001
• [6] Stern F.: Calculated spectral dependence of gain in excited GaAs, J. Appl. Phys., Vol. 42, No 12, 1976
• [7] NakajimaY., Higuchi H., Kokubo Y., SakakibaraY., Kakimoto S., Na- mizaki H.: High-Power High-Reliability Operation of 1.3-pm p-Substrate Buried Crescent Laser Diodes, J. Lightwave Technol., Vol. LT-5, No 9, 1987
• [8] Tanbun-Ek T., Logan R. A. Temkin H., Olsson N. A., Sergent A. M., Wecht K. W.: High Output Power Single Longitudinal Mode Graded Index Separate Confinement Multiple Quantum Well InGaAs/lnP Distributed Feedback (GRIN SCH MOW DFB) Lasers, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 2, No 7, 1990
• [9] Ishikawa H., Soda H., Wakao K., Kihara K., Kamite K., Kotaki Y., Matsuda M., Sudo H., Yamakoshi S., loszumi S, Imai H.: Distributed Feedback Laser Emitting at 1,3 pm for Gigabit Communication Systems, J. Lightwave Technol., Vol. LT-5, No 6,1987
• [10] Marcuse D., Lee T. P.: On approximate analytical solutions of rate equasions for studying transient spectra of injection lasers, IEEE J. Quantum Electron., Vol. QE-19, 1983
• [11] Lin Ch.: Fine structure of frequency chirping and FM sideband generation in single-longitudinal-mode semiconductor lasers under 10-GHz direct intensity modulation, Appl. Phys. Lett., Vol. 46, No 1, 1985
• [12] Marshall D., Norrie C.: Advances in Gain Elements for External-Cavity Lasers Expand Applications, Europhotonics, December/January 2002
• [13] Lee T-P.: Recent Advances in Long-Wavelength Semiconductor Lasers for Optical Fiber Communication, Proc. IEEE, Vol. 79, No 3, 1991
• [14] Chow W. W., Choquette K. D., Crawford M. H., Lear K. L., Hadley G. R.: Design, Fabrication, and Performance of Infrared and Visible Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, IEEE J. Quantum Electron., Vol. 33, No 10, 1997
• [15] QianY., Zhu Z. H., Lo Y. H., Huffaker D. L., Deppe D. G., Hou H. Q., Hammons B. E., Lin W., Tu Y. K.: Low-Threshold Proton-Implanted 1.3-pm Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers with Dielectric and Wafer-Bonded GaAs-AIAs Bragg Mirrors, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 9, No 7,1997
• [16] Boucart J., Starek C., Gaborit F., Plais A., Bouchś N., Deroin E., Goldstein L., Fortin C. Carpentier D., Salet P., Brillouet F., Jacquet J.: 1-mW CW-RT Monolithic VCSEL at 1,55 pm, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 11, No 6,1999
• [17] Whitaker T.: Long Wavelengths VCSELs Move Closer to Reality, Compound Semicond., Vol. 6 (5), 2000
• [18] Mroziewicz B.: Lasery półprzewodnikowe o przestrajalnej długości fali: perspektywy aplikacji w sieciach optycznych. Przegląd Telekomunikacyjny i Wiadomości Telekomunikacyjne nr 3, 2002