Technologia bramek rowkowych w tranzystorach IGBT

• Autorzy: Januszewski S.

Warianty tytułu

EN

Production process of grooved gates in IGBT transistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Omówiono wytwarzanie tranzystorów IGBT z bramkami rowkowymi, Przedstawiono właściwości tranzystorów IGBT o napięciach blokowania 600 V; 1,2-2,4 kV> 3,3 kV.

EN

Production process of IGBT transistors with grooved gates. Properties of IGBT transistors of state-off voltages 600 V;1,2-2,4 kV;> 3,3 kV.

Słowa kluczowe

PL

bramki rowkowe; tranzystory IGBT; wytwarzanie tranzystorów IGBT

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 2000
• Tom: nr 3
• Strony: 117--121
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki w Warszaie, członek SEP

Bibliografia

• [1] BALIGA B.J.: Trends in Power Discrete Devices. Proc. of 1998 International Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits ISPSD'98, Kyoto
• [2] CHAN S.S.M. i in.: Development of the Trench Insulated Gate, Bipolar Transistor for High Voltage Applications. Proc. of Power Conversion - PCIM'98. May 1998, Norymberga
• [3] JANUSZEWSKI S.: Przegląd aktualnych tendencji rozwojowych w dziedzinie energoelektroniki. VIII Sympozjum „Podstawowe problemy energoelektroniki i elektromechaniki" - PPEE'99. Ustroń, 22-25 marca 1999
• [4] KIM S. i in.: A Novel Trench Formation and Planarization Technique Using Positive Etching and CMP for Smart Power ICs. Proc. of ISPSD'98, Kyoto
• [5] MOCHIZUKI K. i in.: Examination of Punch Through IGBT (PT-IGBT) for High Voltage and High Current Applications. Proc. of ISPSD' 97, Weimar
• [6] NITA T. i in.: A Design for the Low Forward Voltage Drop 4500V Trench IGBT. Proc. of 1SPSD'98, Kyoto
• [7] ONISHI Y. i in.: Analysis on Device Structures for Next Generation IGBT. Proc. of ISPSD'98, Kyoto
• [8] PAWELSKI W.: Podstawowe problemy w rozwoju tranzystorów IGBT. Elektronika 1997 nr 10
• [9] TAKAHASHIH. i in.: Logic Drive Consideration for Trench - Gate IGBT. Proc. of ISPSD'97, Weimar
• [10] TAKAHASHI H. i in.: A Design Concept for the Low Turn-off Loss 4,5kV Trench IGBT. Proc. of ISPSD'98, Kyoto
• [11] TAKEDA T. i in.: 1200V Trench Gate NPT-IGBT (IEGT) with Excellent Low On-State Voltage. Proc. of ISPSD'98, Kyoto