Obwody typu [pi]1 o małej dobroci wypadkowej w rezonansowych wzmacniaczach mocy

• Autorzy: Modzelewski J.

Warianty tytułu

EN

[Pi]1 resonant circuits with low loaded quality factor in tuned power amplifiers

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Obwód typu [pi]1 jest stosowany jako wyjściowy obwód rezonansowy we wzmacniaczach klas AB, B i C. W quasi-szerokopasmowych wzmacniaczach rezonansowych (np. do nadajników radiofonicznych UKF-FM 87,5–108 MHz) dobroć wypadkowa obwodu [pi]1 musi być dostatecznie mała. Wykazano, że we wzmacniaczu z takim obwodem druga i trzecia harmoniczna prądu drenu nie są zwierane, co powoduje wzrost wartości międzyszczytowej napięcia dren-źródło. Wzmacniacz wchodzi w stan przewzbudzony a jego charakterystyka przejściowa jest nieliniowa.

EN

The [pi]1 circuit is applied as an output resonant circuit in the class AB, class B and class C tuned power amplifiers. In semi-wideband tuned power amplifiers (e.g. for VHF-FM 87.5 - 108MHz radio transmitters) loaded quality factor Qw of the [pi]1 circuit must be sufficiently low. It has been proven that in the amplifier with low-Qw [pi]1 circuit the 2nd and 3rd harmonics of the transistor drain current are not short-circuited, and peak-to-peak value of the drain-source voltage increases. Hence, the amplifier is overdriven, and its transfer characteristic is non-linear.

Słowa kluczowe

PL

obwód rezonansowy; transformacja impedancji; liniowy wzmacniacz mocy; zniekształcenia nieliniowe

EN

resonant circuit; impedance transformation; linear power amplifier; non-linear distortions

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2010
• Tom: R. 86, nr 11a
• Strony: 200--203
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Modzelewski J.

• Politechnika Warszawska, Instytut Radioelektroniki, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa,

Bibliografia

• [1] Ryżko S., Ebert J., Wzmacniacze rezonansowe i generatory mocy wielkiej częstotliwości, WNT, Warszawa 1971
• [2] ETS 300 384, European Telecommunication Standard Institute, January 1985
• [3] Modzelewski J., Właściwości obwodów typu ¶1 do rezonansowych wzmacniaczy mocy dla różnych wartości dobroci wypadkowej”, Elektronika, konstrukcje, technologie, zastosowania, (2010), nr 2, 17-23
• [4] LC filter design, www-users.cs.york.ac.uk
• [5] G. Mathaei, L. Young, EMT. Jones, Microwave filters, impedance-matching networks, and coupling structures, Artec House Books, 1985
• [6] Modzelewski J., Uproszczona metoda projektowania obwodów ¶1 do rezonansowych wzmacniaczy mocy, Przegląd Elektrotechniczny, (2009), nr 11, 167-170.
• [7] Modzelewski J., Rezonansowy wzmacniacz mocy klasy C w stanie przewzbudzonym, Elektronika, konstrukcje, technologie, zastosowania, (2008), nr 11, 36-40