Udoskonalone dyskretne wysokonapięciowe przyrządy półprzewodnikowe

• Autorzy: Januszewski S.

Warianty tytułu

DE

Improve discrete high voltage high power semiconductor instruments

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przeanalizowano materiały z trzech najważniejszych międzynarodowych konferencji poświęconych energoelektronice, które odbyły się w 1999 r. Omówiono modyfikacje wysokonapięciowych przyrządów półprzewodnikowych oraz tyrystory wyłaczalne GTO i GCT. Przedstawiono tranzystory IGBT i IEGT oraz tranzystory polowe MOSPET i ich modyfikacje.

EN

Analysis of the matetials from the three most importam international conferences on power electronics held in 1999. Modifications of high voltage semiconductor instrtuments. GTO and GCT gaie-controlled swit- ches. IGBT, IEGT and MOSFET transistors and their modification.

Słowa kluczowe

PL

przyrządy półprzewodnikowe; tyrystory wyłączalne GTO; tyrystory wyłączalne GCT; tranzystory IGBT; tranzystory IEGT; tranzystory polowe; tranzystory polowe MOSFET

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 2000
• Tom: nr 6
• Strony: 290--298
• Opis fizyczny: Bibliogr. 34 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki Warszawa

Bibliografia

• [1] BALIGA B.J.: Trends in Power Discrete Devices. Proc. of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs - ISPSD ' 98. June 1998, Kyodo (Japan)
• [2] BERNET S., STEIMER P.K.: IGCTs in Soft Switching Power Converters. Proc. of EPE'99. Sept. 1999, Lausanne (Switzerland)
• [3] DAUVIN J.P.: Semiconductor Industry Megatrends. Proc. of Power Conversion Conference - PCIM' 98. May 1998, Nürnberg (Germany)
• [4] GAWECKA H., JANUSZEWSKI S.: Perspektywy rozwoju tyrystorów wyłączalnych. Wiadomości Elektrotechniczne 1998 nr 8
• [5] GAWECKA H., JANUSZEWSKI S.: Niezawodność wysokonapięciowych modułów IGBT dużej mocy. Wiadomości Elektrotechniczne 1999 nr 8
• [6] GAWECKA H., JANUSZEWSKI S.: Problemy konstrukcyjne przekształtników z modułami tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką IGBT dużej mocy. Wiadomości Elektrotechniczne 1999 nr 9
• [7] GAWECKA H., JANUSZEWSKI S.: Porównanie charakterystyk eksploatacyjnych tranzystorów energoelektronicznych MOSFET i IGBT. Wiadomości Elektrotechniczne 1999 nr 11
• [8] GRUENING H.E., ODEGARD B.: High Performance Low Costes MVA Converters Realised with Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT). Proc. of EPE'97, t. 2. Sept. 1997, Trondheim (Norway)
• [9] JANUSZEWSKI S., ZYMMER K.: Osiągnięcia i prognozy rozwoju dotyczące dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów mocy i modułów energoelektronicznych. Sympozjum PPEE' 97
• [10] JANUSZEWSKI S., KOCISZEWSKA-SZCZERBIK M.: Tyrystory polowe sterowane bramkami MOS. Wiadomości Elektrotechniczne 1998 nr 6
• [11] JANUSZEWSKI S.: Tyrystor wyłączalny komutowany bramką - nowy łącznik energoelektroniczny. XII Beskidzkie Seminarium Elektryków - BSE' 98. Istebna, październik 1998
• [12] JANUSZEWSKI S., ZYMMER K.: Problemy występujące przy stosowaniu tyrystorów wyłączalnych (GTO) w układach energoelektronicznych. Prace Instytutu Elektrotechniki 1998 zeszyt 198
