Zaburzenia generowane w przetwornicy impulsowej o wysokiej częstotliwości przełączania zawierającej diodę z węglika krzemu

• Autorzy: Starzak Ł. , Grabowski K. , Poźniak T.

Warianty tytułu

EN

Disturbances generated in a switched mode power converter containing a silicon carbide diode

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł przedstawia wyniki badań zaburzeń przewodzonych powstających w impulsowej przetwornicy podwyższającej napięcie, w której użyta została unipolarna dioda mocy z węglika krzemu. Przeanalizowano wpływ częstotliwości i szybkości przełączania układu na widmo zaburzeń elektromagnetycznych, a także na sprawność energetyczną. Wyniki porównano z uzyskanymi w tym samym układzie po zastosowaniu bipolarnej diody krzemowej (PIN).

EN

The paper presents investigation results of conducted disturbances arising in a switched mode boost power converter in which a unipolar diode made of silicon carbide has been used. The effect of circuit switching frequency and speed on electromagnetic disturbance spectrum as well as on efficiency has been analysed. Results have been compared to ones obtained in the same circuit after applying a bipolar silicon diode (PIN).

Słowa kluczowe

PL

zaburzenia elektromagnetyczne; przetwornica impulsowa; dioda; węglik krzemu

EN

electromagnetic disturbance; switched mode power converter; diode; silicon carbide

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2012
• Tom: R. 88, nr 2
• Strony: 48--50
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Starzak Ł.

autor

Grabowski K.

autor

Poźniak T.

• Politechnika Łódzka, Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych, ul. Wólczańska 221/223 bud. B18, 90-924 Łódź,

Bibliografia

• [1] Rąbkowski J., Barlik R., Nowak M., Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC) i ich zastosowania w energoelektronice, Przegląd Elektrotechniczny, 82 (2006), nr 11, 1–8.
• [2] Friedrichs P., SiC power devices for industrial applications, International Power Electronics Conf. (2010), 3241–3248.
• [3] Napieralski A., Napieralska M., Polowe półprzewodnikowe przyrządy dużej mocy, WNT (1995).
• [4] Kolar J. et al., PWM Converter Power Density Barriers, Power Conversion Conference PCC (2007), 9–29.
• [5] Janicki M., Makowski D., Kędziora P., Starzak Ł., Jabłoński G., Bek S., Improvement of PFC boost converter energy performance using silicon carbide diode, International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES (2006), 615–618.
• [6] Spiazzi G. et al., Performance evaluation of a Schottky SiC power diode in a boost PFC application, IEEE Trans. Power Electr., 18 (2003), no. 6, 1249–1253.
• [7] Bek S., Poźniak T., Jabłoński G., Starzak Ł., Zagadnienia filtracji harmonicznych w układach aktywnej korekcji współczynnika mocy, Krajowe Sympozjum Kompatybilność Elektromagnetyczna w Elektrotechnice i Elektronice EMC’05 (2005), 155–164.