Identyfikatory
Warianty tytułu
Straty mocy w falowniku PWM z przyrządami półprzewodnikowymi z węglika krzemu
Języki publikacji
Abstrakty
In this paper the power losses in PWM-VSI inverters using SiC devices are investigated. The power losses are determined by simulation based on the loss models for different load conditions. For the conduction loss evaluation the device models simplified to a voltage source in series with a resistor. Theoretical models are correlated well with the experimental data.
W artykule są badane straty mocy w falownikach PWM z przyrządami SiC. Straty mocy są określane poprzez modelowanie w różnych warunkach obciążenia. Do oceny strat przewodzenia używany jest uproszczony model przyrządu stanowiący szeregowe połączenie źródła napięcia i rezystora. Wyniki badań eksperymentalnych potwierdzają założenia teoretyczne.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
29--34
Opis fizyczny
Bibliogr. 6 poz., rys., wykr.
Twórcy
autor
- Politechnika Białostocka, Wydział Elektryczny, ul. Wiejska 45D, 15-351 Białystok, dawid@pb.edu.pl
Bibliografia
- [1] Richmond J., Hull B., Ryu S. H., Agarwal A., Palmour J., and Scofield J., Reliable Silicon Carbide MOSFET Operation at 3000 C Junction Temperature, Proceedings of the International High Temperature Electronics Conference, Albuquerque, NM, May 12-15, (2008), pp. 109-112
- [2] Baliga B.J., Power semiconductor device figure of merit for high-frequency applications, IEEE Electron Device Letters (1989)Vol. 10, No. 10, pp. 455-457
- [3] Roccaforte F., Libertino S., Giannazzo F., Bongiorno C., Via F. L., and Raineri V., Ion irradiation of inhomogeneous Schottky barriers on silicon carbide, Journal of Applied Physics, (2005), vol. 97, issue 12
- [4] Baliga B. J., Modern Power Devices, John Wiley&Sons Inc., New York, (1987)
- [5] Huang Q., and Zhang B., Comparing SiC Switching Power Devices: MOSFET, NPN Transistor, and GTO Transistor, Solid State Electronics, (2000) Vol. 44, No. 2, pp. 325-340
- [6] Dawidziuk J., Analiza strat mocy w biegunowych falownikach napięcia, Wydawnictwo Politechniki Białostockiej, 2002.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPOB-0052-0007