Pomiary termiczne dla weryfikacji wartości strat łączeniowych w półprzewodnikowych przyrządach mocy

• Autorzy: Nowak M. , Grzejszczak P. , Zdanowski M. , Barlik R.

Warianty tytułu

EN

Thermal measurement for verification of power loss in semiconductor switching devices

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł jest poświęcony prezentacji prac badawczych mających na celu rozwinięcie metod pomiaru strat łączeniowych w szybkich łącznikach półprzewodnikowych jak MOS oraz IGBT. Przy projektowaniu przekształtników pracujących z dużą częstotliwością łączeń określenie strat łączeniowych na podstawie rejestrowanych przebiegów napięcia i prądu jest trudne i nie daje jednoznacznych wyników. W pracy przedstawiono metodę ilościowego wyznaczania strat energii przy załączaniu i wyłączaniu tranzystorów z zastosowaniem obrazu zarejestrowanego za pomocą kamery termograficznej.

EN

In the paper investigations dedicated to development of measurement methods of power loss in fast semiconductor switches such as MOSFET or IGBT are presented. During the design of converters with high switching frequencies the estimation of switching power losses based on recorded switch current and voltage curves is difficult and does not provide adequate results. The method of quantitative measurement of semiconductor switch power losses with the use of thermal steady state picture registration is described and illustrated with laboratory result examples.

Słowa kluczowe

PL

dobór szybkich łączników; tranzystory CoolMOS; podwójny mostek aktywny; termograficzne pomiary mocy strat

EN

fast switch selection; bridge power MOSFET leg; dual active bridge

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2012
• Tom: R. 88, nr 4b
• Strony: 163--168
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Nowak M.

autor

Grzejszczak P.

autor

Zdanowski M.

autor

Barlik R.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej .ul. Koszykowa 75 00-662, Warszawa,

Bibliografia

• [1] Krismer F., Kolar J.W., Accurate Power loss model construction of high current dual active bridge converter for an automotive application, IEEE Trans. on Industrial Electronics, Vol. 57, no. 3, March 2010, pp.881-891
• [2] Nowak M., Rąbkowski J., Barlik R.: Charakteryzacja termoczułych parametrów wybranych krzemowych i węglikowokrzemowych łączników mocy. Przegląd Elektrotechniczny,ISSN 0033-2097, R. 84, Nr 7/ 2008 , s. 12-16.
• [3] Barlik R., Rabkowski J., Nowak M.: Investigations of Transistor IGBT and Silicon – Carbide Schottky Diode Switch. International Conference Microtechnology and Thermal Problems in Electronics - MicroTherm 2007 , 25.06-27.06.2007 Łódź , pp.233-236,
• [4] Musallam M., Johnson C. M., Real – time Compact Thermal Models for Heath Management of Power Electronics, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 25, No. 6, June 2010, pp.1416-1425
• [5] Nowak M., Barlik R., Rąbkowski J., Grzejszczak P.: Badania właściwości trójfazowego przekształtnika sieciowego PWM z diodami zwrotnymi z węglika krzemu. Przegląd Elektrotechniczny, R.85, Nr 12/2009, s.199-203
• [6] Minkina W. Pomiary termowizyjne – przyrządy i metody Wydawnictwo Politechniki Częstochowskiej 2004
• [7] Nowak M. Dwukierunkowe, transformatorowe przekształtniki napięcia stałego jako sprzęgi do kondensatorowych wysokonapięciowych magazynów energii. Modelowanie i Symulacja 2006 str. 53-58
• [8] Barlik R., Nowak M., Rąbkowski J. Symulacyjne studium projektowe trójfazowego przekształtnika PWM z zastosowaniem łączników z węglika krzemu Krajowa Konferencja Elektroniki 2008 Darłówko Wsch.
• [9] Nowak M., Barlik R., Rabkowski J., Grzejszczak P. Assesment of Power silicon carbide Schottky Diode as a New Komponent In PWM medium Power Converters Conf. Rec. Microtherm 2009 Łódź 2009
• [10] Koredo Z., Florkowski M. Thermography based diagnostic of power equipment Power Engineering Journal Vol. 15 2001 pp. 33 – 42