Inteligentne energoelektroniczne układy scalone

• Autorzy: Januszewski S. , Kociszewska-Szczerbik M.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono układy Smart Power, wykonane przy zastosowaniu technologii monolitycznej i hybrydowej, oraz przyrządy energetyczne w układach scalonych mocy. Scharakteryzowano nowe materiały półprzewodnikowe stosowane w produkcji przyrządów dyskretnych. Omówiono zastosowanie energoelektronicznych układów scalonych.

EN

Smart Power circuits made in monolithic and hybrid technologies; power devices in power integrated circuits. Characteristic of new semiconductor materials used for production of discrete instruments. Applications of power electronic integrated circuits.

Słowa kluczowe

PL

diody szybkie; układy scalone; integracja nonolityczna

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 1999
• Tom: nr 7
• Strony: 335--342
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., rys., tab., wykr., zdj.

Twórcy

autor

Januszewski S.

• Januszewski Stefan Instytut Elektrotechniki w Warszawie

autor

Kociszewska-Szczerbik M.

• Januszewski Stefan Instytut Elektrotechniki w Warszawie

Bibliografia

• [1] BALIGA B. J.: Trends in Power Discrete Devices. Proc. of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs - ISPSD 98. June 1998, Kyoto (Japan)
• [2] CONTMO C. i in.: Smart Power Approaches VLSI Complexity. Proc. of ISPSD ' 98. June 1998, Kyoto (Japan)
• [3] DARWISH M. i in.: Scaling Issues in Lateral Power MOSFETs. Proc. of ISPSD' 98. June 1998, Kyoto (Japan)
• [4] DAUVIN J. P.: Semiconductor Industry Megatrends. Proc. of Power Conversion Conference PCIM' 98. May 1998, N Nürnberg berg (Germany)
• [5] FARENC D. i in.: Clamped Inductive Switching of LDMOST for Smart Power IC ' s. Proc. of ISPSD' 98. June 1998, Kyoto (Japan)
• [6] JANUSZEWSKI S.: Inteligentne moduły energetyczne - kierunki rozwoju techniki przekształtnikowej średniej mocy. VI Sympozjum „Podstawowe problemy energoelektroniki i elektromechaniki" - PPEE' 95. Gliwice-Ustroń, marzec 1995
• [7] JANUSZEWSKI S., ZYMMER K.: Osiągnięcia i prognozy rozwoju dotyczące dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów mocy i modułów energoelektronicznych. Sympozjum PPEE' 97. Gliwice-Ustroń, marzec 1997
• [8] JANUSZEWSKI S., KOCISZEWSKA-SZCZERBIK M.: Tyrystory polowe sterowane bramkami MOS. Wiadomości Elektrotechniczne 1998 nr 6
• [9] JANUSZEWSKI S.: Tyrystor wyłączalny komutowany bramką - nowy łącznik energoelektroniczny. XII Beskidzkie Seminarium Elektryków - BSE' 98. Istebna, październik 1998
• [10] JITARU I.D.: Power Conversion Technology For Power Levels Under 3Kw. Proc. of PCIM' 98. May 1998, Nürnberg (Germany)
• [11] LORENZ L.: System Integration New Milestone for Future Power Electronic Systems. Proc. of PCIM ' 98. May 1998, Nürnberg (Germany)
• [12] MATSUDA H.: New Advanced Power Semiconductors. Proc. of PCIM ' 98. May 1998, Nürnberg (Germany)
• [13] NOWAK M., BARLIK R.: Poradnik inżyniera energoelektronika. WNT, Warszawa 1998
• [14] RISCHMULLER K.G.: Smart Power - from the State of the Art to Future Trends. Proc. of PCIM' 98. May 1998, Nürnberg (Germany)
• [15] ZELLER H.: High Power Components - from the State of the Art to Future Trends. Proc. of PCIM' 98. May 1998, Nürnberg (Germany)