Power Losses in PWM Inverters using Silicon Carbide Devices

• Autorzy: Dawidziuk J.

Warianty tytułu

PL

Straty mocy w falowniku PWM z przyrządami półprzewodnikowymi z węglika krzemu

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

In this paper the power losses in PWM-VSI inverters using SiC devices are investigated. The power losses are determined by simulation based on the loss models for different load conditions. For the conduction loss evaluation the device models simplified to a voltage source in series with a resistor. Theoretical models are correlated well with the experimental data.

PL

W artykule są badane straty mocy w falownikach PWM z przyrządami SiC. Straty mocy są określane poprzez modelowanie w różnych warunkach obciążenia. Do oceny strat przewodzenia używany jest uproszczony model przyrządu stanowiący szeregowe połączenie źródła napięcia i rezystora. Wyniki badań eksperymentalnych potwierdzają założenia teoretyczne.

Słowa kluczowe

EN

PWM inverter; power losses; SiC devices; modelling

PL

falownik PWM; straty mocy; przyrządy półprzewodnikowe SiC; modelowanie

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2012
• Tom: R. 88, nr 4b
• Strony: 29--34
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Dawidziuk J.

• Politechnika Białostocka, Wydział Elektryczny, ul. Wiejska 45D, 15-351 Białystok,

Bibliografia

• [1] Richmond J., Hull B., Ryu S. H., Agarwal A., Palmour J., and Scofield J., Reliable Silicon Carbide MOSFET Operation at 3000 C Junction Temperature, Proceedings of the International High Temperature Electronics Conference, Albuquerque, NM, May 12-15, (2008), pp. 109-112
• [2] Baliga B.J., Power semiconductor device figure of merit for high-frequency applications, IEEE Electron Device Letters (1989)Vol. 10, No. 10, pp. 455-457
• [3] Roccaforte F., Libertino S., Giannazzo F., Bongiorno C., Via F. L., and Raineri V., Ion irradiation of inhomogeneous Schottky barriers on silicon carbide, Journal of Applied Physics, (2005), vol. 97, issue 12
• [4] Baliga B. J., Modern Power Devices, John Wiley&Sons Inc., New York, (1987)
• [5] Huang Q., and Zhang B., Comparing SiC Switching Power Devices: MOSFET, NPN Transistor, and GTO Transistor, Solid State Electronics, (2000) Vol. 44, No. 2, pp. 325-340
• [6] Dawidziuk J., Analiza strat mocy w biegunowych falownikach napięcia, Wydawnictwo Politechniki Białostockiej, 2002.