• [13] JANUSZEWSKI S.: Przegląd aktualnych tendencji rozwojowych w dziedzinie energoelektroniki. Podstawowe Problemy Energoelektroniki i Elektromechaniki. VIII Sympozjum PPEE'99. Ustroń, 22-25 marca 1999
• [14] JANUSZEWSKI S.: Sprawdzanie obszarów bezpiecznej pracy dotyczących tranzystorów IGBT. Wiadomości Elektrotechniczne 1999 nr 5
• [15] JANUSZEWSKI S., ZYMMER K.: Overcurrent Protection Coordination in Converters with IGBT Transistors. Proc. of EPE '99. September 1999, Lausanne (Switzerland)
• [16] JANUSZEWSKi S.: Nowe wysokonapięciowe przyrządy półprzewodnikowe dużej mocy. XIII Beskidzkie Seminarium Elektryków - BSE' 99. Istebna, listopad 1999
• [17] JANUSZEWSKI S.: Obudowy pastylkowe z dociskiem zewnętrznym tranzystorów IGBT umożliwiające chłodzenie obustronne. Wiadomości Elektrotechniczne 1999 nr 12
• [18] KAWAGUCHI Y. i in.: Predicted Electrical Characteristics of 4500V Super Multi-Resurf MOSFETs. Proc. of ISPSD'99, May 1999, Toronto
• [19] KURACH K. i in.: GCT Thyristor - A Novel Approach to High Power Conversion. Proc. of Power Conversion - PCIM' 98. May 1998, Nürnberg (Germany)
• [20] LORENZ L., MARZ M.: CoolMOS^TM - A New Approach Towards an Idealized Power - Switch. Proc. of EPE' 99. Sept. 1999, Lausanne (Switzerland)
• [21] LORENZ L., MÄRZ M.: CoolMOS^TM - A New Approach Towards High Efficient Power Supplies. Proc. of Power Conversion - PCIM ' 99. June 1999, Nürnberg (Germany)
• [22] LORENZ L.: System Integration - New Milestone for Future Power Electronic Systems. Proc. of PCIM'98. May 1998, Nürnberg (Germany)
• [23] MATSUDA H. i in.: High Power (4,5 kV; 4 kA turn-off) IEGT. Proc. of EPE'99. Sept. 1999 Lausanne (Switzerland)
• [24] MATSUDA H.: New Advanced Power Semiconductors. Proc. of PCIM'98. May 1998, Nürnberg
• [25] MAYNARD T.A.: High Power Converter Topologies. Proc. of PCIM'98. May 1998, Nürnberg
• [26] NAKAGAWA T. i in.: A New High Power Device: GCT thyristor. Proc. of EPE' 97, t. 2. Sept. 1997, Trondheim (Norway)
• [27] PETER J.M.: Main Future Trends for Power Semiconductors from the State of the Art to Futur Trends. Proc. of Power Conversion - PCIM' 99. June 1999, Nürnberg (Germany)
• [28] SATOH K. i in.: 6 kV/4 kA Gate Commutated Turn-off Thyristor with Operation DC Voltage of 3,6 kV. Proc. of ISPSD' 98. June 1998, Kyoto (Japan)
• [29] SHENOY P.M. i in.: Analysis of the Effect of Charge Imbalance on the Static and Dynamic Characteristics of the Super Junction MOSFET Proc. of ISPSD'99. May 1999, Toronto
• [30] STEIMER P.K. i in.: The IGCT - The Key Technology for Low Cost, High Reliable High Power Converters with Senes Connected Turn-off Devices. Proc. of EPE'97. t. 1. Sept. 1997 Trondheim (Norway)
• [31] STILLMAN H.M.: IGCT - Megawatt Power Switches for Medium-Voltage Applications, ABB Review 1997 nr 3
• [32] TAKATA I. i in.: Snubberless Turn-off Capability of Four-inch 4,5 kV GCT Thyristor. Proc. of ISPSD'98. June 1998, Kyoto (Japan)
• [33] UNDELAND T. i in.: Switching Properties of the New CooIMOS Transistor. Proc. of EPE' 99. Sept. 1999, Lausanne (Switzerland)
• [34] ZELLER H.: High Power Components - From the State of the Art to Future Trends. Proc. of Power Conversion - PCIM'98. May 1998, Nürnberg