Wpływ modelu tranzystora MOS na charakterystyki przetwornicy BOOST w stanie ustalonym

• Autorzy: Górecki K. , Zarębski J.

Warianty tytułu

EN

Influence of MOSFET model form on boost converter characteristics at the steady state

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy porównano charakterystyki przetwornicy BOOST w stanie ustalonym uzyskane przy wykorzystaniu modeli tranzystora MOS o różnym poziomie złożoności. Rozważano zależności napięcia wyjściowego, sprawności energetycznej oraz temperatury wnętrza tranzystora od współczynnika wypełnienia sygnału sterującego, rezystancji obciążenia oraz częstotliwości sygnału sterującego. Poprawność wyników obliczeń zweryfikowano doświadczalnie. Porównano również czasy trwania obliczeń uzyskanych przy wykorzystaniu rozważanych modeli.

EN

In the paper boost converter characteristics at the steady state obtained with the use of MOSFET models of various complexity and accuracy are compared. The analyses were performed by SPICE. The dependencies of the converter output voltage, the watt-hour efficiency and the MOSFET inner temperature on the frequency and the pulse-duty factor of the MOSFET control signal as well as the load resistance are considered. The correctness of the calculation results was verified experimentally. The times of the analyses of the converter corresponding to the considered models of the MOS transistor are compared, too.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor MOS; przetwornica boost; modelowanie

EN

MOS transistors; boost converters; modelling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2010
• Tom: R. 86, nr 11a
• Strony: 141--145
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Górecki K.

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 83, 81-225 Gdynia,

Bibliografia

• [1] Rashid M.H., Power Electronic Handbook, Academic Press, Elsevier, 2007.
• [2] Górecki K., Modelowanie i analiza obcowzbudnych stabilizatorów impulsowych zawierających dławikowe przetwornice dc-dc z uwzględnieniem samonagrzewania, Prace Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia, 2007.
• [3] Mohan N., Undeland T.M., Robbins W.P., Power Electronics: Converters, Applications, and Design, New York, John Wiley & Sons, 1995.
• [4] Mohan N., Robbins W. P., Undeland T. M., Nilssen R., Mo O., Simulation of Power Electronic and Motion Control Systems - An Overview, Proceedings of the IEEE, 82 (1994), 1287-1302.
• [5] Ericson R., Maksimovic D., Fundamentals of Power Electronics, Norwell, Kluwer Academic Publisher, 2001.
• [6] Maksimovic D., Stankovic A. M., Thottuvelil V. J., Verghese G. C., Modeling and Simulation of Power Electronic Converters, Proceedings of the IEEE, 89 (2001), n. 6, 898-912.
• [7] Basso Ch. P., Switch-Mode Power Supply SPICE Cookbook, New York, McGraw-Hill, 2001.
• [8] Ben-Yaakov S., Average Simulation of PWM Converters by Direct Implementation of Behavioural Relationships, International Journal of Electronics, 77 (1994), n. 5, 731-46.
• [9] Vlach J., Opal A., Modern CAD Methods for Analysis of Switched Networks. IEEE Transactions on Circuits and Systems – I: Fundamental Theory and Applications, 44 (1997), n. 8, 759-762.
• [10] Górecki K., Zarębski J., Investigations of the Usefulness of Average Models for Calculations Characteristics of Buck and Boost Converters at the Steady State. International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks, Devices and Fields, 23 (2010), n1, 20-31
• [11] Górecki K., Zarębski J., Influence of MOSFET Model Form on Boost Converter Characteristics at the Steady State. 16th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2009, Łódź, 2009, 162.
• [12] Wilamowski B.M., Jaeger R.C., Computerized Circuit Analysis Using SPICE Programs, McGraw-Hill, New York, 1997.
• [13] Górecki K., A New Electrothermal Average Model of the Diode-Transistor Switch, Microelectronics Reliability, 48 (2008), n. 1, 51-58.
• [14] Górecki K., Zarębski J., Modeling Nonisothermal Characteristics of Switch-Mode Voltage Regulators, IEEE Transactions on Power Electronics, 23 (2008), n. 4, 1848 – 1858.
• [15] Oettinger F. F., Blackburn D. L., Semiconductor Measurement Technology: Thermal Resistance Measurements, U. S. Department of Commerce, NIST/SP- 400/86, 1990.
• [16] Górecki K., Zarębski J., System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych, Metrologia i Systemy Pomiarowe, 8 (2001), n. 4, 379-396.