Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Production process of grooved gates in IGBT transistors
Języki publikacji
Abstrakty
Omówiono wytwarzanie tranzystorów IGBT z bramkami rowkowymi, Przedstawiono właściwości tranzystorów IGBT o napięciach blokowania 600 V; 1,2-2,4 kV> 3,3 kV.
Production process of IGBT transistors with grooved gates. Properties of IGBT transistors of state-off voltages 600 V;1,2-2,4 kV;> 3,3 kV.
Słowa kluczowe
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
117--121
Opis fizyczny
Bibliogr. 11 poz., rys., tab., wykr.
Twórcy
autor
- Instytut Elektrotechniki w Warszaie, członek SEP
Bibliografia
- [1] BALIGA B.J.: Trends in Power Discrete Devices. Proc. of 1998 International Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits ISPSD'98, Kyoto
- [2] CHAN S.S.M. i in.: Development of the Trench Insulated Gate, Bipolar Transistor for High Voltage Applications. Proc. of Power Conversion - PCIM'98. May 1998, Norymberga
- [3] JANUSZEWSKI S.: Przegląd aktualnych tendencji rozwojowych w dziedzinie energoelektroniki. VIII Sympozjum „Podstawowe problemy energoelektroniki i elektromechaniki" - PPEE'99. Ustroń, 22-25 marca 1999
- [4] KIM S. i in.: A Novel Trench Formation and Planarization Technique Using Positive Etching and CMP for Smart Power ICs. Proc. of ISPSD'98, Kyoto
- [5] MOCHIZUKI K. i in.: Examination of Punch Through IGBT (PT-IGBT) for High Voltage and High Current Applications. Proc. of ISPSD' 97, Weimar
- [6] NITA T. i in.: A Design for the Low Forward Voltage Drop 4500V Trench IGBT. Proc. of 1SPSD'98, Kyoto
- [7] ONISHI Y. i in.: Analysis on Device Structures for Next Generation IGBT. Proc. of ISPSD'98, Kyoto
- [8] PAWELSKI W.: Podstawowe problemy w rozwoju tranzystorów IGBT. Elektronika 1997 nr 10
- [9] TAKAHASHIH. i in.: Logic Drive Consideration for Trench - Gate IGBT. Proc. of ISPSD'97, Weimar
- [10] TAKAHASHI H. i in.: A Design Concept for the Low Turn-off Loss 4,5kV Trench IGBT. Proc. of ISPSD'98, Kyoto
- [11] TAKEDA T. i in.: 1200V Trench Gate NPT-IGBT (IEGT) with Excellent Low On-State Voltage. Proc. of ISPSD'98, Kyoto
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPOC-0001-0009